用MOCVD方法生长的GaAs/GaAsP量子线及其特性

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论文 | 更新时间：2020-08-11

- 用MOCVD方法生长的GaAs/GaAsP量子线及其特性
- THE GROWTH OF GaAs/GaAsP QUANTUM WIRES BY MOCVD
- 发光学报 1995年16卷第3期页码：217-223
- 作者机构：
  
  中国科学技术大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1994-09-07，
  
  纸质出版：1995-08-30
- 稿件说明：
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傅竹西. 用MOCVD方法生长的GaAs/GaAsP量子线及其特性[J]. 发光学报, 1995,16(3): 217-223

Fu Zhuxi. THE GROWTH OF GaAs/GaAsP QUANTUM WIRES BY MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(3): 217-223
傅竹西. 用MOCVD方法生长的GaAs/GaAsP量子线及其特性[J]. 发光学报, 1995,16(3): 217-223 DOI：

Fu Zhuxi. THE GROWTH OF GaAs/GaAsP QUANTUM WIRES BY MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1995,16(3): 217-223 DOI：

本实验采用普通的光刻和湿法腐蚀技术

将GaAs基片刻蚀成具有W形沟槽样的非平面结构

基片表面为(100)面

沟槽的侧斜面为(111)B面.在此基片上用低压MOCVD设备外延生长了GaAs/GaAsP多层膜

通过扫描电镜和微区拉曼光谱

研究它们的生长特性

发现GaAs和GaAsP的生长速率与基片的晶向及基片上的生长位置有关.根据这一生长特性

选择合适的W形沟道形状

用常规的量子阱外延方式

在W形沟道中央顶部突起的线条状平面上形成宝塔形生长

从而在尖端长出量子线.低温荧光光谱中观察到相应的能量峰

从而证实量子线的存在.

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