Les points quantiques de sulfure de cuivre-indium (CIS) à infrarouge proche (QDs), en raison de l'absence d'élément lourd, sont largement supérieurs aux avantages en termes de compatibilité biologique et de respect de l'environnement des points quantiques traditionnels à base de cadmium (CdSe) et de plomb (PbS) infrarouge. Cependant, leur rendement quantique de fluorescence (PLQY) faible et l'instabilité limitent leur application pratique. L'enveloppe de zinc peut augmenter le PLQY et la stabilité des CIS QDs, mais il existe un important décalage de la longueur d'onde d'émission de photoluminescence (PL) des CIS/ZnS QDs par rapport aux CIS QDs intrinsèques, et la structure en coquille de noyau CIS/ZnS, en raison de l'alliage à l'interface, provoque un important décalage de la longueur d'onde d'émission électroluminescente (EL) du dispositif (QLED) par rapport à l'émission PL. Dans cette étude, une méthode de synthèse rigoureuse de la structure de coquille stricte des QDs CIS/ZnS a été proposée pour réduire le décalage de PL des CIS/ZnS par rapport aux CIS QDs. Nous avons réussi à construire la structure de coquille stricte de QDs CIS/Al-ZnS (CIS/AZS), en introduisant une méthode d'ionisation de 50% Al/Zn de l'alcoolisme isoamylique (Al (IPA)₃). Les expériences ont montré que le décalage important de la longueur d'onde EL des CIS/AZS QLED a été réduit à 7 nm (963 nm), l'efficacité quantique externe maximale a atteint 2,61%, et la durée de vie du dispositif a augmenté de 80%. Cette étude fournit une solution au problème de décalage de la longueur d'onde EL des systèmes CIS/ZnS, permettant à l'appareil de conserver une émission précieuse dans la région proche-infrarouge.

Points quantiques CIS/ZnS; Dispositif électroluminescent (QLED); Dopage Al; Proche-infrarouge