氧空位对非晶InGaZnO基肖特基势垒二极管性能的影响

贾斌; 童晓闻; 韩子康; 秦明; 王立峰; 黄晓东

doi:10.37188/CJL.20240265

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氧空位对非晶InGaZnO基肖特基势垒二极管性能的影响

更新时间：2025-01-03

- 氧空位对非晶InGaZnO基肖特基势垒二极管性能的影响
  增强出版
- Impact of Oxygen Vacancy on the Performance of Amorphous InGaZnO based Schottky Barrier Diode
- “在能量收集微系统领域，整流电路技术取得了重大进展。xx专家通过调节InGaZnO薄膜中的氧空位浓度优化了整流二极管的性能，为能量转换和管理系统的构建奠定了基础。”
- 发光学报 2025年页码：1-9
- 作者机构：
  
  1.东南大学集成电路学院，江苏南京 210096
  2.东南大学电子科学与工程学院，江苏南京 210096
- 作者简介：
  
  [ "贾斌（1993-），男，河南许昌人，博士研究生，2020 年于郑州大学获得硕士学位，主要从事微系统集成的研究。Email:jiabin@seu. edu. cn" ]
  [ "王立峰（1981-），男，江苏常州人，博士，副教授，副研究员，高工，博士生导师，2013年于东南大学获得博士学位，主要从事微型传感器和MEMS工艺的研究。" ]
  [ "黄晓东（1982-），男，福建南平人，博士，教授，博士生导师，2013年于香港大学获得博士学位，主要从事能量信息一体化器件与集成技术的研究。" ]
- 基金信息：
  
  the National Key R&D Program of China under Grants(2020YFB2007400);the National Natural Science Foundation of China under Grants(61974026)
- DOI：10.37188/CJL.20240265
  中图分类号： Document
- CSTR：32170. 14. CJL. 20240265
- 网络出版日期：2025-01-03，
- 稿件说明：
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贾斌, 童晓闻, 韩子康, 等. 氧空位对非晶InGaZnO基肖特基势垒二极管性能的影响[J/OL]. 发光学报, 2025,1-9.

JIA BIN, TONG XIAOWEN, HAN ZIKANG, et al. Impact of Oxygen Vacancy on the Performance of Amorphous InGaZnO based Schottky Barrier Diode. [J/OL]. Chinese journal of luminescence, 2025, 1-9.
贾斌, 童晓闻, 韩子康, 等. 氧空位对非晶InGaZnO基肖特基势垒二极管性能的影响[J/OL]. 发光学报, 2025,1-9. DOI： 10.37188/CJL.20240265. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240265.

JIA BIN, TONG XIAOWEN, HAN ZIKANG, et al. Impact of Oxygen Vacancy on the Performance of Amorphous InGaZnO based Schottky Barrier Diode. [J/OL]. Chinese journal of luminescence, 2025, 1-9. DOI： 10.37188/CJL.20240265. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240265.

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