基于Al/Ag电极的倒置顶发射QLED

王宇龙; 高岩; 赵基臣; 张志远; 申怀彬; 彭俊彪

doi:10.37188/CJL.20260034

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基于Al/Ag电极的倒置顶发射QLED

更新时间：2026-08-19

- 基于Al/Ag电极的倒置顶发射QLED
  增强出版
- Inverted top-emitting QLED based on Al/Ag electrodes
- 发光学报 2026年页码：1-9
- 作者机构：
  
  1.发光材料与器件全国重点实验室，华南理工大学高分子光电材料及器件研究所，广州 510641
  2.河南大学特种功能材料重点实验室，开封 475004
- 作者简介：
  
  王宇龙（2001-），男，河南禹州人，硕士研究生，2023年于河南科技大学获得学士学位，主要从事量子点发光二极管的研究。yulong202205@163. com
  申怀彬（1981-），男，河南开封人，博士，教授，博士生导师，2011年于吉林大学获得博士学位，主要从事荧光量子点材料的合成、组装、规模化制备以及基于荧光量子点的发光器件和发光薄膜应用方面的研究。
  彭俊彪，（1962-），男，山东宁津人，博士，教授，博士生导师，1993 年于中国科学院长春物理研究所获得博士学位，主要从事有机发光材料、器件以及驱动相关的研究。E-mail： psjbpeng@scut.edu.cn
- 基金信息：
  
  广东省重点领域研发计划项目(2022B0303010001)
- DOI：10.37188/CJL.20260034
  中图分类号：
- CSTR：32170.14.CJL.20260034
- 网络首发：2026-08-19，
- 稿件说明：
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王宇龙,高岩,赵基臣等.基于Al/Ag电极的倒置顶发射QLED[J].发光学报,

WANG Yulong,GAO Yan,ZHAO Jichen,et al.Inverted top-emitting QLED based on Al/Ag electrodes[J].Chinese Journal of Luminescence,
王宇龙,高岩,赵基臣等.基于Al/Ag电极的倒置顶发射QLED[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20260034 CSTR： 32170.14.CJL.20260034.

WANG Yulong,GAO Yan,ZHAO Jichen,et al.Inverted top-emitting QLED based on Al/Ag electrodes[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20260034 CSTR： 32170.14.CJL.20260034.

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