退火对AlGaInP/GaInP多量子阱LED外延片性能的影响

李述体; 范广涵; 周天明; 孙慧卿; 王浩; 郑树文; 郭志友

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退火对AlGaInP/GaInP多量子阱LED外延片性能的影响

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 退火对AlGaInP/GaInP多量子阱LED外延片性能的影响
- Influence of Thermal Annealing to the Characteristics of AlGaInP/GaInP Multiple Quantum Wells LED Wafers
- 发光学报 2004年25卷第5期页码：510-514
- 作者机构：
  
  华南师范大学光电子材料与技术研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家科技攻关计划(00068)();华南师范大学博士启动基金(660119)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O472.3;O482.31
- 收稿：2003-09-15，
  
  修回：2003-12-24，
  
  纸质出版：2004-09-20
- 稿件说明：
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李述体, 范广涵, 周天明, 孙慧卿, 王浩, 郑树文, 郭志友. 退火对AlGaInP/GaInP多量子阱LED外延片性能的影响[J]. 发光学报, 2004,(5): 510-514

LI Shu-ti, FAN Guang-han, ZHOU Tian-ming, SUN Hui-qing, WANG Hao, ZHENG Shu-wen, GUO Zhi-you. Influence of Thermal Annealing to the Characteristics of AlGaInP/GaInP Multiple Quantum Wells LED Wafers[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,(5): 510-514
李述体, 范广涵, 周天明, 孙慧卿, 王浩, 郑树文, 郭志友. 退火对AlGaInP/GaInP多量子阱LED外延片性能的影响[J]. 发光学报, 2004,(5): 510-514 DOI：

LI Shu-ti, FAN Guang-han, ZHOU Tian-ming, SUN Hui-qing, WANG Hao, ZHENG Shu-wen, GUO Zhi-you. Influence of Thermal Annealing to the Characteristics of AlGaInP/GaInP Multiple Quantum Wells LED Wafers[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,(5): 510-514 DOI：

摘要

采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相比

460℃退火15min

外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6

#215;10

-3

增大到6.5

#215;10

-3

p型AlGaInP层的空穴浓度由6.0

#215;10

-3

增大到1.1

#215;10

-3

.但退火温度为780℃时

p型GaP层和p型AlGaInP层的空穴浓度分别下降至8

#215;10

-3

和1.7

#215;10

-3

且Mg原子在AlGaInP系材料中的扩散加剧

导致未掺杂AlGaInP/GaInP多量子阱呈现p型电导.在460～700℃退火范围内

并没有使AlGaInP/GaInP多量子阱的发光性能发生明显变化.但退火温度为780℃时

AlGaInP/GaInP多量子阱的发光强度是退火前的2倍.

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