最新刊期
      2002年第23卷第2期

        学术论文

      • GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化

        罗向东, 徐仲英, 葛惟琨
        2002, 23(2): 109-111.
        摘要：我们利用光荧光(PL)以及时间分辨光谱(TRPL)研究了用MBE生长在GaAs衬底上的GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化。研究发现,在低温下用连续光(CW)激发,由于GaNAs中势振荡所产生的局域激子发光是所测量到光谱的主要发光来源。然而在脉冲激发下,情况完全不同。在高载流子密度激发或者高温下GaNAs/GaAs量子阱中例外,一个高能端的PL峰成为了主要的发光来源。通过研究,我们将这个新的发光峰指认为量子阱中非局域激子复合的PL峰。这个发光峰在温度和激发强度的变化过程中与局域激子相互竞争。我们相信这一过程也是许多文献所报道的在InGaN和AlGaN等氮化物中经常观测到的发光峰位随温度“S”形变化的主要根源。  
        关键词：GaNAs;红外;量子阱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 采用N2-RF等离子体氮化GaAs(001)

        秦志新, 陈志忠, 周建辉, 张国义
        2002, 23(2): 114-118.
        摘要：研究了在MBE系统中,GaAs(001)表面的氮化过程。GaAs(001)表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N2发生器挡板的情况下,氮化导致GaAs(001)表面损伤,并且形成多晶结构。当增加N2气压时,损伤变得更严重。但是,在关闭N2发生器挡板的情况下,在500℃下,经过氮化将观察到(3×3)再构的RHEED花样,表面仍保持原子级的平整度。上述结果表明,不开N2发生器挡板,低温(500℃下)氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c-GaN。  
        关键词：GaN;氮化;分子束外延   
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        更新时间：2020-08-11
      • 张晓丹, 赵杰, 王永晨, 金鹏
        2002, 23(2): 119-123.
        摘要：采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法,研究了由Si3N4、SiO2电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱(MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3N4、SiO2作为电介质盖层,用来产生空位,再经过快速热退火处理(RTA)。实验结果表明:多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3N4复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2复合盖层。而InGaAs、SiO2复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3N4复合盖层。同时,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致,因此,PR谱是用于测试带隙变化的另一种方法。  
        关键词：无杂质空位诱导无序;光荧光谱;光调制反射谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质

        陈志忠, 秦志新, 沈波, 朱建民, 郑有炓, 张国义
        2002, 23(2): 124-128.
        摘要：用透射电子显微镜(TEM),X射线衍射(XRD)和光荧光谱(PL)等测量手段研究了GaN薄膜的微结构和光学性质。样品是用光辐射加热MOCVD在蓝宝石衬底上制备的。随着衬底氮化时间的增加,扩展缺陷的密度显著增加。在位错密度增加一个数量级时,XRD摇摆曲线半宽度(FWHM)由11″增加到15″,PL谱的黄光发射从几乎可忽略增加到带边发射强度的100倍。结合生长条件,我们对黄光与微结构的关系作了讨论。  
        关键词：氮化镓;微结构;光学性质   
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        更新时间：2020-08-11

      • 部分有序(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)合金的发光衰退过程

        吕毅军, 高玉琳, 郑健生, 蔡志岗, 桑海宇, 曾学然
        2002, 23(2): 129-132.
        摘要：利用时间分辨光谱研究了(AlxGa1-x)0.51In0.49P合金的时间衰退过程,观察到载流子的转移过程和PL谱峰蓝移现象。这和变温发光谱中谱峰的Z-型依赖关系相吻合。这种现象明显表明了载流子的转移过程和子带的存在,证实了我们对超晶格带折叠效应的猜测。子带是由于有序结构的超晶格效应使导带的L带折叠到Γ带,载流子在时间衰退过程中从Γ带转移到L带。时间分辨光谱的蓝移现象同时也揭示了PL变温谱中谱峰反常蓝移现象的来源。  
        关键词：Ⅲ-Ⅴ化合物;有序结构;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • MOCVD外延Hg1-xCdxTe/Cd1-yZnyTe薄膜的光致发光

        黄晖, 许京军, 王吉有, 张存洲, 姬荣斌, 潘顺臣, 张光寅
        2002, 23(2): 133-136.
        摘要：利用Raman显微镜系统对两块用MOCVD方法在Cd0.96Zn0.04Te衬底上生长的Hg0.8Cd0.2Te外延薄膜样品在光谱范围50～5000cm-1进行了测量,在其中的一块样品上首次发现了143eV至193eV范围内出现的具有周期结构的光致发光峰,该发光峰对应的能带中心位于Hg0.8Cd0.2Te外延层导带底上方173eV,在另外一块外延薄膜样品中仅观察到四个Raman散射峰,没有周期结构的发光峰。为了分析上述光致发光的起因,对两块样品进行了X射线的双晶回摆曲线样品结构分析,得出样品在143eV至193eV范围的光致发光峰是由于改进MOCVD生长工艺提高了样品的结构质量所致,通过分析指出该光致发光峰是来源于Hg0.8Cd0.2Te外延层中的阴性离子空位的共振能级。  
        关键词：MOCVD;Hg0.8Cd0.2Te外延薄膜;光致发光;Raman显微镜   
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        更新时间：2020-08-11

      • 退火温度对a-Se0.70 Ge0.15Sb0.15薄膜的结构和光学性质的影响

        Farag E M, Ammar A H, Soliman H S
        2002, 23(2): 137-144.
        摘要：研究了退火温度对Se0.70Ge0.15Sb0.15薄膜的影响。通过热蒸发技术,在300K温度下将大块无定形Se0.70 Ge0.15Sb0.15沉积在石英和玻璃衬底上。研究发现,未经过退火处理的薄膜结构和在300K,1.33×10-5Pa下退火1小时后的薄膜结构都是无定形结构,而在同样气压470K温度下退火1小时的薄膜有结晶现象通过在300～2500nm范围内垂直入射光方向上透射率和反射率的测试,研究了薄膜的一些光学参数,如消光系数(k),折射系数(n)和吸收系数(α)。研究发现,n和k同热处理温度有关。通过光学数据的分析,得到了不同条件下薄膜的间接带隙宽度(Egnon),未经过热处理薄膜的Egnon是1.715±0.021eV,300K下退火薄膜的Egnon是1.643±0.021eV,470K下退火的Egnon是1.527±0.021eV。退火温度降低了带隙宽度Egnon,但增加了带尾Ee。这种效应可以根据Mott和Davis提出的多晶体系中态密度来解释。  
        关键词：多晶;Se0.70Ge0.15Sb0.15薄膜;光学特性;退火   
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        更新时间：2020-08-11

      • 用巯基乙酸作稳定剂制备CdSe纳米晶的光学性质

        Wageh S, 刘舒曼, 徐叙瑢
        2002, 23(2): 145-151.
        摘要：以巯基乙酸为稳定剂制备了CdSe纳米晶,通过尺寸选择沉淀得到2nm到3nm之间不同尺寸的纳米晶,利用室温光吸收,光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱来研究了CdSe纳米团簇的光学性质。紫外可见吸收谱给出了具有清晰激光特征的尖锐吸收边,这表明样品的尺寸分布很窄。光致发光研究表明,样品有两个发射带,一个具有较高能量位于吸收边,来自电子-空穴对从最低激发态能级弛豫后的辐射复合,另一个低能发射带归属于基质与纳米晶界面存在的俘获中心。PLE谱中有2个吸收带,分别是S-S和P-P跃迁。最后还给出了不同激发能量下的发光特性。  
        关键词：CdSe;纳米晶;光致发光;光致发光激发   
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        更新时间：2020-08-11

      • 掺镱磷酸盐玻璃的光谱特性

        毛艳丽, 邓佩珍, 干福熹, 戴世勋, 杨海峰, 沈文忠
        2002, 23(2): 152-156.
        摘要：测量了不同温度下Yb3+离子在磷酸盐玻璃中的吸收光谱,发现吸收峰随温度升高发生蓝移,且有一反常吸收峰出现,可能来自另一种格位中心。根据低温下的吸收光谱和荧光光谱确定了Yb3+离子在磷酸盐玻璃中的能级结构,并利用选择激发荧光光谱研究了掺Yb3+磷酸盐的格位选择特征。  
        关键词：掺Yb3+磷酸盐玻璃;选择激发;吸收光谱;荧光光谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • Y3+对水溶液聚合结构中Eu3+的荧光增强作用

        尹显洪, 谭民裕, 韩超, 冯艳华
        2002, 23(2): 157-161.
        摘要：合成了两种双功能的配体2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶(BDPA)和双(2,6-二羧基-4-吡啶基)硫醚(SDPA)。观察到Y3+能明显提高水溶液聚合结构中Eu3+的荧光强度。荧光增强机制表明,Eu3+、Y3+和配体所构成的水溶液聚合结构,有利于使Y3+配合物中的配体所吸收的能量有效地转移给Eu3+。  
        关键词：稀土;荧光;铕配合物;钇配合物   
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        更新时间：2020-08-11

      • 聚乙烯基咔唑与8-羟基喹啉铝混合体系的荧光衰减

        张立功, 蒋大鹏, 范翊, 李亚军, 申德振
        2002, 23(2): 162-164.
        摘要：报道了8-羟基喹啉铝和聚乙烯基咔唑薄膜及其混合体系膜的荧光衰减特性。聚乙烯基咔唑/8-羟基喹啉铝重量比100:4的混合膜在波长540nm和460nm处的荧光衰减时间分别为6.47ns和8.5ns。重量比100:10混合膜在波长540nm和460nm处的荧光衰减时间分别为5.5ns和7.9ns。上述两波长对应8羟基喹啉铝和聚乙烯基咔唑分子荧光发射。混合体系的荧光寿命仅为8羟基喹啉铝分子荧光寿命的40%,同时也低于聚乙烯基咔唑14ns的荧光寿命。荧光寿命的减少反映出两种分子之间存在较强的相互作用或形成了分子复合体。  
        关键词：荧光衰减;8-羟基喹啉铝;聚乙稀基咔唑   
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        更新时间：2020-08-11

      • 稳定的光谱不随电流变化而改变的白色有机发光器件

        蒋雪茵, 张志林, 张步新, 朱文清, 郑新友, 许少鸿
        2002, 23(2): 165-170.
        摘要：使用新材料构成了两种结构白色有机薄膜电致发光器件,一种是蓝色及红色发射在同一层中,另一种是蓝色发射和红色发射分别在两层中,器件结构分别为ITO/CuPc/NPB/JBEM(P):DCJT/Alq/MgAg(器件1)和ITO/CuPc/NPB/JBEM(P)/Alq:DCJT/Alq/MgAg(器件2)。这里Copper phthalocyanine(CuPc)是空穴注入层;N,N'-bis(1naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4-4'-diamine(NPB)是空穴传输层(HTL);9,10-bis(3'-5'-diaryl)phenyl anthracene(JBEM)是蓝色发射层[12];tris(8-quinolinolato)aluminium complex(Alq)是电子传输层(ETL);DCJT是红色染料。在器件1中得到稳定的且色度不随电流增大而变化的白色发射。它的最大亮度为14850cd/m2,最大效率288lm/W,色度x=031,y=038(从4mA/cm2到200mA/cm2),半亮度寿命为2860小时(初始亮度1000cd/m2)。比较了两种结构的器件,蓝红色发射在同一层结构的器件,在亮度、效率及稳定性上都优于蓝红发射在不同层结构的器件。  
        关键词：白色器件;色度电流关系;稳定性   
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        更新时间：2020-08-11
      • 李娟, 华玉林, 牛霞, 王奕, 吴晓明
        2002, 23(2): 171-174.
        摘要：对以MEH-PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管(OLED)器件在最佳条件下进行真空热处理,并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比,最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2.0V,半寿命提高了12.7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体,从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现,另一方面,热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力,提高电子注入水平。  
        关键词：有机发光二极管;可溶性聚对苯乙炔;热处理;黑斑;界面   
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        更新时间：2020-08-11

      • 非共轭聚合物PPV衍生物中烷氧基团对发光性质的影响

        徐征, 章婷, 陈晓红, 刘育新, 沈鸿
        2002, 23(2): 175-178.
        摘要：研究了3种非共轭PPV聚合物以及3种共轭PPV衍生物的吸收谱和发光光谱的特性。非共轭PPV聚合物上的侧链烷氧基团有着很强的供电子能力,对调节非共轭聚合物能带带隙有重要的影响,且离主链较近的碳原子对能带结构也有一定的影响。但当侧链上的碳原子数量很大,从7个小时一直变化到10小时,共轭PPV衍生物的吸收光谱和发光光谱变化较少,表明对能带结构影响小。  
        关键词：非共轭PPV聚合物;共轭PPV衍生物;烷氧基团;能带结构   
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        更新时间：2020-08-11

      • 一种偶氮接枝聚氨酯材料的光致变色性质

        易文辉, 曹猛, 封伟, 韦玮, 吴洪才, 陈烽, 杨文正, 杨青
        2002, 23(2): 179-182.
        摘要：采用接枝共聚的方法合成了一种具有偶氮侧基的聚氨酯材料,利用旋转涂膜法制备了该材料的薄膜。在室温下测试了该薄膜的吸收光谱和光致变色性质。并且研究了曝光时间与激光功率密度对光致变色性质的影响。发现,该材料在波长为532nm激光作用下,500nm处吸收减弱,360nm处吸收增强。随着曝光时间的延长和激光功率密度的增大,这种变化趋势增强。  
        关键词：光致变色;偶氮染料;聚氨酯;接枝   
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        更新时间：2020-08-11

      • PPV固态类阴极射线发光动力学的研究

        曲崇, 徐征, 陈晓红, 邓朝勇, 于文革, 杨胜
        2002, 23(2): 183-185.
        摘要：制备了三种结构的薄膜电致发光器件,以PPV作为发光层,SiO2作加速层,证明了固态类阴极射线发光的存在,对其发光动力学中的一些问题进行了研究,固态类阴极射线发光这一现象将为形成一类新的平板显示技术的开创成为可能。  
        关键词：固态类阴极射线发光;传导电流;平板显示   
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        更新时间：2020-08-11

      • 大肠杆菌的直接比色检测及其机理

        马保亮, 范翊, 张立功, 沈冰, 李亚军
        2002, 23(2): 186-190.
        摘要：带有甘露糖的聚双炔薄膜能够识别大肠杆菌并与它们结合,更重要的是结合可以导致聚双炔薄膜的颜色发生改变,这种颜色变化很容易用裸眼观察到并且可以通过可见吸收光谱定量分析。这种通过聚双炔薄膜对分子识别的直接检测方法不仅为该薄膜在生物传感器发展领域中的应用开辟了一条新途径,而且为诊断应用和筛选新的连接配体提供了可能。此外,为了理解颜色变化的机理,我们用共振喇曼光谱和傅立叶变换红外光谱对聚双炔的亲合变色特性进行了检测。结果表明:当由蓝到红的颜色变化发生时,聚合物骨架的侧链进行了重新排列,同时聚合物骨架的电子结构由炔的形式转变为三烯的形式。  
        关键词：分子识别;大肠杆菌;朗缪(LB)技术;甘露糖   
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        更新时间：2020-08-11

      • 雷震子护康胶囊制剂抗氧化和对DNA损伤保护作用研究

        翟万银, 朱振勤, 陈季武, 王云丹, 赵子寅, 胡天喜
        2002, 23(2): 191-196.
        摘要：雷震子护康胶囊以低聚原花青素、灵芝多糖、绞股蓝总皂甙及一定量的维生素C等为主要成分而制成,有多种保健功能。为研究该复方制剂的抗氧化作用,采用七种化学发光体系和一种比色体系研究了雷震子直接清除活性氧、活性氮和对·OH引起的DNA损伤的保护作用。结果表明雷震子能有效清除O2·、·OH、H2O2、ONOO-和全血嗜中性白细胞“呼吸爆发”产生的活性氧,抑制脂质过氧化,保护DNA免受·OH的氧化损伤。这些结果提示,雷震子是一种有效的抗氧化复方制剂,其强烈的抗氧化活性可能是其保健功能的重要药理基础之一。  
        关键词：雷震子;活性氧;活性氮;DNA损伤;抗氧化剂   
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        更新时间：2020-08-11

      • 彩色PDP荧光粉的劣化研究

        蔡红红, 卜忍安, 王文江
        2002, 23(2): 197-200.
        摘要：彩色等离子体平板显示器件已经成为信息显示领域重要发展方向之一,荧光粉对PDP器件的性能起着决定性的作用。PDP中的荧光粉是通过丝网印刷的方法涂敷的。荧光粉在制成丝网印刷用荧光粉浆料过程中,以及制成PDP器件的过程中,都可能使荧光粉的性能降低,这就是工序劣化。在制成PDP器件后,荧光粉的性能还会随着使用时间的延长进一步降低,这就是历时劣化。本文分析了荧光粉的工序劣化和历时劣化产生的原因,设计制作了单色PDP试验屏,采用CRT Color Analyzer(CA-100)测量了荧光粉在PDP器件中的色坐标,并与荧光粉生产厂家提供的色坐标进行比较,从而获得了荧光粉的工序劣化和历时劣化值。试验结果表明,绿粉(Zn2SiO4:Mn2+)和蓝粉(BaMgAl10O17:Eu2+)的工序劣化较严重,蓝粉的历时劣化最严重,其y坐标增大10%,x坐标增大5%。我们认为改进荧光粉浆料成份和配比,从而降低荧光粉的烧结温度以及采用比表面积大的荧光粉颗粒,有助于改善工序劣化;改进MgO的性能,提高其溅射能力以及采用新的驱动方法以避免荧光粉遭受离子轰击,将有助于改善历时劣化。  
        关键词：PDP;荧光粉;工序劣化;历时劣化   
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        更新时间：2020-08-11

      • 彩色PDP中荧光粉发光色坐标的测量方法研究

        卜忍安, 蔡红红, 张劲涛
        2002, 23(2): 201-205.
        摘要：等离子体显示器已成为平板显示领域主要发展方向之一。在等离子体显示器上测得的色坐标包含了两部分:一部分是荧光粉在PDP器件中发光色的色坐标,一部分是PDP工作时气体放电的色坐标。在PDP屏的制作过程中,荧光粉经历了浆料制备、干燥、烧结以及老炼等工艺过程。因此,荧光粉在PDP屏上表现出的色坐标比起荧光粉体来说会产生一些变化。本文以测量PDP中荧光粉发光色坐标为目的,提出了一种用单色PDP屏色坐标、亮度和同结构下气体放电色坐标、亮度来获得荧光粉在PDP屏中色坐标和亮度的方法,设计制作了测试PDP屏三基色荧光粉发光色坐标所用的单色试验屏。用CRT Color Analyzer(CA-100)对PDP屏和PDP屏上气体放电产生的亮度和色坐标都进行了测量,根据合成颜色的三刺激值与二种已知颜色的三刺激值具有线性叠加关系,计算出了荧光粉在PDP器件中的色坐标和亮度。同时,用WGD-3型组合式多功能光栅光谱仪对PDP屏和气体放电的发光光谱进行了测量,用计算机将测得的发光光谱在同波长下相减,从而获得了荧光粉在PDP屏中的发光光谱。结果表明绿粉和蓝粉的色坐标变化较大,而红粉变化较小,使得PDP白场色温向较低的方向变化。绿粉和蓝粉的发光谱线的半峰宽与原粉比较都有减小,峰值发光强度也减小了,绿粉的峰值发光波长从526nm变至523.4nm。  
        关键词：等离子体显示器;荧光粉;色度坐标;发光光谱   
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        更新时间：2020-08-11
      • 任新光
        2002, 23(2): 206-208.
        摘要：以特纯CdSe为标样,用火焰原子吸收法(FAAS),分别测定CdSe薄膜晶体管(TFT)中Cd与Se的含量及化学组成质量比,分别验证了CdSe粉末总量测定值,CdSe粉末化学组成质量比测定值,薄膜样品测定值的准确度,其相对误差分别为0.42%、-3.8%和-0.5%。分析了薄膜样品化学组成质量比及影响其匹配的因素。通过测定数据对TFT的质量提供评价,进而指导操作工艺的改进。本实验由于采用同一标样,被测物质与标准样品的组成和浓度基本相同,消除了元素间的相互干扰,提高了分析结果的准确度,并无需作干扰和回收率实验。  
        关键词：火焰原子吸收法;硒化镉;薄膜晶体管;硒;镉   
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        更新时间：2020-08-11

      • 应用于LED显示屏中的光纤放大器

        孙亚光
        2002, 23(2): 209-213.
        摘要：目前国内LED显示屏行业都是采用通讯线进行数据传输,但采用这种方式传输的不足是,在传输过程中信号间存在干扰,在终端的接口处还有较强的静电,在对显示屏进行检测时,通常是带电操作,这会对检测带来不便,严重时还会损坏器件。随着光纤通讯产品的发展,使得这一问题得以解决,在长距离数据通讯部分利用光纤放大,不仅可以增大通讯距离,还可以消除静电、干扰等不良影响,使显示屏有更优越的传输性能。光纤放大器利用掺铒光纤的特性进行光信号的传输,通过光耦合器及光检测器稳定信号系统和控制泵光源强度。输入信号光对传输系统起到决定性的作用,在电路中采用LD数字式光源驱动,输出采用直流偏置,可得到稳定的光信号输出。在LD光源驱动电路中,温度及老化现象会造成激光器输出功率下降,而自动温度控制电路及自动功率控制电路可对之进行补偿。  
        关键词：视频屏;数字线路;光纤放大器   
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        更新时间：2020-08-11
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