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    2004年第25卷第5期

      论文

    • 反比相关的双曲余弦平方势与电子的面沟道辐射

      罗诗裕, 谭永明, 邵明珠, 邓立虎
      2004, 25(5): 473-476.
      摘要:带电粒子在晶体沟道中的运动行为决定于粒子-晶体相互作用势.常用的粒子晶体相互作用势有Lindhard势、Moliere和正弦平方势.当超相对论电子沿着晶体的低晶面指数方向入射时,电子和晶体之间的相互作用势可用反比相关的双曲余弦平方势描写.在量子力学框架内,利用这一相互作用势成功地将系统的Schrodinger方程化为超几何方程,从而简化了系统本征值和本征态问题的计算和讨论.考虑到质量的相对论效应和频率的Doppler效应,导出了实验室坐标系中电子的能级分布和辐射谱分布.并以电子的Si(110)面沟道辐射为例,选定一组与入射粒子有关的参数和一组与晶体有关的参数,计算了能量为E=0.5GeV的电子在低位能级之间的跃迁,导出了电子面沟道辐射能量ΔE=49.1MeV,得到了与实验符合的结果.  
      关键词:Schrodinger方程;超几何函数;沟道辐射;本征值;本征态   
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      更新时间:2020-08-11
    • 磁场和温度对束缚磁极化子有效质量的影响

      于毅夫, 尹辑文, 陈时华, 肖景林
      2004, 25(5): 477-481.
      摘要:研究强、弱耦合情形下,库仑场中束缚磁极化子的性质.采用改进的线性组合算符方法研究束缚磁极化子的振动频率和有效质量的温度依赖性,对RbCl晶体进行数值计算,结果表明:在强耦合情形下,束缚磁极化子的振动频率随温度的升高和磁场的增强而增加;有效质量随温度的增加而增加,但随磁场的增强而减少.  
      关键词:束缚磁极化子;有效质量;温度依赖性   
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      更新时间:2020-08-11
    • 抛物量子点中弱耦合磁极化子的振动频率和相互作用能

      肖玮, 肖景林, 王东民
      2004, 25(5): 482-486.
      摘要:采用改进的线性组合算符和幺正变换方法研究磁场中抛物量子点弱耦合磁极化子的性质,导出抛物量子点中磁极化子的振动频率和相互作用能与磁场、受限强度和电子声子耦合强度的关系.对GaAs晶体进行数值计算,结果表明,量子点受限强度越大,量子点弱耦合磁极化子的振动频率和相互作用能越大.  
      关键词:量子点;磁极化子;改进的线性组合算符   
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      更新时间:2020-08-11
    • Yb3+/Er3+共掺杂TeO2-WO3-ZnO玻璃的光谱性质

      李家成, 李顺光, 胡和方, 干福熹
      2004, 25(5): 495-500.
      摘要:制备了Yb3+/Er3+共掺杂的TeO2-WO3-ZnO玻璃,测量了Er3+在玻璃中的吸收光谱和970nmLD激发下的荧光光谱、荧光寿命和上转换光谱.计算了Yb3+/Er3+间的能量传递效率和Er3+离子1.5μm波段的吸收截面、发射截面,并研究了其荧光强度和上转换发光与Yb3+掺杂浓度间的关系.结果表明,Yb3+共掺杂可明显提高Er3+离子1.5μm发射的荧光强度,实验所得Yb3+离子的最佳掺杂浓度为Er3+离子浓度的3倍,在7.28×1020ions/cm3左右.Er3+离子1.5μm发射的荧光半峰全宽为67~72nm;上转换红、绿光均为双光子过程,随Yb3+掺杂浓度的增加,上转换红、绿光强度均增强.  
      关键词:Yb3+/Er3+共掺杂;碲钨酸盐玻璃;光谱性质;上转换发光   
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      更新时间:2020-08-11
    • 分布布喇格反射镜的反射特性

      李林, 钟景昌, 苏伟, 晏长岭, 张永明, 郝永琴, 刘文莉, 赵英杰
      2004, 25(5): 501-504.
      摘要:采用等效法布里珀罗(FP)腔方法对分布布喇格反射镜(DBR)的特性进行了研究,计算并讨论了上下两层DBR结构非对称模型反射率的变化.设计了DBR反射镜的反射谱中心波长为850nm的结构.随着DBR周期数的增加,腔反射率峰值逐渐增加.上下两层DBR反射镜的厚度由反射率和中心波长决定.实验表明,下DBR的周期数为30对左右,上DBR的周期数为20对左右,易实现激光输出.非对称的双层DBR的反射特性表明理论计算与实验结果基本一致.  
      关键词:分布布喇格反射;FP腔;反射特性   
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      更新时间:2020-08-11
    • GaN外延片中载流子浓度的纵向分布

      方文卿, 李述体, 刘和初, 江风益
      2004, 25(5): 505-509.
      摘要:采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布.探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考.还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030℃)硅在GaN中的扩散系数,并由此估算了硅在GaN外延片中的扩散宽度.该结果可为GaN外延层结构设计提供参考.  
      关键词:硅扩散;氮化镓;电化学电容电压   
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      更新时间:2020-08-11
    • 退火对AlGaInP/GaInP多量子阱LED外延片性能的影响

      李述体, 范广涵, 周天明, 孙慧卿, 王浩, 郑树文, 郭志友
      2004, 25(5): 510-514.
      摘要:采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6.0×1017cm-3增大到1.1×1018cm-3.但退火温度为780℃时,p型GaP层和p型AlGaInP层的空穴浓度分别下降至8×1017cm-3和1.7×1017cm-3,且Mg原子在AlGaInP系材料中的扩散加剧,导致未掺杂AlGaInP/GaInP多量子阱呈现p型电导.在460~700℃退火范围内,并没有使AlGaInP/GaInP多量子阱的发光性能发生明显变化.但退火温度为780℃时,AlGaInP/GaInP多量子阱的发光强度是退火前的2倍.  
      关键词:AlGaInP;AlGaInP/GaInP多量子阱;金属有机化学气相沉积;电化学电容电压分析;光致发光   
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      更新时间:2020-08-11
    • Zn1-xCdxS合金薄膜的结构和光学性质

      冯秋菊, 申德振, 张吉英, 单崇新, 张振中, 吕有明, 刘益春, 范希武
      2004, 25(5): 515-518.
      摘要:采用低压金属有机化学气相沉积(LPMOCVD)技术,在普通石英衬底上制备出不同Cd组分(0.02,0.44,0.59,0.83,0.91)的Zn1-xCdxS合金薄膜材料.X射线测量表明样品为单一取向的纤锌矿结构,并且随着x的增加衍射峰位基本成线性地从ZnS衍射峰向CdS衍射峰移动.此外,在PL谱中还可以看出随着样品中Cd含量的增加,发光峰从3.66eV红移到2.43eV.根据发光峰位与Zn1-xCdxS中x的变化关系,推导出它们之间的关系近似为Eg(Zn1-xCdxS)=3.61-1.56x+0.38x2.还探讨了不同Cd组分薄膜材料的X射线衍射峰半峰全宽以及发光峰半峰全宽的变化.  
      关键词:Zn1-xCdxS;金属有机化学气相沉积;X射线衍射;光致发光   
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      更新时间:2020-08-11
    • 氟掺杂的氧化锌薄膜的结构和光学特性

      马剑钢, 刘益春, 徐海阳, 骆英民, 张吉英, 吕有明, 申德振, 范希武
      2004, 25(5): 519-523.
      摘要:通过热氧化氟化锌(ZnF2)薄膜的方法制备出氟掺杂的多晶ZnO薄膜,ZnF2薄膜是利用电子束蒸发方法沉积在Si(100)衬底得到的.利用X射线衍射和X射线电子能谱研究了ZnF2薄膜向ZnO的转变过程.实验结果表明,在400℃退火30min的条件下能够获得六方纤锌矿结构的ZnO:F薄膜.对ZnO:F薄膜的室温光致发光谱可以观察到位于379nm、半峰全宽为73meV的紫外发射峰,而相应于缺陷的深能级发射则完全猝灭.表明ZnO中残留的F能够有效地增强激子的发光,同时使缺陷发光强度明显降低.对F掺杂对ZnO的发光性能的影响进行了讨论.  
      关键词:ZnO:F;X射线衍射;X射线光电子能谱;光致发光   
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      更新时间:2020-08-11
    • 聚氧化乙烯表面修饰对ZnO光学性质的影响

      杨桦, 童艳红, 赵东旭, 刘益春, 吕有明, 申德振, 范希武
      2004, 25(5): 524-528.
      摘要:利用聚氧化乙烯(PEO)对ZnO表面进行修饰,研究有机包覆对ZnO光学性质的影响.用吸收光谱和光致发光光谱来表征和研究PEO包覆对ZnO纳米粒子光学性质的影响.吸收光谱结果表明随着ZnO薄膜中PEO含量的增加,激子吸收峰逐渐向低能侧方向移动.光致发光光谱是由紫外发射和与氧空位有关的深能级缺陷发光组成,且随着ZnO薄膜中PEO含量的增加,紫外发射与深能级发光强度之比逐渐增大,当ZnO薄膜中的PEO达到最大值时,其比值为31.5,远远大于纯ZnO薄膜的紫外发射与深能级发光强度之比1.04.由此可见,ZnO被PEO包覆后,提高了紫外发光效率,改善了ZnO薄膜的质量.  
      关键词:聚氧化乙烯;氧化锌;表面修饰;深能级发射   
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      更新时间:2020-08-11
    • ZnO纳米晶/巯基乙酸复合膜的荧光特性

      单桂晔, 吕强, 安利民, 王新, 孔祥贵, 白玉白, 李铁津
      2004, 25(5): 529-532.
      摘要:用自组装方法将巯基乙酸(MPA)与ZnO纳米晶薄膜(ZDF)通过共价键偶联到一起,形成纳米晶/巯基乙酸复合膜(ZDF/MPA).采用发光光谱和XPS电子能谱技术,研究了ZDF/MPA的荧光特性以及它们之间的能量传递机制.研究发现ZDF/MPA中ZnO自由激子发光和束缚激子发光强度随着巯基乙酸的浓度增大而分别呈现不同的非线性减弱关系,当巯基乙酸达到一定的浓度量时,ZnO荧光完全消失.研究表明:ZnO纳米薄膜与MPA之间能够发生成键作用,并且在成键之后发生了能量传递.  
      关键词:ZnO纳米晶薄膜;巯基乙酸;电子转移   
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      更新时间:2020-08-11
    • 用电化学沉积法制备ZnO/Cu2O异质p-n结

      刘英麟, 刘益春, 杨桦, 张丁可, 张吉英, 吕有明, 申德振, 范希武
      2004, 25(5): 533-536.
      摘要:由于p型ZnO的制备仍然存在一定的困难,限制了ZnO在光电方面的应用,尤其是在发光二极管和激光器的实际应用,目前利用p型的透明半导体氧化物与n型ZnO制备异质p-n结,成为新的研究热点.选择p型导电Cu2O与ZnO制备出异质pn结.Cu2O是一种典型的p型半导体材料,禁带宽度为2.1eV,可见光范围的吸收系数较高.首次利用电化学沉积的方法制备了ZnO/Cu2O异质p-n结,研究了电沉积ZnO,Cu2O的生长机制和ZnO/Cu2O异质结的结构、光学和电学特性.  
      关键词:氧化锌;氧化亚铜;异质结   
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      更新时间:2020-08-11
    • 三种五元化合物的荧光光谱的量子化学研究

      廖显威, 赵颖, 吴雪梅, 邓嘉莉, 王莹, 范志金
      2004, 25(5): 537-540.
      摘要:采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,在6-31G*水平上对三种五元杂环物质进行了构型优化,对优化后的构型做振动分析,均未出现虚频率.在此基础上通过轨道分析,探索了分子内部电子跃迁的机理.结果表明,这三种五元化合物HOMO到LUMO的跃迁是电子从C1、C2、C3和C4转移到杂原子(吡咯中的N原子,呋喃中的O原子和噻吩中的S原子)上,并在6-31G*水平上用单激发组态相互作用(CIS)方法分别计算了三种物质的荧光光谱,所得计算结果与实验值基本符合.  
      关键词:五元杂环;量子化学;荧光光谱;单激发组态相互作用   
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      更新时间:2020-08-11
    • 几种有机小分子电致发光材料的能带结构参数

      金长清, 苏树江, 梁万里, 马凤英, 王立军, 刘云, 张春玉
      2004, 25(5): 541-545.
      摘要:合成了9种未曾公开发表过的有机小分子电致发光材料,都是Alq3的衍生物.为了阐明其发光特性,能带结构参数的测量十分必要.报道了利用电化学循环伏安法,测量这些发光材料的电化学氧化作用电位(Φp)和还原作用电位(Φn);进而由Φp和Φn起点电位值分别测算了这些材料的最高占有轨道(HOMO)能级,最低空轨道(LUMO)能级和电化学能隙(Eg).电化学能隙和光学吸收方法测量的光学能隙符合得很好,其偏差在允许范围之内.这表明循环伏安法测量这些有机小分子电致发光材料的HOMO、LUMO能级和Eg的准确性和可行性.这9种Alq3衍生物材料具有较高的发光效率,很好的可溶性,可加工性和稳定性.其离化电位较高,不但可以作为很好的发光材料,而且还可以作为很好的电子传输材料.采用这些材料及其能带结构参数,可以设计和研制新型有机电致发光器件.  
      关键词:有机电致发光材料;循环伏安法;HOMO和LUMO能级;能隙   
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      更新时间:2020-08-11
    • 金属氟化物对聚合物发光二极管发光性能的提高

      林海波, 吴宏滨, 徐晓轩, 王斌, 于肇贤, 俞钢, 张存洲
      2004, 25(5): 546-550.
      摘要:在以聚合物发光材料MEH-PPV为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)的金属阴极与聚合物发光层之间插入一层绝缘的金属氟化物,发光器件的发光性能有所提高,而且绝缘层的厚度会影响器件性能提高的最终效果.特别是具有LiF/Al的双层电极的发光器件,其发光特性与工作性能优良,但稳定性较差的Ba(Ca)/Al电极结构器件的发光特性具有可比性.初步分析表明绝缘层的插入造成了发光聚合物层与金属电极界面的能带发生弯曲,降低了发光器件中少数载流子电子的注入势垒,提高了发光器件中少数载流子电子的注入效率.从而最终导致了发光器件的开启电压、发光强度、外量子效率及电流效率等发光性能指标的显著提高.  
      关键词:聚合物发光二极管;MEH-PPV;阴极;氟化锂   
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      更新时间:2020-08-11
    • 稀土(铕-铽)-18冠6-对苯二甲酸配合物的荧光性能

      赵永亮, 安晓萍, 赵凤英, 燕来, 宝金荣
      2004, 25(5): 551-555.
      摘要:以对苯二甲酸(L')为桥联配体,18冠6(L)为配体,稀土(Eu-Tb)为中心离子,合成了一系列超分子化合物,对其进行了元素分析,红外光谱及荧光性能测量.确定了配合物的组成为(Eu1-xTbx)2L2L'(ClO4)4·H2O(6+3x);推测出Eu3+离子直接与冠醚氧原子配位,而较小半径的Tb3+与18冠6则通过H2O配位.H2O分子与冠醚氧原子以氢键形式连结,对苯二甲酸以双齿形式桥联两个稀土离子冠醚配合物,形成双核结构单元;在此配合物中,Tb3+离子对Eu3+离子的发光有一定的敏化作用,而Eu3+离子对Tb3+离子的荧光却有强的猝灭作用.  
      关键词:稀土(Eu-Tb)配合物;18冠6;对苯二甲酸;荧光性能   
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      更新时间:2020-08-11
    • 铜掺杂多孔硅的光致荧光猝灭

      李媛媛, 李清山, 倪梦莹, 王会新, 曹小龙
      2004, 25(5): 556-560.
      摘要:采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一铜镀层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响.实验表明,掺铜对多孔硅的光致发光具有明显的猝灭效应,并使多孔硅的发光峰位蓝移.由于多孔硅表面铜的吸附使硅氢键明显减少,而铜原子和硅的悬挂键成键会形成新的非辐射复合中心,从而使多孔硅的光致发光强度衰减.且浸泡溶液的浓度越高,这种猝灭效应越明显.而多孔硅发光峰位的蓝移,则是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故.  
      关键词:多孔硅;光致发光;傅里叶变换红外;浸泡镀敷;猝灭   
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      更新时间:2020-08-11
    • 一种新型阳极氧化多孔硅技术

      陈松岩, 蔡贝妮, 黄燕华, 蔡加法
      2004, 25(5): 561-566.
      摘要:在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径,提出了一种新型阳极氧化方法,并探讨了该方法所涉及的阳极氧化条件.采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,发现氧化使多孔硅光致发光性质得到极大改善,进而研究了氧化电流、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响,并给出了合理解释.实验发现,在1mA,10min,60℃的氧化条件下,采用阳极氧化技术使多孔硅发光强度增强了18倍.  
      关键词:多孔硅(PS);湿法氧化;光致发光(PL)   
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      更新时间:2020-08-11
    • 多孔硅镶嵌C102的蓝绿发光特性

      倪梦莹, 李清山, 李媛媛, 王会新, 曹小龙
      2004, 25(5): 567-570.
      摘要:利用多孔硅(PS)独特的微孔结构、非常大的比表面积、很强的吸附能力和灵敏的表面光学性质等特点,将激光染料香豆素102(C102)镶嵌在多孔硅中,得到多孔硅镶嵌C102的复合膜.研究复合膜的荧光特性,我们发现:镶嵌在多孔硅中的C102荧光光谱与其在无水乙醇溶液中的荧光光谱相似,主要呈现单体发光特性;通过比较镶嵌在不同孔隙率中的C102荧光光谱,得知镶嵌在不同多孔硅中的染料分子主要以同种形式存在.另外还发现,放置一段时间后的镶嵌复合膜,荧光强度明显增强,对称性提高,保留了激光染料发光的很多优点.多孔硅镶嵌C102的荧光特性展示了多孔硅在发展固体激光器方面有一定的应用,并为实现硅基蓝绿发光打开新的途径.  
      关键词:多孔硅;香豆素102;荧光光谱;能量转移   
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      更新时间:2020-08-11
    • 萘醌和噻唑分子之间的相互作用

      王晶, 郑荣儿, 苗洪利, 孟继武
      2004, 25(5): 571-574.
      摘要:从理论上研究了萘醌衍生物和噻唑衍生物分子之间的相互作用,并通过光谱实验进行了验证.研究结果表明:萘醌衍生物和噻唑衍生物均为多环有机共轭分子,且分子结构呈平面构型.在固态时呈多晶粉末状,有着强烈的光吸收,但无可见光发射.可是,将其分散于聚乙烯树脂中,其呈单分子形态,能产生可见光.通过比较萘醌衍生物和噻唑衍生物的荧光光谱和激发光谱,发现萘醌衍生物的荧光光谱与噻唑衍生物的激发光谱有很好的重叠.这样,将萘醌衍生物和噻唑衍生物均匀混合分散到聚乙烯树脂中,用蓝光激发萘醌衍生物就可观察到噻唑衍生物发射的红光.这说明二者之间产生了能量传递,实现了蓝光激发下产生的红光.实验还发现,采用适当比例的配制可得到能量传递效率最高的混合膜.这对于光转换白光LED的研发工作是非常有意义的.  
      关键词:分子相互作用;能量传递;荧光光谱;激发光谱   
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      更新时间:2020-08-11
    • 聚-10,12-二十五碳双炔酸Langmuir-Schaefer膜的非线性光学性质

      金华, 张立功, 徐海阳, 范翊, 李亚军, 孔祥贵, 申德振
      2004, 25(5): 571-579.
      摘要:通过飞秒脉冲激光单光束Z-扫描方法研究了聚-10,12-二十五碳双炔酸Langmuir-Schaefer膜在非共振吸收区的三阶非线性光学特性.钛蓝宝石激光器的输出脉宽为60~70fs、波长为800nm,在入射光平均功率为145mW时测得其三阶非线性极化率为5.33×10-9esu.这一结果较该类材料的有掺杂的薄膜明显增强,与微晶和单晶达到同样的量级,对此进行了分析和讨论.  
      关键词:聚-10;12-二十五碳双炔酸;三阶非线性极化率;飞秒激光;Z-扫描   
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      更新时间:2020-08-11
    • 几种新型金属配合物热致三阶非线性光学特性

      程培红, 张新安, 王玉华, 顾玉宗
      2004, 25(5): 580-584.
      摘要:利用连续激光Z-扫描方法研究了过渡金属Ni、Cu、Pd的新型有机配合物的热致三阶非线性光学特性.结果表明:在488nm和632.8nm波长连续激光激发下,这几种配合物的光学非线性折射主要来源于热效应.并由实验曲线计算了它们的热光系数dn/dT及热致非线性折射率n2.通过比较,发现热致非线性折射率与配合物分子结构、激发波长及在该波长下的线性吸收强弱有关.金属中心原子的原子序数越大,热光系数和折射率也相应的越大.在488nm波长激光激发下的dn/dTn2大于该配合物在632.8nm波长激发下的dn/dTn2,在同一波长下,化合物溶液在该波长下的吸收越强,其dn/dTn2值也越大.  
      关键词:金属有机配合物;热光系数;热致光学非线性   
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      更新时间:2020-08-11
    • 钟淮真, 李国强, 何晓云, 陈日耀, 郑曦, 陈震
      2004, 25(5): 585-590.
      摘要:以溶剂热生长技术(solvothermal technique)制备了半导体CdS的纳米微粒,并采用XRD、TEM、ED对其结构进行表征.在ITO导电玻璃上,采用电化学方法合成聚苯胺薄膜,以提拉的方法将CdS的纳米颗粒涂布其上,自组装得纳米CdS/PANI膜,并以荧光光谱(PL)及非线性Z扫描法研究其光学特性.实验结果显示:经CdS修饰后,CdS/PANI膜的荧光发射峰强度增强,位置较单一PANI膜移至420nm处,同时经修饰后的复合物膜的非线性光学特性也有显著的提高.  
      关键词:纳米;聚苯胺;复合膜;半导体   
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      更新时间:2020-08-11
    • 用于投影显示的匀光杆照明系统设计

      张增宝, 张新, 翁志成, 丛小杰, 冯树龙
      2004, 25(5): 591-596.
      摘要:基于DMD和LCoS空间光调制器的投影显示对照明系统提出了更高的要求,有必要对原有的匀光杆照明系统进行分析和改进.着重于建立一个精确的匀光杆照明系统模型,对各个参数进行了细致的分析和总体的优化.同时提出了一种高效率的组合反射镜模型,通过LightTools软件模拟仿真,实现了ANSI照明均匀性为(+4.2%,-4.6%),光能利用率为82%的照明输出.能够满足投影显示对照明系统的指标要求.  
      关键词:组合反光镜;匀光杆;照明系统;Etendue量;光效率   
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      更新时间:2020-08-11
    • 用液晶驱动芯片驱动有机发光显示屏的设计

      程加力, 司玉娟, 李春星, 王丽杰, 刘式墉
      2004, 25(5): 597-601.
      摘要:应用TFT液晶驱动芯片设计了一个TFT有机发光显示屏用的驱动电路.目前有机发光显示屏(OLED)是平板显示领域的研究热点,在研制长寿命、高稳定的器件方面取得了一定的进展,但与之配套的驱动电路还不是很成熟,而且专用芯片又价格昂贵.液晶显示器件的配套驱动芯片功能比较完善,且价格低廉,所以应用TFT液晶驱动芯片设计了TFT有机发光显示屏用的驱动电路很有实际意义.比较了TFTLCD与TFTOLED驱动原理的异同点,从原理上探讨了将TFTLCD用的驱动芯片加以改造,使其可用于驱动TFTOLED,并采用三星公司的TFT液晶驱动芯片S6C0655和S6C0671设计了一个驱动64×3×80的全彩色OLED显示屏的驱动电路.  
      关键词:有机电致发光;液晶驱动;液晶驱动芯片   
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      更新时间:2020-08-11

      稀土发光材料

    • Yb3+:Pr3+:ZBLAN光纤中4f5d上转换激发的理论研究

      方爱平, 戴振文, 杨海贵, 孙桂娟, 王立军, 蒋占魁
      2004, 25(5): 487-494.
      摘要:利用粒子数速率方程和相关的辐射跃迁理论,计算了Yb3+:Pr3+:ZBLAN光纤中Pr3+离子4f5d能级两步上转换激发的动力学过程.得到不同Pr3+掺杂浓度下,激发光的光谱强度和粒子数密度的纵向分布和有效光纤长度随激发光的光谱强度的变化关系.另外,还得到了4f5d荧光强度与入射光强、光纤长度和Pr3+掺杂浓度的关系,给出了激发效率与激发光的光谱强度和Pr3+掺杂浓度的关系.  
      关键词:光学材料;上转换激发;Yb3+:Pr3+:ZBLAN;光纤;4f5d能级   
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      更新时间:2020-08-11
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