Los pozos cuánticos múltiples InAlGaAs/AlGaAs (MQWs) han recibido cada vez más atención en las regiones del infrarrojo cercano y la luz visible debido a su amplio rango espectral, y se han convertido en un tema emergente de investigación. Este estudio utiliza la tecnología de crecimiento MOCVD para preparar materiales de pozos cuánticos múltiples InAlGaAs/AlGaAs. Basándose en los principales factores a considerar al seleccionar materiales para la capa de inserción (ISL) y en cálculos teóricos, se investiga el efecto de la estructura de la capa de inserción sobre las propiedades de emisión de los pozos cuánticos. Se diseñaron y cultivaron pozos cuánticos InAlGaAs sin capa de inserción y capas de inserción de AlGaAs con diferentes grosores y diferentes composiciones de aluminio. Los resultados experimentales muestran que la introducción de la capa de inserción mejora significativamente la intensidad de emisión de los pozos cuánticos. Aunque existen estados localizados en las muestras, la presencia de la capa de inserción no introduce más estados localizados, y su presencia no altera el mecanismo de recombinación de portadores en los pozos cuánticos. Los resultados del estudio proporcionan un análisis teórico importante y datos experimentales para la optimización estructural de los pozos cuánticos InAlGaAs y la tecnología de capas de inserción, demostrando que un diseño razonable de la capa de inserción puede mejorar significativamente el rendimiento óptico de los pozos cuánticos InAlGaAs.

Pozos cuánticos múltiples InAlGaAs; capa de inserción; depósito químico en fase vapor metalorgánico (MOCVD)