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AlGaAs插入结构对InAlGaAs/AlGaAs多量子阱发光特性影响研究
更新时间：2025-01-08
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    • AlGaAs插入结构对InAlGaAs/AlGaAs多量子阱发光特性影响研究

      增强出版

    • Study on the Influence of AlGaAs Insertion Structure on the Luminescence Characteristics of InAlGaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells

    • “InAlGaAs/AlGaAs多量子阱材料研究取得新进展，通过合理设计插入层显著提高量子阱光学性能。”
    • 发光学报   2025年 页码：1-8

    • DOI：10.37188/CJL.20240318    

      中图分类号：
    • CSTR：32170. 14. CJL. 20240318    

    • 网络出版日期：2025-01-08，

    移动端阅览

  • 赵书存, 王海珠, 王登魁, 等. AlGaAs插入结构对InAlGaAs/AlGaAs多量子阱发光特性影响研究[J/OL]. 发光学报, 2025,1-8. DOI： 10.37188/CJL.20240318. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240318.

    ZHAO SHUCUN, WANG HAIZHU, WANG DENGKUI, et al. Study on the Influence of AlGaAs Insertion Structure on the Luminescence Characteristics of InAlGaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells. [J/OL]. Chinese journal of luminescence, 2025, 1-8. DOI： 10.37188/CJL.20240318. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240318.

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