最新刊期
      2006年第27卷第5期

        研究论文

      • 极性晶体量子点中强耦合激子的内部激发态

        李志新, 张颖, 王鸿雁, 肖景林
        2006, 27(5): 641-645.
        摘要：在有效质量近似下,采用线性组合算符和幺正变换方法研究了极性晶体量子点中强耦合激子的内部激发态性质,导出了极性晶体量子点中强耦合激子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能量随量子点半径的变化关系。对TlCl晶体进行数值计算,结果表明,量子点中强耦合激子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能量随量子点半径的减小而增大。  
        关键词：强耦合;激子;内部激发态;线性组合算符   
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        更新时间：2020-08-11

      • P schl-Teller势阱中线性与非线性光学折射率变化

        谭鹏, 路洪
        2006, 27(5): 646-650.
        摘要：利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了P schl-Teller势阱中的线性与三阶非线性光学折射率的解析表达式。P schl-Teller势阱中有两个可调参数κ和λ,势阱的形状及其非对称性会随势阱参数的取值不同而明显不同,从而其线性与非线性光学折射率变化的大小也会随势阱参数和入射光强的变化而呈规律性的变化。文章以典型的GaAs/AlGaAs势阱为例作了数值计算,数值计算结果表明,势阱的形状和入射光强对光学折射率有着重要的影响。  
        关键词：P schl-Teller势阱;折射率;密度矩阵近似   
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        更新时间：2020-08-11

      • 声子色散对量子点中磁极化子性质的影响:压缩态变分法

        李伟萍, 肖景林
        2006, 27(5): 651-655.
        摘要：采用基于逐次正则变换的变分方法研究了利用单模压缩态变换处理双线性项的情况下声子色散对抛物量子点中磁极化子性质的影响。首先,应用位移振子形式的幺正变换来对角化相关的哈密顿量,然后采用压缩态变换来处理在第一次幺正变换中产生的双线性项。计算了在声子色散影响下磁极化子的基态能量及电子周围平均声子数。讨论了在弱耦合情况下,受限长度、回旋频率、电子-声子耦合常数、色散系数分别与基态能量和平均声子数之间的依赖关系。我们可以得到基态能量随受限长度的减小和回旋频率的增加而迅速增大,随着色散系数的增大而降低,平均声子数随着色散系数的增大而减小。  
        关键词：压缩态;量子点;声子色散;磁极化子   
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        更新时间：2020-08-11

      • 正切平方势单量子阱的本征值和本征函数

        胡西多, 邵明珠, 罗诗裕
        2006, 27(5): 656-660.
        摘要：鉴于“方形”势阱描述量子阱中的电子运动行为过于简单、过于理想,引入了正切平方势来代替,使结果得到了改善。在量子力学框架内,利用正切平方势把电子的Schrdinger方程化为超几何方程,利用系统参数和超几何函数严格地求解了电子的本征值和本征函数,并以Ga1-xAlxAs-GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的能级和能级之间的跃迁。结果表明,电子在量子阱中的能量是量子化的,而相邻能级之间的跃迁给出与实验进一步符合的结果。  
        关键词：超晶格;量子阱;超几何方程;单粒子能级;本征值;本征函数   
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        更新时间：2020-08-11

      • 量子点中束缚极化子性质的温度依赖性

        尹辑文, 于毅夫, 肖景林
        2006, 27(5): 661-664.
        摘要：采用线性组合算符和幺正变换方法研究抛物量子点中弱耦合束缚极化子性质的温度依赖性,导出了弱耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的变化关系。取ZnS晶体为例进行数值计算,结果表明:量子点中弱耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的升高而增大。  
        关键词：量子点;束缚极化子;温度效应;库仑势   
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        更新时间：2020-08-11

      • 库仑场对抛物量子点中强耦合极化子性质的影响

        陈英杰, 肖景林
        2006, 27(5): 665-669.
        摘要：采用线性组合算符和幺正变换方法研究了在库仑场束缚下抛物量子点中强耦合束缚极化子的振动频率和基态能量。并对其进行了数值计算,结果表明:强耦合束缚极化子的振动频率和基态能量随量子点的有效受限长度的增加而减小,随电子-LO声子耦合强度的增加而增加,束缚极化子的基态能量随库仑势的增加而减小。  
        关键词：抛物量子点;强耦合;束缚极化子   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纯化9,10-二萘蒽对OLED器件光电性能的影响

        李瑛, 王文根, 邵明, 王秀如, 汤昊, 孙润光
        2006, 27(5): 670-674.
        摘要：合成了高稳定性蓝光主体材料9,10-二萘蒽(ADN),研究材料纯化对合成材料光电性能的影响。为进一步分析材料经升华提纯对有机电致发光器件性能的影响,以提纯前后ADN为发光层,以NPB为空穴传输层,分别制作双层器件Ⅰ(提纯前)和器件Ⅱ(提纯后),器件结构为ITO(100nm)/NPB(40nm)/ADN(30nm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),结果表明提纯后材料PL(Photolum inescence)光谱蓝移了2nm,半峰全宽54.2nm,与提纯前一致;杂质影响载流子注入效率和迁移率,对器件光电性能有显著影响,纯化前后器件最大电流效率由1.5cd/A上升至2.5cd/A;器件Ⅱ色纯度有较大提高,CIE色坐标由器件Ⅰ(0.15,0.10)移至(0.15,0.06)。实验结果表明材料提纯是优化器件性能的有效手段之一。  
        关键词：9;10-二萘蒽合成;提纯;色坐标;光电性能   
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        更新时间：2020-08-11

      • CBP/Alq3有机量子阱结构的光致发光

        宋淑芳, 赵德威, 徐征, 徐叙瑢
        2006, 27(5): 675-678.
        摘要：采用多源有机分子气相沉积系统(OMBD)制备了CBP/Alq3有机多量子阱结构,利用电化学循环伏安特性和吸收光谱、小角X射线衍射、荧光光谱研究了量子阱的能带、结构和光致发光的特性。电化学循环伏安特性和吸收光谱的测量结果表明,CBP的最低占据分子轨道(LUMO)与最高占据分子轨道(HOMO)的位置分别为-2.74,-6.00eV,Alq3的LUMO与HOMO的位置分别为-3.10,-5.80eV,所以CBP/Alq3有机量子阱为Ⅰ型量子阱结构。小角X衍射测量显示,在小角的位置(2θ的范围在0°～3°)观察到了对应于量子阱结构的多级布拉格衍射峰,表明多层量子阱结构是有序的层状结构,界面比较完整,界面质量比较好。荧光光谱的研究结果表明,Ⅰ型量子阱结构可以有效地把能量从垒层传递给阱层,从而增强了阱层材料的发光。阱层的厚度对发光峰的位置影响很大,随阱层厚度减小,阱层材料的发光峰出现蓝移现象。并对引起发光峰蓝移的原因进行了讨论。  
        关键词：有机量子阱;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 有机吡啶盐的电致发光

        徐春祥, 徐洪光, 孟瑞平, 冯雪元, 张家雨, 崔一平
        2006, 27(5): 679-683.
        摘要：有机盐是一种离子化合物,其分子间依靠比范德瓦尔斯力大得多的离子键结合,这有利于器件稳定性的提高。主要研究一种以新型有机吡啶盐ASPT(trans-4-[P-(N-ethyl-N-(hydroxylethyl)-amino)styryl]-N-methylpyridinium tetraphenyl-borate)作发光层的有机电致发光特性。实验发现有机盐ASPT是一种性能较好的红光发射材料。利用ASPT作发光层的单层电致发光器件,可获得稳定的红色电致发光。通过对外场界面势垒影响分析,我们讨论了这种单层器件的发光机理。为了探索ASPT中载流子传输与复合过程,并提高器件性能,设计了ASPT/Alq3双层和TPD/ASPT/Alq3三层结构的器件,进一步研究了它们的光电特性。实验结果表明,利用双层器件可获得亮度较高的红色发光。而在三层器件中,由于不同功能层的载流子传输特性的差别,激发复合区域受到驱动电压的显著影响,因此电致发光光谱随电压的变化而变化。通过对光谱结构、能级位置的分析,讨论了相关的发光机理。  
        关键词：有机盐;红光;光谱变化   
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        更新时间：2020-08-11

      • PBD分子对聚合物发光二极管特性的影响

        董海星, 彭俊彪
        2006, 27(5): 684-688.
        摘要：研究了由聚合物发光材料poly(2-methoxy,5-(2-ethy lhexyloxy)-1,4-phenyleneviny lene)(MEH-PPV)掺杂2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)制成的发光层厚度为80,170nm的高分子发光器件(PLEDs)。研究了PBD不同掺杂浓度时器件的电流密度-电压(J-V)和亮度-效率-电压(L-E-V)特性,发现PBD除传输电子外,还阻挡空穴的注入和传输。研究发现,PBD的最优掺杂浓度为20%,掺入PBD后MEH-PPV的EL光谱红移且发生窄化,当PBD掺杂浓度为40%时MEH-PPV的EL光谱窄化最明显,EL光谱半峰全宽从100nm减小到44nm。  
        关键词：聚合物发光二极管;PBD;阻挡空穴   
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        更新时间：2020-08-11

      • 掺杂型红色有机电致发光显示器件

        李新贝, 张方辉, 张麦丽
        2006, 27(5): 689-694.
        摘要：全色显示是有机电致发光显示(OLED)器件发展的目标,而高性能红色发光器件一直是制约全彩色OLED器件实用化的瓶颈,也是目前有机电致发光显示研究的热点。制作了掺杂DCJTB和不同浓度的rubrene两种荧光染料的红色有机电致发光显示器件,以NPB和Alq3分别作为空穴传输层和电子传输层,发现器件性能与只掺杂DCJTB的器件相比有明显提高,发光效率提高到2～3倍。通过Frster理论和能带理论分析了器件的能量转移机理,研究发现Frster能量转移不是掺杂器件能量转移的主要形式,载流子俘获机制才是器件效率提高的主要原因;rubrene的引入使得能量能够更有效地从Alq3转移到DCJTB,从而显著地提高了器件的发光效率和性能。  
        关键词：有机电致发光;能量转移;Frster理论;载流子俘获   
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        更新时间：2020-08-11

      • 新型双色有机电致磷光器件

        王秀如, 吴有智, 陈昊瑜, 朱文清, 蒋雪茵, 张志林, 孙润光, 丁国华, 田禾
        2006, 27(5): 695-699.
        摘要：所研究的有机电致磷光发光器件(OLED)选用了一种新型金属铱的化合物Ir(C6)2(acac),这种金属化合物由配位体香豆素C6和乙酰丙酮(acac)与金属铱化合形成。Ir(C6)2(acac)可同时作为电子传输材料和发光掺杂剂。比较香豆素C6和Ir(C6)2(acac)固体材料的光致发光谱,可见Ir(C6)2(acac)明显抑制了有机电致发光材料分子与分子之间的发光猝灭效应。采用ITO/TPD(N,N′-diphenyl-N,N′-bis(3-methyl-phenyl)-1,1′biphenyl-4,4′diamine)/Ir(C6)2(acac)/BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1′-biphenyl-4-olato)aluminum)/Alq3aluminum/Liq(8-hydroxyquinolinelithium)/Al结构,可得到CIE(Commission Interationaled′Eclairage)值为x=0.43;y=0.40的橙红色发光器件,最高亮度可达3390cd/m2,最大电流效率为1.3cd/A。采用同样的器件结构以Ir(C6)2(acac)掺杂Alq3主体得到绿色发光器件,发光色的CIE坐标值为x=0.29;y=0.58,最高亮度可达8832cd/m2,最大电流效率为5.6cd/A。器件的发光机理研究表明Ir(C6)2(acac)的非掺杂器件发光以Ir(C6)2(acac)的三线态磷光为主,器件发光为橙色;在Alq3中的单掺杂器件以Alq3和Ir(C6)2(acac)的荧光为主,同时有小比例Ir(C6)2(acac)的三线态磷光成分存在,器件总体发光为绿色。  
        关键词：有机电致磷光;有机电致发光二极管(OLED)   
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        更新时间：2020-08-11

      • 芴-alt-咔唑类电磷光共聚物的发光性能

        阎敬爱, 甄红宇, 陈奇良, 孙文彬, 蒋昌云, 蒋加兴, 杨伟
        2006, 27(5): 700-704.
        摘要：用共聚合方法将金属配合物引入共轭大分子链,使配合物之间的相互作用减少,有利于磷光体的均匀分散,增加在聚合物基体中的稳定性。将配合物引入共轭聚合物主链,在发光过程中主体链段既能将能量传递到客体,同时和配合物相邻的主体单元又能与配合物形成新的配体结构。共聚单元与配合物配体连接点的位置和键角的不同,影响聚合物的发光波长和发光效率。本文利用苯基异喹啉苯环上间位的溴将二(苯基异喹啉)乙酰丙酮合铱,通过Suzuki缩聚反应引入芴-咔唑交替共聚物主链,得到一种新型电磷光红光聚合物。聚合物器件的EL光谱发光波长为623nm,最大外量子效率为2.8%。  
        关键词：电致磷光;铱配合物;芴-咔唑交替共聚物   
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        更新时间：2020-08-11
      • 路飞平, 彭应全, 邢宏伟
        2006, 27(5): 705-710.
        摘要：温度是影响有机发光器件特性的一个重要因素,考虑了电流的注入限制和体限制之后,运用数值方法,研究了在低电场下温度对单层有机发光器件的J-V特性以及电场和载流子在有机层中的分布的影响。结果表明,在一定电压下,温度升高时,器件电流增大,有机层中载流子及其梯度分布增大,电场强度分布梯度也增大。并且当温度逐渐升高时,器件的电流传导将趋向于体限制,而当温度逐渐降低时,器件电流传导将趋向于注入限制,此时有机层内各处电场强度趋于均匀。并且结果表明,数值结果与实验结果符合得比较好。  
        关键词：温度;低场;单层器件;数值研究   
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        更新时间：2020-08-11

      • 含铱配合物的聚对苯类电磷光聚合物

        刘真勤, 蒋加兴, 陈钊, 管榕, 孙文彬, 甄红宇, 杨伟
        2006, 27(5): 711-714.
        摘要：通过Suzuki聚合法合成了以聚对苯为主链的含铱配合物的电磷光共轭聚合物。部分苯环单元被β-二酮结尾的烷氧基链取代,进而与2-苯基吡啶配位形成悬垂的铱配合物侧链。宽带隙的聚对苯主链使主体与客体的能级匹配,从而有利于能量的转移。铱配合物通过长β-二酮结尾的烷氧基链悬挂在聚对苯的侧链上提高了聚合物的溶解性,有利于器件的制作。另外,由于连在氧原子上的β-二酮具有较大的旋转自由度,增大了β-二酮的反应活性有利于配位反应的进行。聚合物的EL光谱只显示客体铱配合物的发射,主体的发射已被完全猝灭。这表明聚合物主体和铱配合物客体之间发生了有效的能量转移。PPPIrPPy2聚合物发光器件的EL光谱发光波长为525nm,最大外量子效率为2.6%。  
        关键词：聚对苯;铱配合物;电致磷光   
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        更新时间：2020-08-11
      • 朱飞剑, 华玉林, 李立强, 印寿根, 邓家春, 吴空物, 牛霞, 吴晓明
        2006, 27(5): 715-718.
        摘要：利用吩噻嗪单体的空穴传输能力、吩噻嗪衍生物单体的拉电子特性和它们分子结构的非共面性,制备了高效的含吩噻嗪及其衍生物结构单元的对苯撑乙烯聚合物有机电致发光材料P1。同时在单体中引入了烷氧基和长链烷基,使得合成的聚合物在四氢呋喃、氯仿、二氯甲烷、甲苯等溶剂中有较好的溶解性。研究吩噻嗪衍生物单体的拉电子特性对聚合物P1的电子传输性能的影响,合成不含吩噻嗪衍生物的同一类型聚合物P2。制备以聚合物P1和P2为发光层的单层OLED器件,经测量,聚合物P1的器件外量子效率是聚合物P2器件的3.5倍。  
        关键词：PLED;吩噻嗪;电子传输   
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        更新时间：2020-08-11

      • PVK空穴传输层对有机电致发光器件性能的影响

        黎威志, 阳秀, 季兴桥, 钟志有, 蒋亚东
        2006, 27(5): 719-723.
        摘要：以聚乙烯基咔唑poly(N-vinylcarbazole)(PVK)旋涂层为空穴传输层,着重研究了PVK层厚度对双层器件氧化铟锡(ITO)/PVK/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)/Mg:Ag/Al器件性能的影响。测试结果表明,当Alq3层厚度一定时(50nm),只有PVK层为适当厚度(18nm)时双层器件才有最优良的器件性能,即最低的起亮电压,最高的发光亮度和效率。同时对比了不同PVK层厚度的PVK/Alq3双层器件之间以及PVK/Alq3与N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)/Alq3双层器件寿命的差异。测试结果表明,尽管越厚的PVK层对应的PVK/Alq3双层器件发光性能并不是越好,但器件寿命越长。原因是器件Alq3层内形成的Alq3+越少,因此器件稳定性越好;而PVK/Alq3与NPB/Alq3双层器件寿命的差异来自不同空穴传输层的制备工艺和能级结构的不同。  
        关键词：有机电致发光器件;聚乙烯基咔唑;空穴传输层;器件性能   
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        更新时间：2020-08-11

      • Eu3+掺杂的α-Gd2(MoO4)3荧光粉合成与表征

        张国有, 赵晓霞, 孟庆裕, 王晓君
        2006, 27(5): 724-728.
        摘要：采用固相反应法合成了Eu3+掺杂的α-Gd2(MoO4)3荧光粉。通过XRD、SEM以及激发和发射光谱对样品进行了研究,结果发现助熔剂为3%时样品的结晶较好,样品的发光强度最强,并且样品粉末不团聚。光谱测量的结果表明该荧光粉与其他商品荧光粉不同,其最有效的激发波长不在电荷迁移带范围,其f-f跃迁的465,395nm吸收更强,这就意味着该类荧光粉可作为目前已商品化的白光LED的红色补偿荧光粉,也可作为近紫外LED和三基色荧光粉组合型白光器件的红色荧光粉的候选材料。  
        关键词：Gd2(MoO4)3;白光LED;荧光粉   
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        更新时间：2020-08-11

      • Lu2Si2O7:Ce晶体的闪烁性能

        李焕英, 秦来顺, 姚冬敏, 陆晟, 任国浩
        2006, 27(5): 729-734.
        摘要：用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7:Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5:Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8～34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。  
        关键词：闪烁性能;LPS:Ce晶体;透射光谱;衰减特性   
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        更新时间：2020-08-11

      • 铕取代的锆硼钨多金属氧酸盐的制备和发光特性

        马冬云, 吕树臣, 郝铁峰
        2006, 27(5): 735-740.
        摘要：制备了高发射效率的稀土多金属氧酸盐BPOM:Eu及ZrPOM:Eu荧光体,并对其结构及发光性质进行了研究。结果表明样品具有Keggin结构,Eu在两类样品中均有肉眼可见的在红光区的强发射。但在BPOM:Eu中以5D0→7F1磁偶极跃迁发射为主,在ZrPOM:Eu中以5D0→7F2电偶极跃迁发射为主。铕在ZrPOM:Eu中的对称性低于在BPOM:Eu中的对称性。这种差异也使铕离子的激发光谱具有不同的特征。铕在两种多金属氧酸盐中均有浓度猝灭,在BPOM:Eu中浓度为2.0%时发射强度最大;在ZrPOM:Eu中浓度为2.4%时发射强度最大。在ZrPOM:Eu中有较弱的配体到中心铕离子的能量传递,而在BPOM:Eu中却未观测到能量传递现象。  
        关键词：Keggin结构;多金属氧酸盐;光致发光;稀土掺杂   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Zn,Pb蓝粉在低压阴极射线激发下的应用

        邹开顺, 李岚, 张海明, 刘桂芬, 高贵, 张晓松, 林久令
        2006, 27(5): 741-744.
        摘要：通过对ZnS:Zn,Pb蓝色荧光粉进行表面包覆SiO2以改善其稳定性;In2O3材料的适量混合,提高了荧光粉的导电性,降低了它的起辉电压。采用沉淀法制备荧光屏,考察了阳极电压和阳极电流对亮度以及衰减过程的影响,实验结果表明ZnS:Zn,Pb的性能优于ZnS:Ag,Cl和ZnS:Zn,可适用于FED等低压显示器。  
        关键词：ZnS:Zn;Pb;阴极射线;阳极电压;阳极电流   
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        更新时间：2020-08-11

      • 助熔剂BaF2在制备BaSi2O5:Pb2+过程中的机理

        唐永波, 杨庆华, 黄如喜, 朱宪忠, 王海波
        2006, 27(5): 745-749.
        摘要：采用高温固相合成法制备出BaSi2O5:Pb2+荧光体。考察了BaF2的加入量对产物紫外发射强度的影响。用差示扫描量热分析,X射线衍射,光致发光光谱研究了掺入助熔剂BaF2后BaSi2O5:Pb2+紫外发射强度显著增强的机理,并从热力学角度对实验结果作了分析。研究表明少量BaF2的掺入加快了反应速度;降低了BaSi2O5:Pb2+形成温度,在高温下与SiO2反应生成SiF4气体,生成的SiF4再与BaCO3反应形成结晶良好的BaSi2O5:Pb2+荧光体。  
        关键词：重硅酸钡;助熔剂;机理;热力学分析   
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        更新时间：2020-08-11

      • 硅酸锌的电子结构

        张华, 冯夏, 康俊勇
        2006, 27(5): 750-754.
        摘要：采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图显示,主要电子态分布在-7.18～0.00eV和2.79～10.50eV两个能量区域;同时,不同元素电子对导带和价带有不同贡献,其中氧的p态电子对价带顶贡献最大,锌的s态电子对导带底贡献最大。能带计算表明,四方与六角结构硅酸锌均为直接带隙半导体,禁带宽度分别为2.66,2.89eV。  
        关键词：硅酸锌;电子态密度;能带结构   
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        更新时间：2020-08-11
      • 石明吉, 李清山, 张宁, 赵波, 李修善
        2006, 27(5): 755-760.
        摘要：ZnO是一种性质优良很有前途的紫外光电子器件材料,多孔铝是一种良好的模板型衬底,试图将二者结合起来以制备出一种全新的光电功能材料。制备了三种不同孔径多孔铝衬底,采用脉冲激光沉积法,在真空背景下,在多孔铝衬底上生长了氧化锌薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射和光致荧光对样品进行了测试和分析。研究表明:利用不同孔径的多孔铝衬底生长的氧化锌薄膜的结构和光学性质差异很大。样品A的光致发光主要是394nm的紫外发射和498nm的蓝绿光发射;样品B的光致发光主要是417nm的紫光发射和466nm蓝光发射;样品C的光致发光主要是415nm的紫光发射和495nm的蓝绿光发射。由于薄膜是富锌的,随着在空气中氧化的进行,光谱发生变化。利用固体能带理论对光谱进行了全面的分析。  
        关键词：多孔铝;ZnO薄膜;光致发光;颗粒尺寸;量子限制效应   
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        更新时间：2020-08-11

      • MgxZn1-xO结构性质

        陈晓航, 康俊勇
        2006, 27(5): 761-765.
        摘要：采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。  
        关键词：MgZnO半导体;晶格结构;第一性原理计算   
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        更新时间：2020-08-11

      • 高分子软模板法自组装生长ZnO纳米线及其光学性能

        贺英, 王均安, 桑文斌, 支华军, 雷芝红, 高利聪
        2006, 27(5): 766-772.
        摘要：采用自组装技术,利用均聚极性高分子(聚丙烯酰胺、聚乙烯醇等)长分子链作为自组装模板在半导体硅衬底上自组装生长出ZnO纳米线。采用扫描电镜(FE-SEM)和透射电镜(HRTEM)对样品的表面形貌和结构分析表征的结果表明,ZnO纳米线直径约50~80nm、长度大于4μm,具有六方纤锌矿单晶结构,且沿c轴方向择优取向生长。采用室温下光致发光(PL)谱和紫外吸收(UV)光谱对制得的ZnO纳米线的光学性能研究表明,其PL光谱上有较强的紫外发射和较弱的蓝光发射,UV吸收光谱表明样品在紫外区有强的宽带吸收,且随着纳米线粒径的减小,吸收峰出现了蓝移现象。研究探讨了高分子诱导ZnO纳米线自组装定向生长机制、发光机理及其与工艺条件的内在联系。  
        关键词：氧化锌纳米线;自组装;高分子软模板;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 基于SSCVD方法的a-b轴取向ZnO薄膜制备

        陈根, 汤采凡, 戴丽萍, 邓宏
        2006, 27(5): 773-776.
        摘要：以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为单一固相有机源,采用单源化学气相沉积法(Single sour cechem icalvapor deposition,SSCVD)在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)分析ZnO薄膜样品的晶体结构和微观形貌,并用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的锌氧化学计量比进行了分析。研究结果表明:在非平衡条件下所得到的ZnO薄膜沿a-b轴取向生长,基片温度对ZnO薄膜生长过程影响较大,随着基片温度的升高,薄膜呈现c轴生长趋势;晶粒成柱状、尺寸均匀、膜层结构致密;薄膜样品中nZn:nO=0.985。  
        关键词：ZnO薄膜;单源化学气相沉积;a-b取向   
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        更新时间：2020-08-11

      • 锡催化剂助生长法制备孪晶ZnO纳米线及其结构表征

        董经兵, 程瑶, 万建国, 韩民, 王广厚
        2006, 27(5): 777-781.
        摘要：用SnO和Zn的均匀混合物在高温下共烧通过VLS机制制备出孪晶ZnO纳米线的均匀结构。SEM图像显示孪晶ZnO纳米线的直径在100~200nm之间,长度在几十微米到几百微米之间的范围内,有的甚至达到了毫米级,产率也非常的高。TEM图像中ZnO孪晶纳米线顶端的金属Sn颗粒表明了孪晶结构的Sn催化生长。高分辨电子图谱显示了氧化锌纳米线孪晶结构的特征。电子衍射分析发现孪晶氧化锌的晶带轴的方向是[0110],孪晶面为(1013),并且通过明场像和暗场像分析了孪晶纳米线的晶格关系,确定了孪晶纳米线的汽-液-固(VLS)生长机制。  
        关键词：氧化锌;孪晶;纳米线   
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        更新时间：2020-08-11

      • 退火对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜结构和光致发光的影响

        张宁, 李清山, 赵波, 王璟璟, 陈达, 杨亚军, 郑学刚, 石明吉, 齐红霞
        2006, 27(5): 782-786.
        摘要：采用溶胶-凝胶法在n-Si(100)衬底上制备ZnO薄膜并从三个方面对其研究。X射线衍射结果表明,在含氧气氛中退火的ZnO薄膜为多晶六角纤锌矿结构,有明显的c轴择优结晶取向;退火时间的长短和温度的高低对结晶取向性和粒径均有较大影响,通过进一步的研究发现最佳处理温度在500℃左右。用扫描电子显微镜观察样品的表面和侧面形貌,晶体的生长比较均匀,粒径平均在70~160nm范围内,与XRD测量结果相一致。室温下ZnO胶体的光致发光谱表明,随着胶体老化时间的延长,胶体的紫外峰位发生了蓝移。室温下ZnO薄膜的光致发光谱表明,紫外部分的发光峰位在365,390nm,发光强度较强;在可见光区的发光强度相对较弱,但是还没有被氧完全抑制掉。  
        关键词：溶胶-凝胶法;ZnO薄膜;退火;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 氧分压对PLD制备ZnO薄膜结构和发光性质的影响

        王璟璟, 李清山, 陈达, 孔祥贵, 张宁, 赵波, 郑学刚
        2006, 27(5): 787-791.
        摘要：采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。通过X射线衍射(XRD)谱,扫描电镜(SEM)和室温光致发光(PL)光谱的测量,研究了生长气氛压强的改变对薄膜结构和光致发光的影响。实验结果表明,当氧压从10Pa升高到100Pa时ZnO(002)衍射峰的半峰全宽(FWHM)增大。可以认为这是由于较高的氧压下,到达衬底表面的离子动能减小。这样部分离子没有足够的能量迁移到生长较快的(002)面,c轴取向变差,导致(002)衍射峰的强度降低,半峰全宽增大。随着氧压增大,紫外发光强度增强。这可能是氧压变大,薄膜的化学配比升高,说明化学配比对UV发光的影响要大于薄膜微结构的影响。改变氧气压强对薄膜的表面形貌也有较大的影响。  
        关键词：氧化锌;脉冲激光沉积;化学配比;光致发光;半峰全宽(FWHM)   
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        更新时间：2020-08-11

      • CVD两步法生长ZnO薄膜及其光致发光特性

        孟祥东, 林碧霞, 洪亮, 朱俊杰, 孙贤开, 徐瑾, 傅竹西
        2006, 27(5): 792-796.
        摘要：用CVD两步法在常压下于p型Si(100)衬底上沉积出具有较好择优取向的多晶ZnO薄膜。在325nm波长的光激发下,室温下可观察到显著的紫外光发射(峰值波长381nm)。高温退火后氧空位缺陷浓度增加,出现了一个450~600nm的绿光发光带,发光峰值在510nm。作为比较,用一步法生长的ZnO薄膜结晶质量稍差。在其PL谱中不仅有峰值波长389nm的紫外发射而且还出现了一个很强的蓝光发光中心(峰值波长437nm),退火后同样产生绿光发光带。对这两种绿光发光带的发光机制进行了研究,认为前者源于VO,而后者与OZn有密切的关系。  
        关键词：两步法常压CVD;ZnO薄膜;光致发光;发光机制   
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        更新时间：2020-08-11
      • 张铁民, 缪国庆, 金亿鑫, 谢建春, 蒋红, 李志明, 宋航
        2006, 27(5): 797-800.
        摘要：采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料.研究缓冲层InxGa1-xAs的In组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响.X射线衍射(XRD)用于表征材料的组分和结晶质量.用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌.实验结果表明,低温生长的缓冲层InxGa1-xAs的In组分影响高温生长的外延层In0.82Ga0.18As的结晶质量和表面形貌.测量得到四个样品的外延层In0.82Ga0.18As的X射线衍射谱峰半峰全宽(FWHM)为0.596°,0.68°,0.362°和0.391°,分别对应缓冲层In组分x=0.28,0.53,0.82,0.88,当缓冲层In组分是0.82时,FWHM最窄,表明样品的结晶质量最好.SEM观察四个样品的表面形貌,当缓冲层In组分是0.82时,样品的表面平整,没有出现交叉平行线或蚀坑等缺陷,表面形貌最佳.  
        关键词：铟镓砷;金属有机化学气相沉积;X射线衍射;扫描电子显微镜   
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        更新时间：2020-08-11

      • 46.2W连续输出808nm高功率无铝半导体激光线阵模块

        曲宙, 刘云, 王祥鹏, 苏华, 套格套, 王超, 单肖楠, 姚迪, 王立军
        2006, 27(5): 801-804.
        摘要：利用InGaAs/InGaAsP应变量子阱外延材料制作出高功率半导体激光器线阵模块,前腔面镀制了单层Al2O3,后腔面镀制了Al2O3/5(HfO2/SiO2)/HfO2,采用无氧铜热沉和高效率的液体冷却器散热。在室温下,驱动电流50A时输出功率高达46.2W,最高电光转换效率41.3%,斜率效率1.15W/A。器件中心激射波长810nm,波长温度系数为0.28nm/℃,光谱半峰全宽(FWHM)3nm,寿命突破11732h。  
        关键词：高功率半导体激光阵列;量子阱;高反膜;增透膜;线阵模块   
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        更新时间：2020-08-11
      • 鞠振刚, 张吉英, 吕有明, 申德振, 姚斌, 赵东旭, 张振中, 李炳辉, 范希武
        2006, 27(5): 805-809.
        摘要：利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增强发生了变化。通过变温光谱探讨了这两个发光峰的来源,并被分别归因于自由激子跃迁和与Mn有关的束缚态激子跃迁。同时随着磁场的增强,ZnMnSe带隙发光红移是由于类S带和类P带电子与Mn离子的3d5电子的自旋交换作用。  
        关键词：Zn1-xMnxSe;金属有机化学气相沉积(MOCVD);光致发光;磁光性质   
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        更新时间：2020-08-11

      • 小尺寸铕(Ⅲ)配合物荧光纳米颗粒的制备

        彭洪尚, 吴长峰, 黄世华, McNeill Jason
        2006, 27(5): 810-816.
        摘要：利用再沉淀法分别制备出了小尺寸(~10nm)纯相和杂相的Eu3+配合物荧光纳米颗粒。所制备的纯相的荧光纳米颗粒在水溶液中容易聚集,并且荧光猝灭严重。相比较而言,掺有适量疏水性硅烷的杂相纳米颗粒则具有较强的荧光、均匀的尺寸和良好的分散性。硅烷在碱性环境下(pH=9)迅速地水解,而后在纳米微粒的表面形成二氧化硅薄层。亲水的二氧化硅薄层消除了Eu3+配合物纳米颗粒间的疏水相互作用,进而防止了纳米颗粒的聚集,从而导致了杂相荧光纳米颗粒发光性能的提高。  
        关键词：稀土配合物;荧光纳米颗粒;再沉淀法;表面修饰   
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        更新时间：2020-08-11

      • 均苯三甲酸铕及铕镧配合物的合成及荧光性质

        王继业, 宋会花, 杨芳, 石士考
        2006, 27(5): 817-821.
        摘要：以均苯三甲酸为配体,水热条件下合成了均苯三甲酸铕及铕镧系列发光配合物LaxEu1-x(BTC)·nH2O(x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9),通过元素分析及化学滴定法测定了配合物的组成。用红外光谱对其进行了表征,确定了该系列配合物的组成为LaxEu1-x(BTC)·nH2O。研究了系列配合物的荧光性质,荧光光谱表明:该类配合物均能发出强的铕离子的特征荧光,并且镧元素的掺入能增强铕配合物的发光强度,但发射峰的位置基本上没有变化;其中5D0→7F1和5D0→7F2的跃迁发射较强,且均劈裂为两个峰(587,593nm)和(611,618nm),这是由于铕离子所处的配位环境引起的。  
        关键词：稀土;铕镧配合物;均苯三甲酸;发光;掺杂   
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        更新时间：2020-08-11

      • 场发射平板显示高低压电平转换电路

        宋李梅, 李桦, 杜寰, 夏洋
        2006, 27(5): 822-826.
        摘要：提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟,此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件下安全工作,最高工作频率可达20MHz。在50pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14,25ns。同时分析了高压CMOS器件与0.8μm标准CMOS工艺兼容过程中的厚栅氧化对于低压器件及高压N管的阈值特性影响。  
        关键词：场发射;电平转换电路;高压CMOS;驱动电路;高低压兼容   
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        更新时间：2020-08-11

      • 一种廉价紫外光源对维生素D2合成的研究

        鲁吉珂, 孙英北, 邓利, 王芳, 谭天伟
        2006, 27(5): 827-830.
        摘要：开发了一种新型廉价紫外荧光光源,采用中波透紫玻璃作为灯管,灯管玻璃本身可以吸收254nm以下的紫外光,因此反应器不需要滤光液。得到了光照时间与麦角固醇转化率及前维生素D2选择性得率之间的关系。初步研究了该光源紫外光强度随时间的衰减变化,并对光强衰减与光化学反应结果的影响进行了研究。结果表明,该廉价光源在65min可以使反应达到65.5%的转化率,选择性得率为60.4%,且光源强度在300h内仅衰减13%。该光源成本较低,寿命较长,且反应器不需要滤光液,设备投资较少,是一种理想的可用于工业化生产的廉价光源。  
        关键词：维生素D;紫外光源;光化反应;选择性   
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        更新时间：2020-08-11

        研究快报

      • MgxZn1-xO合金制备及MgZnO/ZnO异质结构的光学性质

        魏志鹏, 吴春霞, 吕有明, 张振中, 姚斌, 张吉英, 赵东旭, 李炳辉, 申德振, 范希武
        2006, 27(5): 831-833.
        摘要：利用射频等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量(0≤x≤0.28)的六方相MgZnO合金薄膜,研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关系,为MgZnO合金中Mg含量的确定提供了新的方法。在此基础上选择具有合适带宽的MgZnO合金作为垒层,制备了MgZnO/ZnO量子阱结构。在较高的光激发密度下,观测到了发光强度随激发密度的超线性增加,并将之归因于激子-激子碰撞引起的超辐射过程。  
        关键词：MgZnO合金;Raman光谱;量子阱;超辐射   
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        更新时间：2020-08-11
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