La diode électroluminescente à points quantiques (QLED) devient un candidat puissant pour la prochaine génération de technologies d'affichage et d'éclairage en raison de ses excellentes performances optiques et de sa capacité de traitement solvant. Cependant, les matériaux traditionnels d'injection de trous (tels que le PEDOT∶PSS) rencontrent des problèmes qui limitent l'amélioration de leurs performances. Dans cette étude, le thiocyanate de cuivre (CuSCN) a été utilisé comme couche d'injection de trous, et des points quantiques de CdSe/ZnS verts ont été utilisés comme couche d'émission de lumière, associés à différentes couches de transport de trous (HTL) telles que le PVK et le Poly-TPD. Des dispositifs QLED verts ont été préparés à l'aide du processus de traitement par solvant, et les performances optoélectroniques des dispositifs ont été analysées et comparées sous conduite directe et alternée. L'étude a révélé que la barrière d'énergie entre CuSCN et PVK entraîne une limitation de charge à l'interface, ce qui réduit les performances du dispositif. En revanche, l'introduction de Poly-TPD peut réduire efficacement la limitation de charge à l'interface en raison d'une mobilité des trous plus élevée et d'un niveau d'énergie HOMO plus superficiel, ce qui améliore considérablement la luminosité de l'émission et l'efficacité du courant des dispositifs, avec une luminosité maximale d'émission et une efficacité maximale du courant de 132 075 cd/m2 et 15,6 cd/A respectivement. Cette étude révèle le mécanisme de l'influence de la limitation de charge à l'interface CuSCN/HTL sur les performances des QLED et fournit un support théorique et des directives pratiques pour l'application de CuSCN inorganique dans des QLED à haut rendement utilisant un processus de traitement solvant.

thiocyanate de cuivre; diode électroluminescente à points quantiques; couche d'injection de trous; charge limitée; entraînement alternatif