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基于纳米压印的高分辨率和高效率量子点发光二极管
器件制备及器件物理 | 更新时间:2025-06-23
    • 基于纳米压印的高分辨率和高效率量子点发光二极管

      增强出版
    • High-resolution and High-performance Quantum Dots Light-emitting Diode Based on Nanoimprint

    • 在量子点发光二极管领域,采用纳米压印技术制备的蜂窝状PMMA薄膜作为电荷阻挡层,成功提升了红色QLED器件的外量子效率和亮度。
    • 发光学报   2025年46卷第6期 页码:1120-1128
    • DOI:10.37188/CJL.20250009    

      中图分类号: TN312.8
    • CSTR:32170.14.CJL.20250009    
    • 收稿日期:2025-01-09

      修回日期:2025-02-07

      纸质出版日期:2025-06-25

    移动端阅览

  • 黄兴云,谢潇婷,杨开宇等.基于纳米压印的高分辨率和高效率量子点发光二极管[J].发光学报,2025,46(06):1120-1128. DOI: 10.37188/CJL.20250009. CSTR: 32170.14.CJL.20250009.

    HUANG Xingyun,XIE Xiaoting,YANG Kaiyu,et al.High-resolution and High-performance Quantum Dots Light-emitting Diode Based on Nanoimprint[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(06):1120-1128. DOI: 10.37188/CJL.20250009. CSTR: 32170.14.CJL.20250009.

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