氧空位对非晶InGaZnO基肖特基势垒二极管性能的影响

贾斌; 童晓闻; 韩子康; 秦明; 王立峰; 黄晓东

doi:10.37188/CJL.20240265

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氧空位对非晶InGaZnO基肖特基势垒二极管性能的影响

特邀报告 | 更新时间：2025-03-24

- 氧空位对非晶InGaZnO基肖特基势垒二极管性能的影响
  增强出版
- Impact of Oxygen Vacancy on Performance of Amorphous InGaZnO Based Schottky Barrier Diode
- “在能量收集微系统领域，整流电路是将交流电转换为直流电不可或缺的。本研究介绍了通过调节InGaZnO薄膜中的氧空位浓度来优化二极管性能的研究进展。专家研究人员通过调节氧空位有效地控制了二极管的电性能，为优化整流二极管提供了一种方法。”
- 发光学报 2025年46卷第3期页码：412-420
- 作者机构：
  
  1.东南大学集成电路学院，江苏南京 210096
  2.东南大学电子科学与工程学院，江苏南京 210096
- 作者简介：
  
  [ "贾斌（1993-），男，河南许昌人，博士研究生，2020年于郑州大学获得硕士学位，主要从事微系统集成的研究。E-mail： jiabin@seu. edu. cn" ]
  [ "王立峰（1981-），男，江苏常州人，博士，副教授，副研究员，高级工程师，博士生导师，2013年于东南大学获得博士学位，主要从事微型传感器和MEMS工艺的研究。" ]
  [ "黄晓东（1982-），男，福建南平人，博士，教授，博士生导师，2013年于中国香港大学获得博士学位，主要从事能量信息一体化器件与集成技术的研究。" ]
- 基金信息：
  
  National Key R&D Program of China(2020YFB2007400);National Natural Science Foundation of China(61974026)
- DOI：10.37188/CJL.20240265
  中图分类号： TN311.7
- CSTR：32170. 14. CJL. 20240265
- 收稿日期：2024-10-20，
  
  修回日期：2024-12-09，
  
  纸质出版日期：2025-03-25
- 稿件说明：
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贾斌,童晓闻,韩子康等.氧空位对非晶InGaZnO基肖特基势垒二极管性能的影响[J].发光学报,2025,46(03):412-420.

JIA Bin,TONG Xiaowen,HAN Zikang,et al.Impact of Oxygen Vacancy on Performance of Amorphous InGaZnO Based Schottky Barrier Diode[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(03):412-420.
贾斌,童晓闻,韩子康等.氧空位对非晶InGaZnO基肖特基势垒二极管性能的影响[J].发光学报,2025,46(03):412-420. DOI： 10.37188/CJL.20240265. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240265.

JIA Bin,TONG Xiaowen,HAN Zikang,et al.Impact of Oxygen Vacancy on Performance of Amorphous InGaZnO Based Schottky Barrier Diode[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(03):412-420. DOI： 10.37188/CJL.20240265. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240265.

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