Aufgrund des Fehlens von Schwermetallelementen sind die Quantenpunkte (QDs) aus Kupfer-Indium-Sulfid (CIS) im nahen Infrarot (NIR) in biologischer Verträglichkeit und Umweltfreundlichkeit signifikant besser als herkömmliche NIR-Cadmiumbasis (CdSe) und Bleibasis (PbS) Quantenpunkte, aber ihre geringe Fluoreszenzquantenausbeute (PLQY) und schlechte Stabilität begrenzen ihre praktische Anwendung. Die Beschichtung mit ZnS kann die PLQY und die Stabilität der CIS-QDs verbessern, aber die CIS/ZnS-QDs zeigen eine relative Verschiebung der photolumineszierenden (PL) Peaks im Vergleich zu den intrinsischen CIS-QDs; und die Kernmantelstruktur von CIS/ZnS führt aufgrund der Legierung an der Grenzfläche zu einer deutlichen Verschiebung der elektrolumineszierenden (EL) Peaks von Quantenzellen (QLEDs) im Vergleich zu den PL-Peaks. In dieser Studie wird eine strenge Methode zur Synthese von Schalen vorgeschlagen, um die relative Verschiebung der PL der CIS/ZnS-QDs im Vergleich zu den CIS-QDs zu reduzieren, sowie eine Methode zur Dotierung von Al in die Schale. Durch Zugabe eines Al/Zn-Verhältnisses von 50% des Isopropylaluminiums (Al (IPA)₃) ist es uns gelungen, streng kern-mantelstrukturierte CIS/Al-ZnS-Quantenpunkte (CIS/AZS) zu konstruieren, die die EL-Verschiebung der QLED-Geräte im Verhältnis zur PL reduzieren und die Trägereinspritzung ausgleichen. Experimente zeigen, dass die EL-Verschiebung des CIS/AZS-QLED-Peaks auf 7 nm (Emission bei 963 nm) reduziert wird, mit einer maximalen externen Quanteneffizienz von 2,61 % und einer um 80 % erhöhten Gerätelebensdauer. Diese Studie bietet eine Lösung für das Problem der relativen EL-Verschiebung im Vergleich zur PL im CIS/ZnS-System und ermöglicht es dem Gerät, eine wertvollere nahe Infrarotemission zu behalten.

CIS/ZnS-Quantenpunkte;elektrolumineszierende Geräte;Al-Dotierung;Nahes Infrarot