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AlGaAs插入结构对InAlGaAs/AlGaAs多量子阱发光特性的影响
材料合成及性能 | 更新时间：2025-04-21

    • AlGaAs插入结构对InAlGaAs/AlGaAs多量子阱发光特性的影响

      增强出版

    • Influence of AlGaAs Insertion Structure on Luminescence Characteristics of InAlGaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells

    • “InAlGaAs/AlGaAs多量子阱材料研究取得新进展，通过合理设计插入层显著提高量子阱光学性能。”
    • 发光学报   2025年46卷第4期 页码：683-690

    • DOI：10.37188/CJL.20240318    

      中图分类号： O482.31
    • CSTR：32170. 14. CJL. 20240318    

    • 收稿日期：2024-12-05，

      修回日期：2024-12-23，

      纸质出版日期：2025-04-25

    移动端阅览

  • 赵书存,王海珠,王登魁等.AlGaAs插入结构对InAlGaAs/AlGaAs多量子阱发光特性的影响[J].发光学报,2025,46(04):683-690. DOI： 10.37188/CJL.20240318. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240318.

    ZHAO Shucun,WANG Haizhu,WANG Dengkui,et al.Influence of AlGaAs Insertion Structure on Luminescence Characteristics of InAlGaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(04):683-690. DOI： 10.37188/CJL.20240318. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240318.

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