Hochleistungs-Quantum-Dot-Leuchtdiode basierend auf der Langmuir-Blodgett-Technik mit Ethylenglykol-Subphase

CHI Jinxuan ,  

XIE Xiaoting ,  

LIU Yang ,  

LI Fushan ,  

摘要

Ethylenglykol (EG) wurde als Subphase anstelle von Wasser in der Langmuir-Blodgett (LB)-Technik verwendet, um hochwertige Quantenpunktfilme herzustellen und die durch den Kontakt mit der wässrigen Phase im traditionellen LB-Verfahren verursachte Degradation der Quantenpunkteigenschaften und Leckströme in den Geräten zu beheben. Durch Optimierung der LB-Beschichtungsparameter wurde eine gleichmäßige, dichte Monolage von Quantenpunkten erhalten, die als Leuchtschicht für die Herstellung eines roten QLED-Geräts verwendet wurde. Die Verwendung der EG-Subphase vermied effektiv negative Auswirkungen von Wasserresten auf die Leistung der Quantenpunktgeräte, während der optimierte LB-Film effektiv Leckströme im Gerät unterdrückte und hervorragende elektrolumineszente Eigenschaften zeigte: rote Lichtemission mit einer Halbwertsbreite von 22 nm bei 630 nm, maximale externe Quanteneffizienz von 26,1 % und eine T95-Lebensdauer von 3.272 Stunden bei einer Anfangshelligkeit von 1000 cd·m-2, was deutlich besser ist als bei herkömmlichen LB-Geräten mit wässriger Phase und Spin-Coating-Geräten. Die Studie zeigt, dass die LB-Technik mit EG-Subphase einen praktikablen Weg zur Realisierung von hocheffizienten und langlebigen Quantenpunktanzeigegeräten durch Unterdrückung von Grenzflächendefekten und Leckströmen bietet.

关键词

Quantum-Dot-Leuchtdioden (QLEDs); Langmuir-Blodgett-Technik; Monolage von Quantenpunkten

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