氨分压对液相外延GaP材料的影响

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氨分压对液相外延GaP材料的影响

更新时间：2020-08-11

- 氨分压对液相外延GaP材料的影响
- Chinese Journal of Luminescence Vol. 2, Issue 1, Pages: 63-67(1981)
- 作者机构：
  
  冶金部有色金属研究总院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Received：05 December 1980，
  
  Published：02 March 1981
- 稿件说明：
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李桂英, 王亚芳, 谭浩达, 李进学. 氨分压对液相外延GaP材料的影响[J]. 发光学报, 1981,2(1): 63-67

. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(1): 63-67
李桂英, 王亚芳, 谭浩达, 李进学. 氨分压对液相外延GaP材料的影响[J]. 发光学报, 1981,2(1): 63-67 DOI：

. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(1): 63-67 DOI：

摘要

GaP是间接能隙的半导体材料

发光效率低.在GaP中掺氮可以提高发光效率

但掺氮量过高会导致外延层表面高低不平和增加光吸收

而降低发光效率.国外报导的最佳掺氮量不一

一般为8

#215;10

～4

#215;10

/厘米

[1][2][3]

.多数是采用通氨掺氮的方法.本文也是以氨做为氮的掺杂源.先用干冰收集成液体氨然后用氢气携带液体氨

实现氮的掺杂.在其它外延条件相同的情况下

只改变氢气中的氨分压

进行液相外延生长

发现所生长的GaP外延片的氮峰强度

外延片表面平整度

外延片所制发光管的总光通量

功率效率和氨分压有关.

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