Es wurde die Auswirkung der Technologie des kombinierten thermischen Ausglühens NH₃/N₂ auf die Kristallqualität, die lumineszenten Eigenschaften und die Leitfähigkeit des stark dotierten Mg-GaN-Materials untersucht. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass im Vergleich zur traditionellen Hochtemperaturausglühtechnologie in einer N₂-Atmosphäre durch die Verwendung der Hochtemperaturausglühtechnologie in einer NH₃-Atmosphäre die Kristallqualität des stark dotierten Mg-GaN-Materials verbessert werden kann und gleichzeitig die effektive Dotierung von Mg-Atomen verbessert wird, was zu einer Erhöhung der Intensität des blauen Peaks im Photolumineszenzspektrum führt. Die Anwendung der kombinierten thermischen Ausglühtechnologie in einer NH₃-Atmosphäre in Verbindung mit der Niedertemperatur-Ausglühtechnologie in einer N₂-Atmosphäre reduziert die Konzentration von Hintergrundelektronen im Inneren des stark dotierten Mg-GaN-Materials signifikant. Dies liegt daran, dass in der NH₃-Atmosphäre während des thermischen Ausglühens die thermischen Zersetzungsprodukte von NH₃ die Konzentration von Oberflächenfehlern wie Stickstoffleerstellen und Ga-Leiterstufenatomen im Material effektiv reduzieren, was letztendlich die Leitfähigkeit des stark dotierten Mg-GaN-Materials verbessert.

Galliumnitrid; Magnesiumdotierung; Wärmebehandlung; Ammoniak