Los pozos cuánticos múltiples InAlGaAs/AlGaAs (MQWs) han recibido cada vez más atención en las regiones del infrarrojo cercano y la luz visible debido a su amplio rango espectral, y se han convertido en un área emergente de investigación. En este estudio se utilizó la técnica de crecimiento MOCVD para preparar materiales de pozos cuánticos múltiples InAlGaAs/AlGaAs. Basándose en los principales factores que deben considerarse al seleccionar el material de la capa de inserción (ISL) y en cálculos teóricos, se investigó el efecto de la estructura de la capa de inserción en las propiedades de emisión de los pozos cuánticos. Se diseñaron y cultivaron pozos cuánticos InAlGaAs sin capa de inserción y capas de inserción AlGaAs con diferentes grosores y diferentes composiciones de Al. Los resultados experimentales mostraron que la introducción de la capa de inserción mejoró significativamente la intensidad de emisión de los pozos cuánticos. Aunque existen estados localizados en las muestras, la presencia de la capa de inserción no introdujo más estados localizados y no alteró el mecanismo de recombinación de portadores en los pozos cuánticos. Los resultados del estudio proporcionan un análisis teórico importante y datos experimentales para la optimización estructural de los pozos cuánticos InAlGaAs y la tecnología de capa de inserción, lo que indica que un diseño razonable de la capa de inserción puede mejorar significativamente el rendimiento óptico de los pozos cuánticos InAlGaAs.

Pozos cuánticos múltiples InAlGaAs; capa de inserción; deposición química de vapor metal-orgánica (MOCVD)