Vapor Deposition of All Inorganic Perovskite Transport Layer and Emission Layer to Improve Performance of Red Perovskite Light-emitting Diodes

LIU Hefu; LIU Yuefeng; FENG Jing

doi:10.37188/CJL.20220416

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Vapor Deposition of All Inorganic Perovskite Transport Layer and Emission Layer to Improve Performance of Red Perovskite Light-emitting Diodes

Device Fabrication and Physics | 更新时间：2026-09-12

- Vapor Deposition of All Inorganic Perovskite Transport Layer and Emission Layer to Improve Performance of Red Perovskite Light-emitting Diodes
  增强出版
- Chinese Journal of Luminescence Vol. 44, Issue 5, Pages: 873-880(2023)
- 作者机构：
  
  吉林大学电子科学与工程学院，吉林长春　130012
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  National Key Research and Development Program of China(2020YFA0715000);Science and Technology Development Plan of Jilin Province(20220402011GH)
- DOI：10.37188/CJL.20220416
  CLC： TN312.8
- Received：15 December 2022，
  
  Revised：2022-12-28，
  
  Published：05 May 2023
- 稿件说明：
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柳贺夫,刘岳峰,冯晶.气相沉积全无机钙钛矿传输层和发光层提高红光钙钛矿发光二极管性能[J].发光学报,2023,44(05):873-880.

LIU Hefu,LIU Yuefeng,FENG Jing.Vapor Deposition of All Inorganic Perovskite Transport Layer and Emission Layer to Improve Performance of Red Perovskite Light-emitting Diodes[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(05):873-880.
柳贺夫,刘岳峰,冯晶.气相沉积全无机钙钛矿传输层和发光层提高红光钙钛矿发光二极管性能[J].发光学报,2023,44(05):873-880. DOI： 10.37188/CJL.20220416.

LIU Hefu,LIU Yuefeng,FENG Jing.Vapor Deposition of All Inorganic Perovskite Transport Layer and Emission Layer to Improve Performance of Red Perovskite Light-emitting Diodes[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(05):873-880. DOI： 10.37188/CJL.20220416.

摘要

在PEDOT∶PSS空穴传输层上气相沉积了CsPbBr

和CsPbBrI

全无机钙钛矿传输层和发光层，以PEDOT∶PSS/CsPbBr

作为双空穴传输层，显著提高了基于CsPbBrI

发光的全无机红光钙钛矿发光二极管（Perovskite light emitting diodes，PeLEDs）性能。相比基于PEDOT∶PSS空穴传输层的PeLEDs器件，其亮度、电流效率和外量子效率提升幅度分别达到了44%、157%和180%。器件性能提升一方面归因于PEDOT∶PSS/CsPbBr

双空穴传输层的能级匹配提高了空穴传输效率，并有效抑制了PEDOT∶PSS酸性导致的激子猝灭；另一方面归因于生长在CsPbBr

传输层上的CsPbBrI

发光层具有更好的薄膜结晶质量。在PeLEDs中通过气相沉积生长传输层和发光层是一种简单有效的制备方案，在提高气相沉积全无机PeLEDs的性能方面有巨大潜力。

Abstract

The CsPbBr

and CsPbBrI

all inorganic perovskite transport layer and emission layer were vapor deposited on the PEDOT∶PSS hole transport layer. The performance of the all inorganic red light emitting diodes（PeLEDs） based on CsPbBrI

luminescence was significantly improved by using PEDOT∶PSS/CsPbBr

as the double hole transport layers.Compared with the traditional PeLEDs using PEDOT∶PSS as the hole transport layer， the enhancement ratio of luminance， current efficiency and external quantum efficiency is up to 44%， 157% and 180% respectively. This obvious performance improvement is attributed to the improvement of hole injection effi

ciency caused by the promoted energy level alignment for the hole transport and the suppressed exciton quenching by the negative impact of PEDOT∶PSS acidity. Meanwhile， the crystallization quality of the CsPbBrI

emission layer grown on the CsPbBr

layer was improved. This is a simple and effective strategy to grow transport layer and emission layer in PeLEDs by vapor deposition， which has great potential in improving the performance of vacuum-evaporated all-inorganic PeLEDs.

关键词

Keywords

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