最新刊期
      2007年第28卷第1期

        研究论文

      • Li嵌入对V2O5电子结构及光学性质的影响

        李志阳, 周昌杰, 林伟, 吴启辉, 康俊勇
        2007, 28(1): 1-6.
        摘要：采用第一性原理局域密度近似法计算了V2O5的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响。计算结果表明,V2O5是间接带隙半导体,Li的嵌入并没有改变其电子的跃迁方式。但Li的嵌入使得V2O5导带能量下移,禁带宽度减小,导带中原有的劈裂被分裂的能级填满;同时致使价带出现展宽。电子态密度计算结果表明Li的嵌入对临近的O和V的电子结构有较大的影响。Li2s电子的注入提高了V2O5的费米能级并导致其进入导带。由于价带中的电子只能跃迁到费米能级以上的导带空能级,这致使体系实际的光学带隙增大。同时随着Li注入量的进一步增加,价带的展宽更为明显,费米能级亦呈升高的趋势,使得光学带隙随着Li注入量的增加而增大。  
        关键词：第一性原理;V2O5;Li嵌入;电子结构;光学性质   
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        更新时间：2020-08-11

      • 二维点缺陷正方光子晶体的微腔结构

        陈松, 王维彪, 梁静秋, 夏玉学, 雷达, 曾乐勇, 陈明
        2007, 28(1): 7-12.
        摘要：通过平面波展开法对由Al2O3介质棒在空气背景介质中构成含有点缺陷的二维正方光子晶体微腔结构进行研究,计算得出缺陷态能带以及缺陷态模场分布。缺陷模对应的电磁波波长为470~476nm。对该微腔结构的品质因数的求解,得出缺陷态光谱曲线。在光谱曲线中,随着传输波长的增大,将产生几个峰值,并且在475nm处的波动最为明显,反映出在475nm附近的电磁波段在缺陷处的光强较大。进一步利用全矢量等效折射率法研究该结构缺陷模频率的稳定性,得出等效折射率的变化曲线。从等效折射率变化曲线可以看出,当传输波长达到475nm时,该结构已经达到稳定传输的区域。含缺陷模的二维光子晶体微腔结构在光子晶体发光二极管以及高阈值半导体激光器等方面有着重要的应用价值。  
        关键词：光子晶体;点缺陷;光子晶体微腔;等效折射率   
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        更新时间：2020-08-11

      • 负五阶非线性下预啁啾高斯光脉冲的啁啾和频谱

        钟先琼, 向安平, 罗莉, 李旭
        2007, 28(1): 13-17.
        摘要：为探究光纤负五阶非线性和光脉冲预啁啾对高斯光脉冲频率啁啾和频谱的综合影响,在忽略光纤色散的情况下,利用包含三五阶非线性的扩展非线性薛定谔方程,计算和分析了啁啾高斯脉冲的频谱和总啁啾。结果表明,脉冲无预啁啾时,负五阶非线性的存在可使脉冲频率啁啾的形状由单“S”形变为双“S”形,并使脉冲的中心附近由正啁啾变为负啁啾。此外,负五阶非线性的存在使预啁啾对脉冲频谱的影响发生了较大的变化。预啁啾与非线性所致啁啾叠加后对脉冲频谱的谱峰数目影响较小,而对能量在各个谱峰上的分布影响较大,在某些最大非线性相移下,甚至会出现总啁啾减小使谱峰值数目增加的情况。该研究对光开关、光脉冲压缩以及光纤通信系统等领域的深入发展具有一定的指导意义。  
        关键词：非线性光学;负五阶非线性;频率啁啾;功率频谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 低阈值温度调谐PPMgLN红外光参量振荡

        姚江宏, 刘志伟, 薛亮平, 颜博霞, 贾国治, 许京军, 张光寅
        2007, 28(1): 18-22.
        摘要：研究了温度调谐下周期极化镁掺杂铌酸锂晶体的红外光参量振荡特性。采用外电场短脉冲极化技术,在大小为7.0mm×50.0mm×1.0mm的Z切高镁掺杂(摩尔分数0.05)铌酸锂上制备出了准相位匹配光学微结构器件,极化周期为30.0μm。以输出波长为1064nm的声光调QNd:YAG固体激光器作为基频泵浦光开展了光参量振荡研究。实验表明:泵浦该PPMgLN晶体,实现了室温下低阈值红外光参量振荡产生,阈值功率仅为45mW(重复频率1kHz)。在泵浦输入功率为225mW时,有36mW信号光输出,转换效率达到16.0%,通过调谐晶体温度(20~180℃),获得了调谐范围为1503~1550nm波段的OPO信号光,实现了低阈值可调谐红外光的稳定输出。  
        关键词：非线性光学;光参量振荡;周期极化镁掺杂铌酸锂晶体;温度调谐;准相位匹配   
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        更新时间：2020-08-11

      • 抛物量子点中强耦合束缚极化子的性质

        陈时华, 肖景林
        2007, 28(1): 23-27.
        摘要：采用Pekar类型的变分方法研究了抛物量子点中强耦合束缚极化子的基态和激发态的性质。计算了束缚极化子的基态和激发态的能量、光学声子平均数。讨论了量子点的有效束缚强度和库仑束缚势对基态能量、激发态能量以及光学声子平均数的影响。数值计算结果表明:量子点中强耦合束缚极化子的基态和激发态能量及光学声子平均数均随量子点的有效束缚强度的增加而减小,基态、激发态能量随库仑束缚势的增加而减小,光学声子平均数随库仑束缚势的增加而增大。  
        关键词：抛物量子点;强耦合;束缚极化子;有效束缚强度   
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        更新时间：2020-08-11

      • 量子点中极化子的内部激发态性质

        乌云其木格, 肖景林
        2007, 28(1): 28-34.
        摘要：采用Huybrechts线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物量子点中的强、弱耦合极化子的激发态性质。分别导出强、弱耦合情况下,抛物量子点中的极化子的第一内部激发态能量、激发能量、共振频率与量子点的有效受限长度和电子-声子耦合强度的关系。数值计算结果表明,量子点中弱耦合和强耦合极化子的内部激发态能量、激发能量和共振频率都随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大。弱耦合极化子的第一内部激发态能量随电子-声子耦合强度的增加而减少;而强耦合极化子的振动频率随量子点的有效受限长度的减小而迅速增加。弱耦合极化子的第一内部激发态能量、激发能量和共振频率随电子-声子耦合强度的增加而减小。  
        关键词：抛物量子点;强、弱耦合;极化子;第一内部激发态能量   
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        更新时间：2020-08-11

      • 声子之间相互作用对量子点中极化子性质的影响

        张鹏, 肖景林
        2007, 28(1): 35-38.
        摘要：研究了抛物量子点中弱耦合极化子的性质。采用线性组合算符和微扰法,导出了抛物量子点中极化子的基态能量。当计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了对量子点中极化子的基态能量的影响。通过数值计算,结果表明,量子点中极化子基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随电子-LO声子的耦合强度的增加而减少。当l0>1.4时,声子之间的相互作用不能忽略。  
        关键词：抛物量子点;极化子;声子间相互作用;基态能量   
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        更新时间：2020-08-11

      • 铽配合物Tb(o-MBA)3phen与PVK掺杂体系的发光机理

        李秀芳, 邓振波, 张元元, 时玉萌, 王瑞芬
        2007, 28(1): 39-43.
        摘要：合成了一种新型的稀土铽配合物材料Tb(o-MBA)3phen,并把它作为发光材料应用于有机电致发光器件中。将铽配合物与PVK的混合溶液用旋涂法制得发光层,并利用Alq3作为电子传输层制备了多种结构的电致发光器件:器件A:ITO/PVK:Tb(o-MBA)3phen/LiF/Al;器件B:ITO/PVK:Tb(o-MBA)3phen/BCP/Alq3/LiF/Al;器件C:ITO/BCP/PVK:Tb(o-MBA)3phen/Alq3/LiF/Al。由器件A和C得到了纯正的、明亮的Tb3+的绿光发射,发射光谱中四个特征峰分别对应着能级5D4→7FJ(J=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制。在光致发光中PVK的发射光谱和铽配合物的激发光谱有一定的重叠,两者之间可能存在Frster能量传递。同时PVK与铽配合物掺杂体系的激发光谱与纯PVK的激发光谱非常相像,而与铽配合物的激发光谱差别很大,这也说明掺杂体系中铽的发光有一部分来源于PVK分子的激发,PVK与铽配合物之间存能量传递过程。研究了掺杂体系的电致发光性能,在电致发光中,铽的发光主要来源于稀土配合物直接俘获载流子形成激子并复合发光。通过优化选择得到了发光性能较好的器件,器件的最大亮度在17V时达到180cd/m2。  
        关键词：稀土配合物;电致发光;激子   
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        更新时间：2020-08-11
      • 张秀菊, 许运华, 史华红
        2007, 28(1): 44-48.
        摘要：利用1-苯基吡唑、吡啶三唑与水合三氯化铱反应合成了一种新型铱配合物Ir(2N)2(PZ),研究了配合物的吸收光谱、光致发光光谱以及光致发光效率。利用该材料作为磷光客体,掺杂到高分子主体材料中制作了电致发光器件,研究了其电致发光光谱。结果表明,该配合物在228,250,328nm处存在自旋允许的1π-π*跃迁;荧光光谱结果显示在470nm处有较强的磷光发射;电致发光光谱与光致发光光谱相比却发生较大程度的红移。  
        关键词：磷光材料;铱配合物;PLED   
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        更新时间：2020-08-11

      • Er掺杂和Er/Yb双掺杂光电陶瓷PLZT的上转换发光

        厉宝增, 郭海, 陈雪生, 蒋华, 郑志强, 明海
        2007, 28(1): 62-66.
        摘要：研究了Er掺杂和Er/Yb双掺杂的锆钛酸铅(PLZT)光电陶瓷的上转换发光特性,观测到Er掺杂的PLZT样品在540,566nm附近的绿色发光峰,且随着掺杂浓度的增大而增强;Er/Yb双掺杂的PLZT样品除540,566nm附近处的绿色发光峰外,还有一个较弱的668nm的红色发光峰。另外,上转换发光强度与激发强度的对数关系曲线表明样品的绿光发射和红光发射皆为双光子过程,并且利用喇曼光谱进一步分析讨论了其上转换发光的机制。实验和理论分析表明该材料有望制成电光调Q的双功能上转换激光器件。  
        关键词：上转换发光;光电陶瓷PLZT;Er离子和Yb离子   
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        更新时间：2020-08-11

      • 铕掺杂类水滑石的发光性质及其选择性红外吸收

        刘建才, 廉世勋, 朱爱玲, 李其华, 刘利民, 曾立华
        2007, 28(1): 67-73.
        摘要：采用共沉淀法水热合成了稀土Eu掺杂的镁铝类水滑石层状化合物(MgAlEuCO3-HTlcs)。探讨了溶液pH值、组分配比、陈化时间和温度对水滑石晶体结构的影响。利用XRD、FT-IR和荧光光谱对样品的组成和性质进行表征。XRD、FT-IR结果表明:当n(M2+):n(M3+)=3,n(Eu3+):[n(Al3+)+n(Eu3+)]=5%~50%,pH=10±0.1条件下进行多种离子共沉淀,并经100℃、12h水热处理后均可得到结晶好、纯度高的镁铝铕类水滑石;MgAlEuCO3-HTlcs保持了水滑石的层状结构,在600~900cm-1、1250~1350cm-1和3420~3480cm-1有红外吸收;荧光光谱测试发现掺杂稀土Eu3+离子的MgAlEuCO3-HTlcs具有Eu3+的5D0→7FJ特征光谱。稀土Eu3+成功地插层组装进入HTlcs层板,MgAlEuCO3-HTlcs化合物是一种具有选择性红外吸收和红色发光性质的双功能材料。  
        关键词：铕;类水滑石;红外吸收;发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • Gd1-xEuxAl3(BO3)4纳米晶的合成及其发光性能

        孟金贤, 姚艳红, 康振晋
        2007, 28(1): 79-82.
        摘要：以高温固相反应法合成了Gd1-xEuxAl3(BO3)4:Eu3+纳米荧光粉。使用XRD分析确定了样品的物相,并根据谢乐公式计算出其微晶的纳米粒度。采用了“粉末悬浮法”以甘油为分散介质,在RF540荧光光度计上测试了纳米晶荧光粉的激发光谱和发射光谱。GdAl3(BO3)4基质本身发光,GdAl3(BO3)4:Eu纳米荧光粉表现了Eu3+的特征发射光谱,其中最强峰为5D0→7F2发射,表明晶体结构中没有对称中心格位。实验表明在GdAl3(BO3)4:Eu纳米晶荧光粉中,存在Gd3+对Eu3+发光的基质敏化作用。  
        关键词：Gd1-xEuxAl3(BO3)4合成;粉末悬浮法;发射光谱;激发光谱;能量传递   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaN半导体中InN量子点的结构性质

        陈珊珊, 郑江海, 李书平, 康俊勇
        2007, 28(1): 88-92.
        摘要：采用第一性原理模拟计算纤锌矿结构GaN半导体中InN量子点的结构性质。建立64和128个原子的超原胞量子点模型,进行结构优化以获得稳定的吻合实际的系统,并模拟分析电子结构。从态密度空间分布图看到不同轴向的量子势阱形状各异、深度不一,说明量子点的限域效应存在着各向异性的特点。c轴极化方向引起量子点结构带边的弯曲形状与传统的量子阱结构不同,使得电子空穴没有发生空间分离,有利于电子空穴的跃迁几率的提高。  
        关键词：量子点;量子限域效应;电子态密度   
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        更新时间：2020-08-11

      • 采用紫外光照法在磷酸盐玻璃中合成CdS/Ag复合微粒

        余凤斌, 陈福义, 介万奇, 王涛
        2007, 28(1): 93-98.
        摘要：掺杂有Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米颗粒(如CdS)或者过渡金属(如Ag)的玻璃由于其较大的非线性光学效应而引起人们的极大兴趣,而同时掺杂有半导体/金属的复合微粒则可以进一步增强玻璃的三阶非线性效应,因此成为目前的研究热点。我们利用玻璃沉淀技术及随后的热处理和紫外光还原技术制备了含高浓度(1%)Ag微粒的玻璃,并采用X射线衍射分析了其物相,用高分辨扫描电镜分析了其形貌,以及测试了其吸收和发光性能。从CdS/Ag复合微粒的扫描照片可以发现晶粒均匀分布在玻璃中,尺寸约为1μm。X射线衍射发现经过热处理和紫外光照的样品衍射峰中含有CdS和Ag,而只进行热处理的样品则只含有CdS,未处理的样品则显非晶态。CdS/Ag复合微粒的吸收峰呈现典型的表面等离子共振峰(420nm)以及CdS的峰(600nm),只含有CdS微粒的样品的吸收峰则在480nm附近,未处理的样品在320nm附近有一个吸收峰,这可能是由于样品在快速冷却过程中的微小晶化造成的。只含有CdS微粒的样品有三个明显的发光峰,然而CdS/Ag复合微粒的发过峰则消失。我们提出了共振能量转移机制来解释该现象。讨论了紫外光照还原Ag微粒的机制。可以认为通过紫外光照,CdS表面的电子被激发出来还原Ag+,从而形成银颗粒,伴随着空穴则被表面缺陷所捕获。  
        关键词：紫外光照;CdS/Ag;光学性能   
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        更新时间：2020-08-11

      • InGaN量子阱的微观特性

        林伟, 李书平, 康俊勇
        2007, 28(1): 99-103.
        摘要：采用VASP程序包模拟计算InGaN量子阱的能带,精细展示了量子阱实空间能带结构。计算结果表明,In原子所在区域出现局域束缚态,导带底与价带顶的简并能级发生分裂,同时量子阱沿垂直结面方向存在分立的能级。此外,针对影响能带的In组分波动、能带弯曲等问题进行探讨,以准确描述其电子行为,从而深入系统地了解InGaN/GaN量子阱的电学光学等特性。  
        关键词：InGaN;量子阱;VASP;能带结构   
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        更新时间：2020-08-11

      • 近红外波段InAs量子点结构与光学特性

        贾国治, 姚江宏, 舒永春, 王占国
        2007, 28(1): 104-108.
        摘要：采用分子束外延技术,分别在480,520℃的生长温度下,制备了淀积厚度2.7ML的InAs/GaAs量子点。用原子力显微镜对样品进行形貌测试和统计分布。结果表明,在相应的生长温度下,量子点密度分别为8.0×1010,5.0×109cm-2,提高生长温度有利于获得大尺寸的量子点,并且量子点按高度呈双模分布。结合光致发光谱的分析,在480℃的生长条件下,最近邻量子点之间的合并导致了量子点尺寸的双模分布;而在525℃的生长温度下,In偏析和InAs解析是形成双模分布的主要原因。  
        关键词：量子点;分子束外延;光致发光;原子力显微镜   
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        更新时间：2020-08-11

      • 自组织量子点光致荧光的温度依赖性

        邓浩亮, 姚江宏
        2007, 28(1): 109-113.
        摘要：自组织量子点光致荧光的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子点光电器件有着非常重要的意义。而量子点中的载流子动力学过程将决定其光致荧光的温度依赖性。采用稳态速率方程模型模拟了自组织量子点中载流子动力学过程,并且考虑了量子点材料带隙随温度的变化;模拟了不同温度下自组织量子点的光致荧光光谱,并获得了光谱的积分强度、峰值能量及半峰全宽随温度的变化曲线。研究表明:模拟结果与已报道的实验数据符合得很好。由此可知,所采用的模型能够很好地反映自组织量子点中的载流子动力学过程。  
        关键词：自组织量子点;光致荧光;热逃逸;再俘获   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化

        潘华璞, 黄利伟, 李睿, 林亮, 陈志忠, 张国义, 胡晓东
        2007, 28(1): 114-120.
        摘要：针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了定量评价其特性的参数和标准。通过用有限元方法计算LED中电流的三维空间分布,对不同的电极结构进行了定量的比较,给出了优化的电极结构。计算结果显示,在相同工艺参数下,采用插指型电极结构的LED与采用传统型电极结构和扩展正极型电极结构的LED相比,电流扩展更均匀,串联电阻更小。在此基础上,对插指型电极结构作了进一步的参数优化,得出了使LED的串联电阻取最小值时的插指型电极的结构参数。根据优化得到的参数制作了相应的LED样品,并与采用扩展正极型电极结构的LED做了对比实验。实验结果表明,计算得出的结果与实验结果符合得很好。采用了优化后的插指型电极结构的LED与采用扩展正极型电极结构的LED相比,前者的串联电阻仅为后者的44.4%。  
        关键词：GaN基LED;电流扩展;串联电阻;有限元方法;电极结构   
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        更新时间：2020-08-11

      • 非晶碳化硅材料与光学微腔的制备与发光

        陈德媛, 钱波, 徐骏, 梅嘉欣, 陈三, 李伟, 黄信凡, 陈坤基
        2007, 28(1): 121-125.
        摘要：利用等离子体化学气相沉积技术在100℃的衬底温度下,制备了具有不同组分比的系列非晶碳化硅薄膜。结合傅里叶变换红外光谱与喇曼光谱对所制备的薄膜微结构进行了表征与分析,同时,对具有不同组分比的非晶碳化硅薄膜室温光致发光性质进行了系统的研究。结果表明在Ar+离子激光和Xe灯紫外光的激发下,不同组分的样品显示出不同的光致发光特性,并对样品的发光特性与其微结构的联系进行了讨论。在此基础上,用碳化硅薄膜设计和制备了全固体光学微腔,研究了微腔对碳化硅发光行为的调制作用。  
        关键词：非晶碳化硅;光致发光;微结构;光学微腔   
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        更新时间：2020-08-11

      • 溶胶-凝胶法制备有机/无机复合荧光粉及其发光性能

        张睿君, 闫卫平, 马灵芝
        2007, 28(1): 126-130.
        摘要：以正硅酸乙酯(TEOS)和有机荧光染料(Calcein等)为原料,采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备了有机/无机复合荧光粉。探讨了有机染料的掺杂浓度、反应体系pH值、H2O与TEOS的比值等控制参数对反应时间和材料性能的影响。利用XRD、TEM、PL光谱分析手段对纳米复合荧光粉的结构、粒度、形貌、光谱进行了表征。结果表明:制备的粉体在纳米尺寸范围内是透明的;材料的发射光谱为宽带,激发峰值波长为450nm,发射波长为520nm;峰值波长的位置不随掺杂浓度的变化而改变,但光谱强度会发生相应的变化;最佳掺杂浓度为5×10-4mol/L。  
        关键词：光致发光;溶胶-凝胶法;有机/无机复合荧光粉   
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        更新时间：2020-08-11

      • 少子寿命和表面形貌与多孔硅发光性能的关系

        赵岳, 赵杰, 李东升, 桑文斌, 杨德仁, 蒋民华
        2007, 28(1): 131-134.
        摘要：研究了不同时间腐蚀的多孔硅的光致发光性能与多孔硅的表面形貌和少子寿命之间的关系。结果表明,多孔硅的发光来自与氧空位有关的缺陷,而多孔硅表面的氢原子能够钝化多孔硅表面的非辐射中心从而提高多孔硅的发光效率。多孔硅的空隙度随腐蚀时间的延长而增大,这也导致了多孔硅的少子寿命的降低,从而造成多孔硅的光致发光效率随多孔硅空隙度的增大以及少子寿命的降低而提高。另外,原子力显微照片表明长时间的腐蚀使多孔硅表面层被化学腐蚀,从而降低了多孔硅表面的粗糙度。  
        关键词：多孔硅;少子寿命;表面形貌;光致发光性能   
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        更新时间：2020-08-11

        材料合成及性能

      • ACEL ZnS：Cu发光体内的Cu+迁移与发光的老化

        周连祥
        2007, 28(1): 49-52.
        摘要：众所周知,Cu对ZnS粉末ACEL是不可或缺和不可替代的。因此维持Cu和它的存在形式在ZnS晶粒中的稳定对ACEL的老化致关重要。Cu+在ZnS中具有很高的热扩散率,500℃时热扩散系数已达10-9cm2/s,是各种杂质中热扩散最强的杂质。900℃时几分钟内即可使7~10μm的ZnS晶粒完全激活。CuxS具有很强的离子导电特性,在电场作用下表现出很强的Cu+迁移特性。由于CuxS具有很高的电导率,可视为导体,因此在外电场中ZnS晶粒内的CuxS导电线处于等电位状态。与CuxS导电线电位不同的所有等位面不能与CuxS相交叉而发生扭曲。由于电流的流动方向必须与等位面垂直,所以导致流过ZnS晶粒的大部分电流被汇集到CuxS导线上,并且在导电线上的电流密度分布呈两端弱、中间强的状态。因此在电场作用下CuxS导电线及其周边可能达到很高温度。如上所述,Cu+迁移是必然的,以此可以很好地解释Fischer所观察到的发光线对的老化现象。  
        关键词：发光;ZnS荧光粉;Cu+迁移;老化   
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        更新时间：2020-08-11

      • M2SiO4：Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)的发光性能

        何大伟, 刘红利, 卢鹏志, 李鑫
        2007, 28(1): 53-56.
        摘要：合成了系列M2SiO4:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)样品,研究了样品在真空紫外区域的激发光谱和发射光谱。从激发谱可以看出:M2SiO4:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)在147,172nm有很强的吸收带。用Mg,Ca完全取代Ba2SiO4:Tb3+中的Ba,相对应的晶体的晶格参数逐渐增大,晶场的能量逐渐减少,其激发光谱随着碱土离子半径的增加向长波方向移动。在172nm真空紫外光激发下,观察到M2SiO4:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Tb3+和M2SiO4:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)特征发射;在真空紫外激发下,随着M2SiO4:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)中Ce3+含量的增加,M2SiO4:Re的特征发射明显减弱,并分析讨论了相关发光现象的成因。  
        关键词：稀土;真空紫外;磷光体   
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        更新时间：2020-08-11

      • 白光LED用红色荧光粉Gd2Mo3O9：Eu3+的制备及表征

        张国有, 赵晓霞, 孟庆裕, 王晓君
        2007, 28(1): 57-61.
        摘要：利用Na2CO3作为助熔剂,采用高温固相反应方法制备了三价铕离子激活的Gd2Mo3O9红色荧光粉。利用XRD和荧光光谱,研究了助熔剂的量、制备时的温度以及激活剂Eu3+的浓度对荧光粉的晶体结构和发光性能的影响。测试结果表明,这种新型的荧光粉可以被紫外光280nm,近紫外光395nm和蓝光465nm有效激发,发射主峰位于613nm,并且证明Eu3+离子在晶体结构中占据了非反演对称中心的位置。395,465nm的吸收与目前广泛应用的紫外和蓝光LED芯片的输出波长相匹配。因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料。  
        关键词：Gd2Mo3O9：Eu;红色荧光粉;白光LED;Na2CO3助熔剂   
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        更新时间：2020-08-11

      • Zn,Cd对CaTiO3：Pr3+的发光性质的影响

        沈雷军, 赵增祺, 韩莉, 周永勃, 万作波, 张国斌, 张丹红
        2007, 28(1): 74-78.
        摘要：采用高温固相反应合成CaTiO3:Pr3+、Zn2TiO4、Ca0.7Zn0.3-xCdxTiO3:Pr3+(x=0.01,0.03,0.05,0.07,0.09,0.1)红色系列粉末状发光材料。经X射线衍射检测其结构,CaTiO3结构为正交晶系,其结果与JCPDS标准卡(42-423)相符。Zn2TiO4结构属立方晶系,结果与JCPDS标准卡(25-1164)一致。Ca0.7Zn0.3-xCdxTiO3:Pr3+(x=0.01,0.03,0.05,0.07,0.09,0.1)由两种物相组成,一种为CaTiO3,另一种为Zn2TiO4。检测了材料的激发光谱和发射光谱。发现,在CaTiO3:Pr3+中加入适量Zn可形成Zn2TiO4相,使材料的激发光谱在324nm附近的吸收增强。少量Cd可进入Zn2TiO4晶格,增强激发光谱在324nm附近的吸收,同时提高发射光谱的强度;但过量的Cd的加入会导致发射光谱强度下降。  
        关键词：钛酸钙;Cd;发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • BaSi2O5：Pb荧光粉表面性能的改善

        杨庆华, 李李泉, 王海波
        2007, 28(1): 83-87.
        摘要：BaSi2O5:Pb(BSP)荧光粉现主要应用于晒黑灯,也常用于其他一些特殊用途的荧光灯,如捕蝇、光催化等。相比其他灯用荧光粉来说,这种荧光粉有一明显缺点,即光衰较大。目前解决这个问题的办法主要通过化学气相沉积法在BSP粉表面包覆Al2O3膜,提出了一种基于液相的表面处理方法,且在较高pH值下进行,该方法通过将荧光粉加入Ba2+离子溶液,使得溶液中Ba2+离子在粉表面富集,再经过滤、灼烧等后处理,得到处理后的BSP粉。以SEM,XPS等方法对其表面形貌和组分进行测试,并以未处理的BSP粉作对照进行发光性能测试,结果表明:阳离子溶液处理后荧光粉在发光性能上有了明显改善,光通维持率明显提高。  
        关键词：荧光粉;表面处理;光衰   
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        更新时间：2020-08-11
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