Выпрямительные цепи как ключевые компоненты для преобразования переменного тока в постоянный играют важную роль в микроэнергетических системах. Традиционные кремниевые или германиевые выпрямительные диоды ограничивают интеграцию системы из-за специфики производственного процесса. В отличие от них оксидные металлодиоды демонстрируют преимущества благодаря простоте изготовления. Вакансии кислорода в оксидных полупроводниках значительно влияют на электрические характеристики устройства, поэтому регулирование концентрации вакансий кислорода эффективно контролирует характеристики диодов. Для оптимизации характеристик диодов в настоящем исследовании концентрация вакансий кислорода в тонкой пленке InGaZnO была эффективно отрегулирована путем изменения потока кислорода во время процесса напыления. Экспериментальные результаты показали, что данный диод при напряжении 1 В имеет прямую плотность тока 43,82 A·cm^-2, коэффициент выпрямления 6,94×10⁴ и способен эффективно выпрямлять входной синусоидальный сигнал 1 кГц, 5 В, демонстрируя большой потенциал для преобразования и управления энергией. Регулирование вакансий кислорода предоставляет идеи и методы для оптимизации характеристик выпрямительных диодов.

InGaZnO;шоттки-барьерный диод;вакансии кислорода;выпрямительные характеристики