最新刊期
      1995年第16卷第3期

        论文

      • 薄膜电致发光器件中SiO2加速作用的直接证据

        徐春祥, 娄志东, 徐叙瑢
        1995, 16(3): 187-191.
        摘要：本文通过包含CdS层的薄膜电致发光(TFEL)器件的有关特性的研究,直接证明了SIO2对CdS中产生的电子有良好的加速作用,并获得了阈值电压低、B-V特性好,亮度较高的红色TFEL器件.我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件中,测量这些器件的电学和光学特性,发现含CdS的样品的传导电荷明显大于不含CdS的样品,这说明硫化镉层可以提供较多的电子.但是,样品ITO/SiO2/ZnS:Sm3+/SiO2/CdS/Al的发光效率低于不含硫化镐的样品,这说明这些电子在进入ZnS层的过程中能量有所降低.为了提高这些电子的能量,我们制备了样品ITO/SiO2/ZnS:Sm3+/SiO2/CdS/Al,使硫化镉中产生的电子先经过SiO2层,再进入发光层.测量结果表明这一样品的最大亮度和发光效率与上述含硫化镉的样品相比分别提高了2.5个和0.5个数量级,与不含硫化镉的样品的亮度接近,但其阈值电压较低,亮度-电压(B-V)曲线上升部分较陡,且有一段饱和区.在这一样品达到饱和的电压下,不含硫化镉的样品才刚刚起亮,这说明该样品的发光主要是由于硫化镉增加的电子数目对发光的贡献.同时这些电子在SiO2中得到了明显的加速.  
        关键词：薄膜电致发光(TFEL);传导电荷;碰撞激发;阈值电压;流明效率   
        95
        |
        67
        |
        7
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1566530 false
        更新时间：2020-08-11

      • 氟锆酸盐玻璃(ZBLAN)中Nd3+和Er3+的紫外上转换发光

        王劼, 陈一竑, 干福熹
        1995, 16(3): 192-198.
        摘要：利用Ar离子激光器激发掺Nd3+和Er3+的氟化物玻璃,获得了近紫外的上转换发光.测量了上转换荧光的功率特性和浓度特性.阐述了紫外上转换的能级跃迁过程,并与理论作了对比.  
        关键词：稀土离子;上转换;紫外发光   
        115
        |
        67
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1566502 false
        更新时间：2020-08-11

      • 新结构电致发光薄膜器件的发光区域

        陈立春, 王向军, 徐叙瑢, 姚健铨
        1995, 16(3): 199-204.
        摘要：在发光层中插入无发光中心的ZnS薄膜,研究了新结构器件发光层中发光中心周围的广的分布与发光中心在薄膜中位置的关系,确定在SiO2/ZnS:Tb界面附近区域的发光中心周围有较多的F,远离该界面区域的发光中心周围的F-离子较少,前一区域的发光中心的发光亮度较低,后一区域的发光中心的发光亮度较高,并拟合出前一区域的厚度为18nm.  
        关键词：发光区域;薄膜;电致发光   
        101
        |
        75
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1566488 false
        更新时间：2020-08-11

      • 有机光子选通烧孔材料中受体浓度对光致填孔的影响研究

        姜联合, 田明真, 吕少哲, 黄世华, 虞家琪
        1995, 16(3): 205-210.
        摘要：研究了光谱烧孔的填孔过程,在几种有机电子转移型永久性烧孔材料中,得到了光谱烧孔的光擦除过程中孔的擦除程度随样品中受体浓度的减少而减弱,并受擦孔光的光子能量影响,同时与受体本身性质有关的实验结果.得出填孔过程也是一种电子转移过程的结论,并提出了一个能级模型对实验结果进行了分析.  
        关键词：有机薄膜;光致填孔;受体浓度   
        99
        |
        71
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1565921 false
        更新时间：2020-08-11

      • 氧化处理多孔硅的光致发光和发光衰减

        李清山, 李鹏, 马玉蓉, 方容川, 蔡志岗, 徐志凌
        1995, 16(3): 211-216.
        摘要：用沸硫酸对多孔硅进行了处理,测量了它们的红外吸收光谱、光致发光光谱和发光衰减.对氢、氧的作用进行了讨论,发现氧的加入可使发光强度增加两个数量级,发光衰减变快.用三层发光模型对结果进行了讨论.  
        关键词：多孔硅;后处理;发光衰减;三层模型   
        106
        |
        84
        |
        4
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1565984 false
        更新时间：2020-08-11

      • 用MOCVD方法生长的GaAs/GaAsP量子线及其特性

        傅竹西
        1995, 16(3): 217-223.
        摘要：本实验采用普通的光刻和湿法腐蚀技术,将GaAs基片刻蚀成具有W形沟槽样的非平面结构,基片表面为(100)面,沟槽的侧斜面为(111)B面.在此基片上用低压MOCVD设备外延生长了GaAs/GaAsP多层膜,通过扫描电镜和微区拉曼光谱,研究它们的生长特性,发现GaAs和GaAsP的生长速率与基片的晶向及基片上的生长位置有关.根据这一生长特性,选择合适的W形沟道形状,用常规的量子阱外延方式,在W形沟道中央顶部突起的线条状平面上形成宝塔形生长,从而在尖端长出量子线.低温荧光光谱中观察到相应的能量峰,从而证实量子线的存在.  
        关键词：GaAs/GaAsP量子线;非平面基片;MOCVD外延生长   
        107
        |
        90
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1565943 false
        更新时间：2020-08-11

      • MMgF4:Eu(M=Ca,Sr,Ba)体系中铕离子的发光中心及价态

        尤洪鹏, 石春山
        1995, 16(3): 224-227.
        摘要：合成了铕离子激活的MMgF4.磷光体,研究了Eu3+离子的光谱特征与基质化合物的关系,存在三类发光中心,讨论了基质组成对铕离子价态的影响.  
        关键词：发光中心;铕的价态;ESR波谱   
        111
        |
        48
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1565901 false
        更新时间：2020-08-11

      • 红宝石R'、B线及U、Y带压力移位的理论计算

        黄小益
        1995, 16(3): 228-231.
        摘要：基于电子径向波函数在加压下扩展的概念,把B、C、Dq、ξ等参量表示成线性压缩κ\的函数,并进一步考虑三角场作用,理论计算了红宝石R'、B线及U、Y带的光谱压力移位,结果与实验数据符合很好.  
        关键词：晶场;三角场;光谱压力移位;红宝石   
        97
        |
        56
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1566522 false
        更新时间：2020-08-11

      • 静压下Znse/Zn1-xCdxSe应变超晶格的光致发光研究

        李文深, 池元斌, 李岩梅, 范希武, 杨宝均, 申德振, 吕有明
        1995, 16(3): 232-237.
        摘要：本文首次在室温和0-2.5GPa静压范围内研究了Znse/Zn0.74Cd0.26Se应变超晶格的静压光致发光,观察到了室温条件下的超晶格阱层的重空穴激子跃迁随压力的亚线性变化的特性.经过计算机拟合实验数据得到了一阶和二阶压力系数.理论计算得到的一阶压力系数与实验得到的压力系数符合得较好.  
        关键词：静压;光致发光;Znse/ZnCdse应变超晶格   
        120
        |
        70
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1566553 false
        更新时间：2020-08-11

      • 高压下Na5Tb(WO4)4单晶的光谱

        郭常新
        1995, 16(3): 238-243.
        摘要：研究了Na5Tb(WO4)4单晶的高压发光规律,化学计量的Na5Tb(WO4)4基质发光单晶的发光来源于基质中高浓度Tb3+.用金刚石对顶砧显微光谱系统在0-4GPa范围内研究了Na5Tb(WO4)4的室温高压光谱,确定了各发射谱线的高压移动率.对Tb3+的5D4→7Fj(j=0,1,2,3,4,5),测到18条谱线高压移动率中除一条(5D4→7F2,常压峰值15509cm-1)蓝移外,都红移,红移率最大为-19.5cm-1/GPa(对应谱线5D4→7F4,常压峰值16876cm-1),与Tb3+在其它基质中相比,此移动率很大.  
        关键词：发光;高压;Na5Tb(WO4)4;Tb3+;单晶   
        99
        |
        52
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1565911 false
        更新时间：2020-08-11

      • 磁场中强耦合表面极化子的性质

        肖玮, 孙宝权, 肖景林
        1995, 16(3): 244-248.
        摘要：本文研究磁场中强耦合表面极化子的性质,采用线性组合算符法导出表面极化子的基态能量和振动频率.对AgCl和KCl晶体进行了数值计算.结果表明,磁场中强耦合表面极化子的振动频率随磁场的增加而增大,基态能量随磁场的增加而减少.  
        关键词：强耦合;表面极化子;基态能量;振动频率   
        95
        |
        69
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1565973 false
        更新时间：2020-08-11

      • SiO2薄膜的制备方法与性质

        陈立春, 王向军, 徐叙瑢, 姚健铨
        1995, 16(3): 249-255.
        摘要：本文采用光电子能谱和扫描电镜方法研究了溅射沉积条件对SiO2薄膜的表面上的针孔、薄膜原子结构的影响,并分析了不同条件下制备的SiO2薄膜中电子的输运过程.  
        关键词：薄膜;光电子能谱;SiO2   
        107
        |
        52
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1565962 false
        更新时间：2020-08-11

      • 陶瓷基片薄膜电致发光器件

        赵伟明, 张志林, 蒋雪茵, 刘祖刚, 许少鸿
        1995, 16(3): 256-260.
        摘要：本文报道了一种新颖的陶瓷基片薄膜电致发光器件(CSTFEL),使用高介电常数的陶瓷片作器件的基片,同时又作为器件中的绝缘层,陶瓷片表面无需抛光处理,直接制作发光器件,工艺简单,用市电50Hz,220V驱动,亮度大于30cd/m2,寿命大于10000小时.  
        关键词：陶瓷;介电层;薄膜电致发光   
        116
        |
        66
        |
        4
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1566541 false
        更新时间：2020-08-11

      • 微波热效应合成(Y,Gd)BO3:Eu3+荧光体

        李沅英, 彭明立, 冯守华
        1995, 16(3): 261-264.
        摘要：本文首次报道用微波热效应法合成(Y,Gd)BO3:EU3+荧光体粉晶材料,X射线粉末衍射确认为六方晶系,晶胞参数a=0.3796nm,c=0.8835nm;在589nm和613.0nm监测下,其激发光谱峰是239.0nm和240.0nm,半高宽40nm.在240.0nm激发下,589nm和612-626nm的荧光强度比为1.9/1.  
        关键词：微波热效应;合成;荧光体   
        100
        |
        78
        |
        8
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1566511 false
        更新时间：2020-08-11
      • 刘立杰, 于荣金, 马少杰
        1995, 16(3): 265-272.
        摘要：应用有效折射率/有限元法(EI-FEM),考虑到LiNbO3晶体和Ti扩散的各向异性,折射率增量与寻常光、非寻常光及波长色散的关系,设计了1.55μm光波长下工作的z切y传播Ti:LiNbO3单模条波导的制备参数,计算和分析了其单模特性、模式场分布及其变化规律.扩展了EI-FEM,将其用于求解耦合波导系统,确定了方向耦合器的耦合长度及其波长色散特性.  
        关键词：有效折射率法;有限元法;Ti:LiNbO3光波导;方向耦合器   
        99
        |
        51
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1565950 false
        更新时间：2020-08-11

      • 一种新的测量单线态氧的化学发光体系

        陈季武, 胡天喜
        1995, 16(3): 273-277.
        摘要：通过试验,建立了以磺化铝酞菁(Alpcs)-海萤萤光素类似物(CLA)经He-Ne激光照射产生并可检测单线态氧的化学发光体系,该体系灵敏、简便、快速、实用.  
        关键词：单线态氧;磺化铝酞菁;海萤萤光素类似物;He-Ne激光;化学发光   
        117
        |
        80
        |
        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1566584 false
        更新时间：2020-08-11

      • CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究

        窦恺, 赵家龙, 靳春明, 孙聆东, 黄世华, 虞家琪, 向卫东, 丁子上
        1995, 16(3): 278-280.
        摘要：CdS半导体微晶作为代表性介观材料(mesoscopic material)其光学吸收和发光与量子尺寸效应的关系已经得到广泛研究[1-4],发现随着CdS微晶尺寸减小,CdS本征吸收和发射带呈现显著蓝移.Rossetti等人[3]和Y.Wang等人[4]分别通过对溶胶、沸石、聚合物和玻璃中CdS纳米晶体的光致发光测量研究了发光来源以及发光与尺寸的关系,确定了两个宽带发光分别属于带隙发光(350-500nm)和表面态或缺陷发光(500-700nm).本文首次报道了利用溶胶凝胶方法制备的钠硼硅中纳米尺寸CdS晶体高激发功率条件下的发光光谱测量结果,观察到随激发功率增加发光光谱兰移和线宽明显宽化,讨论了其物理机制.  
          
        121
        |
        76
        |
        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1566571 false
        更新时间：2020-08-11

      • 高亮度高效率蓝色聚合物发光二极管

        张志林, 蒋雪茵, 许少鸿, 长友隆男, 大本修
        1995, 16(3): 281-284.
        摘要：蓝色聚合物发光二极管是人们关注的课题,前不久,我们报道[1]了利用ITO/PVCz/BBOT/Mg·Ag结构达到亮度1700cd/m2,量子效率0.2%的蓝色器件.在本文中我们报道以掺杂perylene(PRL)和triphenylamine(TPA)的poly(N-vinylcar-bazole)(PVCz)为空穴传输层,以PBD为空穴锁住层,Alq为电子注入层的器件,其亮度达6100cd/m2,量子效率达0.7500,流明效率0.451m/W的蓝色发光器件.就我们所知,这个亮度是蓝光中最高的亮度.  
          
        108
        |
        69
        |
        4
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 1565933 false
        更新时间：2020-08-11
      0