GaN半导体中InN量子点的结构性质

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GaN半导体中InN量子点的结构性质

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- GaN半导体中InN量子点的结构性质
- Structure Properties of InN Quantum Dots in GaN Semiconductor
- 发光学报 2007年28卷第1期页码：88-92
- 作者机构：
  
  厦门大学, 物理系/半导体光子学研究中心
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家“973”计划(001CB610505)();国家“863”计划(2006AA03A110)();国家基础研究计划(001CB610505)();国家自然科学基金(
- DOI：
  中图分类号： O471.5
- 收稿：2004-08-05，
  
  修回：2006-10-15，
  
  纸质出版：2007-01-20
- 稿件说明：
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陈珊珊, 郑江海, 李书平, 康俊勇. GaN半导体中InN量子点的结构性质[J]. 发光学报, 2007,28(1): 88-92

CHEN Shan-shan, ZHENG Jiang-hai, LI Shu-ping, KANG Jun-yong. Structure Properties of InN Quantum Dots in GaN Semiconductor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(1): 88-92
陈珊珊, 郑江海, 李书平, 康俊勇. GaN半导体中InN量子点的结构性质[J]. 发光学报, 2007,28(1): 88-92 DOI：

CHEN Shan-shan, ZHENG Jiang-hai, LI Shu-ping, KANG Jun-yong. Structure Properties of InN Quantum Dots in GaN Semiconductor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(1): 88-92 DOI：

采用第一性原理模拟计算纤锌矿结构GaN半导体中InN量子点的结构性质。建立64和128个原子的超原胞量子点模型

进行结构优化以获得稳定的吻合实际的系统

并模拟分析电子结构。从态密度空间分布图看到不同轴向的量子势阱形状各异、深度不一

说明量子点的限域效应存在着各向异性的特点。

轴极化方向引起量子点结构带边的弯曲形状与传统的量子阱结构不同

使得电子空穴没有发生空间分离

有利于电子空穴的跃迁几率的提高。

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