In0.49Ga0.51P中缺陷的俘获行为

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In_0.49Ga_0.51P中缺陷的俘获行为

论文 | 更新时间：2020-08-11

- In_0.49Ga_0.51P中缺陷的俘获行为
- NATIVE DEFECTS IN UNDOPED In_0.49Ga_0.51P GROWN BY MOCVD
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：17-21
- 作者机构：
  
  中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室, 北京 1000832. 曲阜师范大学物理系, 曲阜
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1998-05-30，
  
  纸质出版：1999-02-28
- 稿件说明：
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王海龙, 封松林. In0.49Ga0.51P中缺陷的俘获行为[J]. 发光学报, 1999,20(1): 17-21

Wang Hailong, Feng Songlin. NATIVE DEFECTS IN UNDOPED In0.49Ga0.51P GROWN BY MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 17-21
王海龙, 封松林. In0.49Ga0.51P中缺陷的俘获行为[J]. 发光学报, 1999,20(1): 17-21 DOI：

Wang Hailong, Feng Songlin. NATIVE DEFECTS IN UNDOPED In0.49Ga0.51P GROWN BY MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 17-21 DOI：

利用深能级瞬态谱(DLTS)和瞬态光电阻率谱(TPRS)研究了利用金属有机物化学汽相沉淀(MOCVD)生长的未有意掺杂的In

0.49

0.51

P中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程。利用DLTS测量观测到了一个激活能为0.37eV的缺陷

该缺陷的俘获势垒值介于180meV到240meV之间。该缺陷的俘获势垒值的大的分布被解释为缺陷周围原子重组的微观波动。在研究中发现研究这些缺陷的俘获过程比发射过程更有效

俘获势垒为0.06eV和0.40eV的两个缺陷在俘获过程中被观测到

而在发射过程中并没有观测到

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