您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
缓冲层InxGa1-xAs组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 缓冲层InxGa1-xAs组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响

    • Effect of the InxGa1-xAs Buffer Layer Compositions on Crystalline Quality and Surface Morphology of In0.82Ga0.18As Grown by Low Pressure MOCVD

    • 发光学报   2006年27卷第5期 页码：797-800
    • 中图分类号： O471.4

    • 收稿：2006-01-10，

      修回：2006-4-15，

      纸质出版：2006-09-20

    移动端阅览

  • 张铁民, 缪国庆, 金亿鑫, 谢建春, 蒋红, 李志明, 宋航. 缓冲层In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As组分对In<sub>0.82</sub>Ga<sub>0.18</sub>As结晶质量和表面形貌的影响[J]. 发光学报, 2006,27(5): 797-800 DOI：

    ZHANG Tine-min, MIAO Guo-qing, JIN Yi-xin, XIE Jian-chun, JIANG Hong, LI Zhi-ming, SONG Hang. Effect of the In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As Buffer Layer Compositions on Crystalline Quality and Surface Morphology of In<sub>0.82</sub>Ga<sub>0.18</sub>As Grown by Low Pressure MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(5): 797-800 DOI：

  •  
  •  
icon
试读结束，您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束，您可以通过登录账户，到个人中心，购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员？
去登录 >

0

浏览量

154

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

MOCVD方法生长ZnO微米柱的结构与光学性质
缓冲层生长温度对In0.82Ga0.18As 薄膜结构及电学性能的影响
ZnO薄膜的制备和结构特性及应变
常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析
退火对ZnO薄膜质量的影响

相关作者

魏志鹏
吕有明
申德振
刘益春
赵东旭
李炳辉
张吉英
范希武

相关机构

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 激发态物理重点实验室
海南师范大学 物理与电子工程学院
中国科学院激发态物理重点实验室 长春光学精密机械与物理研究所
厦门大学, 萨本栋微机电研究中心
厦门大学, 物理系
0