最新刊期
      1999年第20卷第1期

        论文

      • GaPⅩⅣN LEDp型层Ⅹ厚度的优化

        李桂英, 杨锡震, 王亚非, 李永良, 赵普琴, 孙寅官
        1999, 20(1): 1-3.
        摘要：实测数据表明:GaPⅩⅣN发光二极管(LED)p型层厚度d为12～17μm时,管芯光强最高.d增大,一方面可使表面复合的影响减小,提高内量子效率;另一方面又会使内吸收增大,降低抽取效率。综合考虑这两方面的影响,选取有关参数,对实测的d之优化值进行了合理的解释.  
        关键词：GaPⅩⅣN LED;结构优化   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaPⅩⅣN LPE片的位错对发光亮度的影响

        李桂英, 李永良, 王亚非, 杨锡震, 孙寅官
        1999, 20(1): 5-6.
        摘要：用化学腐蚀配合扫描电镜(SEM)对几种不同来源的国产GaPN液相外延(LPE)材料及各自的衬底的位错密度ND和发光亮度进行了测量。结果表明:样品的发光亮度随LPE层的ND降低而升高,降低衬底的ND可降低LPE层的ND.  
        关键词：GaPⅩⅣN;位错密度;发光二极管   
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        更新时间：2020-08-11

      • 低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究

        江德生, 吕振东, 崔丽秋, 周向前, 孙宝权, 徐仲英
        1999, 20(1): 7-10.
        摘要：研究了低温下分子束外延生长GaAs(LTG-GaAs)样品的稳态和瞬态发光。从200℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰,峰的能量位置相对于体GaAs激子峰有一定蓝移。此外,发现在体GaAs上生长LTG-GaAs薄膜可大大减小体GaAs衬底材料中本征发光的衰减时间,但对(e,A×)发光影响不大。用上转换方法对退火和未退火LTG-GaAs样品瞬态发光进行了测量,获得了关于LTG-GaAs中复合中心和陷阱中心的信息。  
        关键词：光致发光;砷化镓;分子束外延;瞬态测量   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaAs1-xPx:EL2(x=0～0.08)光猝灭截面谱的温度依赖性

        杨锡震
        1999, 20(1): 11-13.
        摘要：对实测GaAs1-xPx合金(x=0,0.04和0.08)三个样品中EL2中心的光猝灭截面谱σ*(hν)的温度依赖性进行了研究。随温度(T)由～40K升至～100K,三个样品的谱峰位均有红移;峰高Ip增高,增高速度随x增大而减小。σ*(hν)谱可近似拟合为两个高斯型成分的叠加。以上结果支持关于EL20/+中心存在两个激发态(e1,e2)的论点。解谱结果表明:0K时e1和e2的能级外推值e1(0)=1.016eV,e2(0)=1.046eV与x值无关。拟合参数的温度依赖性和组份依赖性支持将e1和e2指认为与导带L极小值相联系的有效质量态  
        关键词：GaAs1-xPx;EL2;激发态;光猝灭   
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        更新时间：2020-08-11

      • 有序GaxIn1-xP(x=0.52)光致发光谱研究

        吕毅军, 俞容文, 郑健生
        1999, 20(1): 14-16.
        摘要：报道了对有序GaxIn1-x(x=0.52)样品的变温和变激发功率密度的PL谱的研究。在低温T=17K,低激发功率密度下,谱线呈双峰结构,在低激发功率密度下升高温度,低能端的发光峰(以下简称A峰)发生热猝灭,并在85K左右完全消失。高能端的发光峰(以下简称B峰)积分强度则随温度升高先增强而后发生猝灭。采用低激发功率密度激发样品,A峰较B峰强。增大激发功率密度,B峰强度逐渐超过A峰强度并占据主导地位。激发功率密度增加约两个数量级时,发现B峰峰值位置不随激发功率密度移动,而A峰出现微小蓝移(6.2meV).初步分析表明,A峰与空间分离中心的复合有关,而B峰来自本征激子复合;B峰积分强度随温度升高而反常增强解释为空穴从无序区域到有序区域的转移  
        关键词：有序度;Ⅲ-Ⅴ半导体;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • In0.49Ga0.51P中缺陷的俘获行为

        王海龙, 封松林
        1999, 20(1): 17-21.
        摘要：利用深能级瞬态谱(DLTS)和瞬态光电阻率谱(TPRS)研究了利用金属有机物化学汽相沉淀(MOCVD)生长的未有意掺杂的In0.49Ga0.51P中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程。利用DLTS测量观测到了一个激活能为0.37eV的缺陷,该缺陷的俘获势垒值介于180meV到240meV之间。该缺陷的俘获势垒值的大的分布被解释为缺陷周围原子重组的微观波动。在研究中发现研究这些缺陷的俘获过程比发射过程更有效,俘获势垒为0.06eV和0.40eV的两个缺陷在俘获过程中被观测到,而在发射过程中并没有观测到  
        关键词：深能级瞬态谱(DLTS);瞬态光电阻率谱(TPRS);俘获势垒   
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        更新时间：2020-08-11

      • 无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系

        俞容文, 吕毅军, 郑健生
        1999, 20(1): 22-24.
        摘要：研究了无序GaInP样品的温度依赖关系。在低温PL谱中,谱线呈单峰结构。随着温度从15K升高到250K,谱线半宽从16meV增大到31meV,并且发生红移(52meV),同时强度减小了两个数量级。对实验结果的拟合表明,在两个温度区存在着两个不同的激活能。温度小于100K,激活能为4meV;温度大于100K,激活能变为35meV.我们认为低温温度行为由带边载流子的热离化伴随的无辐射跃迁所控制,而高温区的特征激活能和跃迁几率取决于子晶格的无序度  
        关键词：光致发光;有序度;Ⅲ-Ⅴ半导体   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaAs衬底上生长的GaInP2外延单晶薄膜的杂质污染研究

        乐小云, 梁家昌
        1999, 20(1): 25-28.
        摘要：各种外延技术已被用来在GaAs衬底上生长GaxIn1-x外延单晶薄膜(GaInP2/GaAs).很多文献认为,在GaInP2/GaAs生长过程中会被C杂质污染。我们用高灵敏的CAMECAIMS4F型二次离子质谱仪直接测量的结果表明,污染GaInP2/GaAs的微量杂质是Si,而不是C.由GaInP2/GaAs在1.17eV附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主-受主对复合发光。进一步分析表明,施主为处在Ga格位上的Si杂质(SiGa),受主为Ga空位(VGa).  
        关键词：GaInP2/GaAs外延薄膜;Si污染杂质;SiGa-VGa施主-受主对复合发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响

        康俊勇, 黄启圣, 小川智哉
        1999, 20(1): 29-31.
        摘要：用金属有机化合物气相外延(MOVEP)方法生长具有不同表面形貌的非掺杂GaN,并对部分样品的外延层表面进行镜面加工。用阴极射线发光、光散射和拉曼散射方法观察GaN中深能级发光、缺陷散射光分布和拉曼散射光频移。结果表明,缺陷不但影响GaN的发光和光散射,而且影响拉曼频移  
        关键词：GaN;缺陷;光学性质   
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        更新时间：2020-08-11

      • AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究

        童玉珍, Liu M S, Bursill L A, 李景, 张国义, 甘子钊
        1999, 20(1): 32-36.
        摘要：利用微区Raman散射技术,对低压MOCVD生长的不同Al组分的AlxGa1-xN薄膜(x=0,0.07,0.15)进行了背散射Z(X,X)Z-几何配制下的测量。A1(LO)模式的声子频移随Al组分的变化关系为:ω(AlxGa1-xN)=(1+0.220x)ω(GaN).观察到了A1(LO)模式由于空间相关效应引起的展宽。E2模式随Al组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽。这被认为是E2模式的声子频移随Al组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Al组分的增加而减小共同作用的结果。在多种配置下,观察到了Al0.07Ga0.93N薄膜的A1(TO)模式、A1(LO)模式、E1(TO)模式和E2模式。验证了AlxGa1-xN薄膜的Raman选择定则。表明AlxGa1-xN薄膜具有单模行为。  
        关键词：AlxGa1-xN薄膜;微区Raman散射;空间相关效应;单模   
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        更新时间：2020-08-11

      • LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射

        刘渝珍, 石万全, 刘世祥, 姚德成, 刘金龙, 韩一琴, 赵玲莉, 孙宝银, 叶甜春, 陈梦真
        1999, 20(1): 37-39.
        摘要：在5.0eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.90eV的六个PL峰,建立了其可见荧光发射的能隙态模型,并初步讨论了其发光机制。  
        关键词：LPCVD;氮化硅薄膜;可见荧光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 硅基MIS隧道二极管的研究

        俞建华, 孙承休, 刘柯林, 高中林, 王启明
        1999, 20(1): 40-42.
        摘要：硅基MIS隧道发光二极管为制造用于超大规模集成电路的硅基发光器件提供了可能性。报道了MIS隧道发光二极管(MISLETD)的制作过程、电流-电压和发射光谱特性,讨论了负阻现象和发光机理  
        关键词：发光;MIS隧道二极管;表面等离子体激元   
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        更新时间：2020-08-11

      • InGaP光学微盘的显微荧光图像观测及分析

        辛永春, 章蓓, 徐万劲
        1999, 20(1): 43-46.
        摘要：利用一套CCD显微荧光图像观测和采集分析系统,分别在室温和液氮温度下对半径为5μm发射波长0.65μm的InGaP半导体光学微盘的荧光图像进行了观测。在绿光激发下,观测到沿InGaP微盘边缘内侧有一明亮的红色荧光光环和某些特征,表明InGaP光学微盘中存在以回音壁模式为主导的多种模式混合的模式结构  
        关键词：光学微腔;光学微盘;InGaP;回音壁模式(W-G Mode);荧光图像   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaN光学微盘的显微荧光图像探讨

        王国忠, 章蓓, 钱怡, 张国义, 胡晓东
        1999, 20(1): 47-49.
        摘要：研制了不同厚度的直径为5～15μm的GaN光学微盘,并对光学微盘的显微荧光图像进行了细致的实验观测和数值采集。结果表明,在同一个GaN外延样品上由于厚度的差别,微盘呈现两种不同类型的荧光图像,对微盘中的光学模式进行了分析和讨论  
        关键词：Ⅲ族氮化物半导体;光学微腔;光学微盘;回音壁模式(WGM);面发射模式   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米SiC蓝光发射的研究

        刘渝珍, 黄允兰, 石万全, 刘世祥, 姚德成, 张庶元, 韩一琴, 陆忠乾, 谭寿洪, 江东亮
        1999, 20(1): 50-54.
        摘要：在4.68eV的激光激发下,室温CVD合成的纳米SiC粉体,可发射475nm的蓝光,经600～1100℃在N2气氛下进行快速退火(RTA)处理,其荧光强度随退火温度升高而增强,当T≥900℃时,荧光强度下降,但发光峰位与退火温度无关。通过XRD、IR、TEM、XPS等研究,认为纳米SiC中与氧有关的缺陷可能是引起475nm蓝光发射的主要原因  
        关键词：纳米SiC粉体;蓝色荧光;快速热退火(RTA)   
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        更新时间：2020-08-11

      • 掺铒SiOx1.54μm强的室温光致发光

        陈维德, 马智训, 许振嘉, 何杰, 顾诠, 梁建军
        1999, 20(1): 55-59.
        摘要：采用等离子化学汽相淀积方法,改变SiH4和N2O的流量比制备含有不同氧浓度的SiOx.用离子注入方法将铒掺入SiOx,经300～935℃快速热退火,在波长1.54μm处观察到很强的室温光致发光(PL).发光强度随氧含量和激发功率增加而增加,与SiOx的微结构有非常密切的关系。对可能的发光机理进行了讨论  
        关键词：掺铒SiOx;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • Si1-yCy合金的固相外延生长及其特性

        于卓, 余金中, 成步文, 雷震霖, 李代宗, 王启明, 梁骏吾
        1999, 20(1): 60-64.
        摘要：采用固相外延的方法在Si(100)衬底上生长了C组分为0.5at.%的Si1-yCy合金,并对合金的质量及特性进行了测试分析。采用多重离子注入的方法,并利用SiO2做缓冲层,能够获得满意的C离子分布。小束流、长时间的注入方法能避免β-SiC相的出现,最大限度地抑制动态退火效应。对Si衬底进行非晶化预处理能显着提高代位C原子的比例。两步退火过程能有效地减少注入前沿的点缺陷,实现较好的外延生长  
        关键词：Si1-yCy合金;离子注入;固相外延;晶体质量   
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        更新时间：2020-08-11

      • 量子阱中极化子的自能与电磁场和温度的关系

        额尔敦朝鲁, 肖景林
        1999, 20(1): 65-70.
        摘要：采用Larsen谐振子算符代数运算与变分微扰相结合的方法,研究处于电磁场中量子阱内电子-体纵光学声子耦合系统的性质的温度依赖性,得到了有限温度下系统的自能。对GaAs晶体的量子阱进行数值计算,结果表明,极化子的自能随阱宽及电场强度的增大而减小,随温度的升高而增大。当磁场强度B<51.57T时,极化子的自能随磁场强度的增大而增大,当B>51.57T时,极化子的自能随磁场强度的增大而减小。当B=51.57T时,极化子的自能出现极值,相应的共振频率为ωc=2.5825ω  
        关键词：量子阱;极化子;自能;温度依赖性   
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        更新时间：2020-08-11

      • 沸石基纳米材料的水热分散法制备及其发光

        郭兴巴图, 吕少哲, 李丹
        1999, 20(1): 71-76.
        摘要：用水热分散法,通过进行分步化学反应,在沸石分子筛的孔道中简便有效地制备了沸石基纳米发光材料。样品的发光表现出纳米粒子的量子尺寸效应  
        关键词：沸石分子筛;纳米发光材料;水热分散法   
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        更新时间：2020-08-11

      • 利用生物发光分析技术快速检测微生物的方法学研究

        舒柏华, 赵志耀, 徐顺清, 周宜开
        1999, 20(1): 77-80.
        摘要：阻碍三磷酸腺苷(ATP)-虫萤光素酶发光体系用于微生物快速检测的主要因素之一,在于使用了不适当的非微生物ATP清除方法和微生物ATP提取方法。文章对非微生物ATP的清除和微生物ATP提取方法进行了实验研究。选择TritonX-100作为非微生物ATP淬取剂。Apyrase作为非微生物ATP清除剂。三氯醋酸作为微生物ATP的淬取剂。观察了淬取剂及清除剂浓度对淬取效果及ATP分析的影响。最佳工作浓度分别为:TritonX-1000.15%、apyrase0.1%、三氯醋酸1.5%.对超声、加热超声、加热、三氯醋酸、氯仿淬取微生物ATP的方法作了对比研究,认为三氯醋酸方法更简便,易于推广使用  
        关键词：快速微生物学;三磷酸腺苷(ATP);生物发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极

        王维彪, 金长春, 梁静秋, 姜锦秀, 刘乃康, 姚劲松, 赵海峰, 王永珍, 范希武
        1999, 20(1): 81-85.
        摘要：主要研究了湿法化学刻蚀硅微尖。采用各向同性腐蚀的方法在<111>晶面和<100>晶面的单晶硅衬底上制备了硅微尖。实验结果表明<111>晶面的硅衬底上容易制备顶端曲率半径比较小的硅微尖。通过实验,调整了腐蚀剂的组成,最后得到曲率半径10～15nm的硅微尖  
        关键词：真空微电子;硅微尖;冷阴极   
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        更新时间：2020-08-11

      • 电场调制下单量子阱ZnCdSe/ZnSe的激射行为研究

        羊亿, 申德振, 郑著宏, 张吉英, 杨宝均, 范希武
        1999, 20(1): 86-89.
        摘要：近年来,随着宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展[1],对ZnSe基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究[2,3],同时对电场调制下的ZnSe基超晶格的受激发射也有过报导[4].但对于电场调制下的ZnCdSe/ZnSe基单量子阱的激射行为研究还未见报导。  
        关键词：ZnCdSe/ZnSe单量子阱;电场调制;受激发射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 含硫配体在ZnS:Cu水溶胶制备中的应用

        孙聆东, 刘昌辉, 廖春生, 严纯华
        1999, 20(1): 90-93.
        摘要：体相ZnSCu具有优越的交直流电致发光性能,在屏幕显示领域有着广泛的应用[1].近年来随着ZnSMn纳米材料研究的深入[2～4],对于纳米ZnSCu的研究也引起了人们极大的兴趣[5].  
        关键词：ZnS:Cu;纳米微粒;水溶胶   
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        更新时间：2020-08-11

      • RIE技术制备p-n结型GaN蓝光LEDs

        章其麟, 张冀, 赵永军, 李云, 梁春广, 刘燕飞, 杨瑞林
        1999, 20(1): 94-96.
        摘要：自从S.Nakamura等人成功地制备了GaN/GaInN/AlGaN蓝、绿光LEDs以来,GaN及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究。  
        关键词：反应离子刻蚀;氮化镓;蓝光发光二极管   
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        更新时间：2020-08-11
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