2.8 μm Passively Q-switched Er∶YAP Laser Based on VSe2 Broadband Saturable Absorber
Device Fabrication and Physics|更新时间:2026-06-24
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2.8 μm Passively Q-switched Er∶YAP Laser Based on VSe2 Broadband Saturable Absorber
增强出版
Chinese Journal of LuminescenceVol. 47, Issue 6, Pages: 1052-1059(2026)
作者机构:
1.黄淮学院 电子信息学院, 河南 驻马店 463000
2.河南大学 迈阿密学院, 河南 开封 475004
3.河南大学 物理与电子学院, 河南 开封 475004
作者简介:
基金信息:
the Key Scientific Research Project Plan of Higher Education Institutions in Henan Province(25B140016);the Natural Science Foundation of Henan Province(202300410070)