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基于乙二醇亚相Langmuir‑Blodgett技术的高性能量子点发光二极管
器件制备及器件物理 | 更新时间：2026-05-21

    • 基于乙二醇亚相Langmuir‑Blodgett技术的高性能量子点发光二极管

      增强出版

    • High-performance Quantum Dot Light‑emitting Diode Based on Ethylene Glycol Subphase Langmuir-Blodgett Technique

    • 发光学报   2026年47卷第5期 页码：828-834

    • DOI：10.37188/CJL.20260023    

      中图分类号： TN312.8
    • CSTR：32170.14.CJL.20260023    

    • 收稿：2026-01-22，

      修回：2026-02-05，

      纸质出版：2026-05-25

    移动端阅览

  • 池瑾轩,谢潇婷,刘洋等.基于乙二醇亚相Langmuir‑Blodgett技术的高性能量子点发光二极管[J].发光学报,2026,47(05):828-834. DOI： 10.37188/CJL.20260023. CSTR： 32170.14.CJL.20260023.

    CHI Jinxuan,XIE Xiaoting,LIU Yang,et al.High-performance Quantum Dot Light‑emitting Diode Based on Ethylene Glycol Subphase Langmuir-Blodgett Technique[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(05):828-834. DOI： 10.37188/CJL.20260023. CSTR： 32170.14.CJL.20260023.

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刘洋

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福建师范大学 柔性电子研究院
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