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超辐射发光二极管制备技术与研究进展
器件制备及器件物理 | 更新时间:2026-07-23
    • 超辐射发光二极管制备技术与研究进展

      增强出版
    • Preparation Technology and Research Progress on Superluminescent Diodes

    • 发光学报   2026年47卷第7期 页码:1222-1236
    • DOI:10.37188/CJL.20260067    

      中图分类号: TN312.8
    • CSTR:32170.14.CJL.20260067    
    • 收稿:2026-03-06

      修回:2026-03-20

      网络首发:2026-04-07

      纸质出版:2026-07-25

    移动端阅览

  • 赵鑫,王泱迪,赵晓壮等.超辐射发光二极管制备技术与研究进展[J].发光学报,2026,47(07):1222-1236. DOI: 10.37188/CJL.20260067. CSTR: 32170.14.CJL.20260067.

    ZHAO Xin,WANG Yangdi,ZHAO Xiaozhuang,et al.Preparation Technology and Research Progress on Superluminescent Diodes[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(07):1222-1236. DOI: 10.37188/CJL.20260067. CSTR: 32170.14.CJL.20260067.

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相关作者

赵鑫
王泱迪
赵晓壮
吴丹
栗博
贾慧民
唐吉龙
魏志鹏

相关机构

长春理工大学 半导体激光重点实验室
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 特种发光科学与技术全国重点实验室
中国科学院大学
北京工业大学 激光工程研究院
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