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ZnO基器件中的负光电导特性研究
特邀报告 | 更新时间：2025-04-21

    • ZnO基器件中的负光电导特性研究

      增强出版

    • Negative Photoconductivity in ZnO Devices

    • “氧化锌负光电导特性研究，为构建高效逻辑电路、发光二极管、太阳能电池和超高分辨率成像传感器提供新思路。”
    • 发光学报   2025年46卷第4期 页码：582-596

    • DOI：10.37188/CJL.20240270    

      中图分类号： O482.31
    • CSTR：32170. 14. CJL. 20240270    

    • 收稿日期：2024-10-20，

      修回日期：2024-11-05，

      纸质出版日期：2025-04-25

    移动端阅览

  • 张晴怡,杨羽欣,刘凯等.ZnO基器件中的负光电导特性研究[J].发光学报,2025,46(04):582-596. DOI： 10.37188/CJL.20240270. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240270.

    ZHANG Qingyi,YANG Yuxin,LIU Kai,et al.Negative Photoconductivity in ZnO Devices[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(04):582-596. DOI： 10.37188/CJL.20240270. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240270.

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相关作者

史钧达
杨汝琪
胡杜楠
刘如敏
余涛
吕建国
贺立龙
向敏华

相关机构

浙江大学 材料科学与工程学院， 硅及先进半导体材料全国重点实验室
东南大学 电子科学与工程学院， 数字医学工程全国重点实验室
江苏大学 农业工程学院
中山大学 物理学院， 光电材料与技术国家重点实验室
浙江农林大学 光机电工程学院
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