Los diodos emisores de luz de puntos cuánticos con emisión superior (Quantum dot light-emitting diode, QLED) tienen una tasa de apertura de píxeles más alta y un valor de aplicación importante en la tecnología de visualización. Este artículo primero diseña un ánodo semi-transparente de Al/Ag; el dispositivo de emisión superior invertido preparado alcanza una eficiencia cuántica externa máxima (EQE_max) y una eficiencia de corriente máxima (CE_max) de 25.0 % y 54.1 cd/A, respectivamente, mejorando en un 22.5 % y 27.2 % en comparación con dispositivos con ánodo de Ag puro. El estudio muestra que Al/Ag mejora la capacidad de inyección de huecos, lo que favorece el equilibrio en la inyección de cargas. Luego, se estudió el efecto de la microcavidad de emisión superior en el rendimiento lumínico del dispositivo, encontrando que el grosor del electrodo y la longitud de la cavidad del dispositivo regulan su rendimiento; cuando Ag y ZnMgO son de 27 nm y 65 nm respectivamente, el rendimiento del dispositivo es óptimo. Finalmente, se exploró el impacto de la microcavidad en la recombinación de excitones, encontrando que el efecto Purcell puede acelerar la recombinación radiativa de excitones.

QLED de emisión superior;Electrodo semi-transparente Al/Ag;Dispositivo de emisión invertida