Los pozos cuánticos múltiples InAlGaAs/AlGaAs (MQWs) han recibido cada vez más atención en las regiones del infrarrojo cercano y la luz visible debido a su amplio rango espectral, convirtiéndose en un tema emergente de investigación. Este estudio utiliza la técnica de crecimiento MOCVD para preparar materiales de pozos cuánticos múltiples InAlGaAs/AlGaAs. Basándose en los factores principales a considerar al seleccionar la capa de inserción (ISL) y en cálculos teóricos, se investigó el efecto de la estructura de la capa de inserción sobre las propiedades de emisión de los pozos cuánticos. Se diseñaron y crecieron pozos cuánticos InAlGaAs sin capa de inserción y capas de inserción AlGaAs con diferentes grosores y composiciones de Al. Los resultados experimentales muestran que la introducción de la capa de inserción mejora significativamente la intensidad de emisión de los pozos cuánticos. Aunque existen estados localizados en las muestras, la presencia de la capa de inserción no introduce más estados localizados y no cambia el mecanismo de recombinación de portadores en los pozos cuánticos. Los resultados proporcionan un análisis teórico importante y datos experimentales para la optimización estructural de los pozos cuánticos InAlGaAs y la técnica de capas de inserción, indicando que un diseño razonable de la capa de inserción puede mejorar significativamente las propiedades ópticas de los pozos cuánticos InAlGaAs.

Pozos cuánticos múltiples InAlGaAs; capa de inserción; deposición química de vapor metalorgánico (MOCVD)