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带宽超30 GHz的850 nm方形横向耦合腔VCSEL
器件制备及器件物理 | 更新时间：2026-09-12

    • 带宽超30 GHz的850 nm方形横向耦合腔VCSEL

      增强出版

    • 850 nm Square Transversely Coupled Cavity VCSEL with Bandwidth Over 30 GHz

    • 发光学报   2024年45卷第3期 页码：493-499

    • DOI：10.37188/CJL.20240004    

      中图分类号： TN248.4

    • 收稿：2024-01-03，

      修回：2024-01-22，

      纸质出版：2024-03-05

    移动端阅览

  • 佟海霞,王延靖,田思聪等.带宽超30 GHz的850 nm方形横向耦合腔VCSEL[J].发光学报,2024,45(03):493-499. DOI： 10.37188/CJL.20240004.

    TONG Haixia,WANG Yanjing,TIAN Sicong,et al.850 nm Square Transversely Coupled Cavity VCSEL with Bandwidth Over 30 GHz[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(03):493-499. DOI： 10.37188/CJL.20240004.

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相关作者

佟海霞
王延靖
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李浩
魏志鹏

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长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室
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