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厦门大学
Published:30 July 1980
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江炳熙, 周必忠, 胡志萍. 汞探针容压法测定磷化镓中浅施主杂质浓度[J]. 发光学报, 1980,1(4): 24-30
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(4): 24-30
江炳熙, 周必忠, 胡志萍. 汞探针容压法测定磷化镓中浅施主杂质浓度[J]. 发光学报, 1980,1(4): 24-30 DOI:
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(4): 24-30 DOI:
本文描述了制备Hg-n-GaP表面势垒结构的工艺方法.采取真空(2
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#215;10
-4
乇)烘烤(120℃)GaP晶体的方法
消除了样品表面吸附的水分子和其它沾污.研究了肖特基二极管负偏压的容压特性
从它求得扩散电势等于1.26
#177;0.06伏特.势垒高度测定值(φ
b
=1.3(
#177;0.06电子伏特)基本上符合于按文献经验公式的计算值;因而
按本文的工艺方法可以准确测定GaP晶体中浅施主杂质浓度.为了简化实验数据的处理
建议在一定负偏压下测量恒定面积的肖特基二极管的电容值来测定浅施主杂质浓度.
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