VCSEL de cavidad acoplada transversal cuadrada de 850 nm con ancho de banda superior a 30 GHz

TONG Haixia ,  

WANG Yanjing ,  

TIAN Sicong ,  

JIANG Ning ,  

LI Hao ,  

TONG Cunzhu ,  

WEI Zhipeng ,  

摘要

Actualmente, el interés por investigar la estructura del láser de emisión de superficie con cavidad acoplada está en aumento. Esta estructura mejora el ancho de banda aplicando una modulación eléctrica a la cavidad principal mientras se aplica corriente continua a cada cavidad de retroalimentación. Sin embargo, el impacto de conducir únicamente la cavidad principal en el rendimiento del dispositivo no ha sido profundamente estudiado. Para comprender mejor el láser de cavidad acoplada, diseñamos y fabricamos un VCSEL de cavidad acoplada transversal cuadrada de 30 μm × 30 μm y estudiamos los cambios en el rendimiento del dispositivo al conducir solo la cavidad principal en esta cavidad acoplada transversal cuadrada. A temperatura ambiente, el ancho de banda a -3 dB alcanzó los 30.1 GHz, y bajo modulación no retorno a cero, se obtuvo un diagrama de ojo claro a una velocidad de transmisión de 40 Gbit/s en enlace espalda con espalda, con un nivel de ruido de intensidad relativo de -160 dB/Hz. Se demostró que la cavidad de retroalimentación continúa ejerciendo un efecto positivo en el rendimiento de la cavidad principal incluso sin ser conducida. El dispositivo TCC-VCSEL diseñado solo requiere una fuente de alimentación, lo que lo hace adecuado para la integración de alta densidad y proporciona nuevas ideas para aplicaciones de integración empaquetada.

关键词

Láser de cavidad vertical;Cavidad acoplada transversal;Alta velocidad

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