基于乙二醇亚相Langmuir‑Blodgett技术的高性能量子点发光二极管研究

池瑾轩; 谢潇婷; 刘洋; 李福山

doi:10.37188/CJL.20260023

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基于乙二醇亚相Langmuir‑Blodgett技术的高性能量子点发光二极管研究

更新时间：2026-03-16

- 基于乙二醇亚相Langmuir‑Blodgett技术的高性能量子点发光二极管研究
  增强出版
- High-Performance Quantum Dot Light‑emitting Diode Based on Ethylene Glycol Subphase Langmuir-Blodgett Technique
- ““”这段话用原文，不用改”
- 发光学报 2026年页码：1-7
- 作者机构：
  
  1.福州大学物理与信息工程学院，福建福州 350108
  2.中国福建省光电信息科技创新实验室，福建福州 350108
  3.福建师范大学柔性电子研究院
- 作者简介：
  
  [ "池瑾轩（2001-），男，福建福州人，硕士研究生，2023年于武汉理工大学获得学士学位，主要从事量子点发光器件制备及性能提升的研究。E-mail： jinxuan_chi@163.com" ]
  [ "刘洋（1991-），男，河南许昌人，博士，教授，2019年于福州大学获得博士学位，主要从事量子点的微纳组装及新型发光传感等器件开发的研究。E-mail： ifeyliu@fjnu.edu.cn" ]
  [ "李福山（1978-），男，福建莆田人，博士，研究员，2005年于北京大学获得博士学位，主要从事量子点光电材料与器件的相关研究。E-mail： fsli@fzu.edu.cn" ]
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(52572156)
- DOI：10.37188/CJL.20260023
  中图分类号：
- CSTR：32170.14.CJL.20260023
- 网络首发：2026-03-16，
- 稿件说明：
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池瑾轩,谢潇婷,刘洋等.基于乙二醇亚相Langmuir‑Blodgett技术的高性能量子点发光二极管研究[J].发光学报,

CHI Jinxuan,XIE Xiaoting,LIU Yang,et al.High-Performance Quantum Dot Light‑emitting Diode Based on Ethylene Glycol Subphase Langmuir-Blodgett Technique[J].Chinese Journal of Luminescence,
池瑾轩,谢潇婷,刘洋等.基于乙二醇亚相Langmuir‑Blodgett技术的高性能量子点发光二极管研究[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20260023 CSTR： 32170.14.CJL.20260023.

CHI Jinxuan,XIE Xiaoting,LIU Yang,et al.High-Performance Quantum Dot Light‑emitting Diode Based on Ethylene Glycol Subphase Langmuir-Blodgett Technique[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20260023 CSTR： 32170.14.CJL.20260023.

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基于乙二醇亚相Langmuir‑Blodgett技术的高性能量子点发光二极管研究

High-Performance Quantum Dot Light‑emitting Diode Based on Ethylene Glycol Subphase Langmuir-Blodgett Technique

DOI：10.37188/CJL.20260023