最新刊期

    1992年第13卷第1期

      论文

    • CaSiO3:Ce,Mn体系中Ce3+→Mn2+的能量传递研究

      张晓, 刘行仁
      1992, 13(1): 1-9.
      摘要:本文研究了CasiO3:Ce,Mn体系中Ce3+和Mn2+的发光及Ce3+→Mn2+的能量传递特性.分别采用Forster-Dexter电多极相互作用理论和Inokuti-Hirayama能量传递理论,研究了该体系中Ce3+→Mn2+的高效无辐射能量传递情况.结果表明,Ce3+→Mn2+的高效能量传递是以电偶极—偶极相互作用为主的电偶极—偶极和偶极—四极相互作用的共同结果.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • 类金钢石非晶碳薄膜的光吸收和光致发光研究

      李清山, 马玉蓉, 郭骅, 方容川, 许存义
      1992, 13(1): 11-15.
      摘要:我们用激光轰击石墨靶成功地制备出类金刚石无氢非晶碳薄膜.测量了光学吸收、光致发光及其随入射光强度的变化关系.结果表明,这种薄膜具有类金刚石的性质,光学带隙在1.67-2.25eV,发光在可见光区呈宽带结构.低激发强度下发光强度超线性变化,而在高激发强度下则为线性发光.我们用非成对载流子复合的模型对结果给出了合理的解释.用带尾态饱和的模型解释了发光峰值随激发光强增加而蓝移的现象.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • 铕(Ⅲ)离子光谱探针Eu(DBM)32AP络合物中Eu(Ⅲ)格位

      金林培, 张雪萍, 王明昭, 黄世华, 秦伟平
      1992, 13(1): 16-20.
      摘要:在77K测得的激发光谱说明Eu(DBM)32AP(DBM:二苯甲酸甲烷根,AP:安替吡啉)络合物中Eu3+离子仅有一种晶格格位.5DO7FJ(J=0-4)跃迁光谱说明中心Eu3+离子具有C2v格位对称性.实验测得的配位体总电荷为-2.75,与理论计算值-3.00吻合较好.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • 用不同强度皮秒脉冲相关技术测量甲酚紫吸收恢复时间

      刘俊业, 李多录, 金周哲, 靳春明, 黄世华, 虞家琪
      1992, 13(1): 21-25.
      摘要:以Ar+离子锁模激光器同步泵浦R6G染料激光器作光源,用不同强度皮秒脉冲相关的泵涌—探测技术测得甲酚紫甲醇溶液的吸收恢复时间为162±3.5ps.并且用三能级模型对这一动力学过程进行了理论分析.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • 强耦合多原子极性晶体中的表面激子

      肖景林
      1992, 13(1): 26-35.
      摘要:本文研究多原子极性晶体中表面激子的性质.采用线性组合算符和拉格朗日乘子法,导出强耦合多原子极性晶体中表面激子的有效哈密顿量,得到了强耦合表面激子的重正化质量.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • MeBeF4(Me=Ca,Sr,Ba)中钐的价态及光谱

      曹志成, 石春山
      1992, 13(1): 36-40.
      摘要:讨论了MeBeF4基质中钐离子的光谱及价态.还原气氛中仅在SrBeF4和BaBeF4中观察到了Sm2+的发射.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • 半导体超晶格结构参数的X射线衍射运动学理论的计算

      王玉田, 马琳, 庄蔚华
      1992, 13(1): 41-46.
      摘要:本文基于X射线衍射的运动学理论,给出了超晶格的结构因子.运用计算机模拟计算技术,成功地解出了超晶格的结构参数.证明X射线运动学理论适用于所有的超晶格结构,和动力学理论同样有效,而且理论计算简单.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • 一种研究粉末电致发光(EL)器件频率特性的新方法

      周连祥
      1992, 13(1): 47-56.
      摘要:提出了一种简单的研究粉末电致发光(EL)器件频率特性的新方法.用这种方法可以使用最少和最一般的设备条件很方便地测量粉末EL器件的有功电流、无功电流、损耗角和发光效率等重要参量及其随频率的变化特性.也可用来简单快速地测量介质和电容器的损耗特性. 试验并论证了方法的合理性,可行性及其物理依据.分析了方法的系统误差及随机误差.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • Ga1-xInxAs/InAsyP1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征

      周天明, 金亿鑫, 蒋红, 元金山, 张宝林, 杜明泽, 葛中久
      1992, 13(1): 57-63.
      摘要:Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • 有机薄膜的光致发光和电致发光

      刘祖刚, 蒋雪茵, 张志林, 许少鸿
      1992, 13(1): 64-69.
      摘要:制备了以Alq3为发光物质的有机薄膜电致发光器件,得到了30V直流电压下100cd/m2的绿色发光.探讨了Alq3薄膜的光致发光和器件的电致发光机理.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • 某些查耳酮化合物的发光

      K. P. Dhake, N. K. Chudgar, S. N. Shah, A. K. Nehate, S. N. Patil
      1992, 13(1): 70-74.
      摘要:本文叙述了两个同质查耳酮系列的合成.一个带有查耳酮中心链(系列Ⅰ),另一个是系列Ⅰ的酯类(系列Ⅱ).研究了每个系列中三种化合物的发光,发现两个系列的所有化合物都能见到发光.系列Ⅰ中的化合物在峰值为360nm处可见到发光,而系Ⅱ列中的化合物未能观测到这一波长的发光.然而,在峰值为470nm处两者均可见到发光.得出的结论是,消除非键电子微扰作用的氢键是系列Ⅰ中的化合物在360nm处出现发光的原因.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • 叶绿素a、b分子体系激子相干迁移的时间特性

      马英忠, 唐树延
      1992, 13(1): 75-79.
      摘要:本文利用激发能传递的广义主方程理论和光谱实验结果,首次研究了相同和相异叶绿素分子体系的激子相干迁移的时间特性.Chla分子间的相干时间为350fs,Chlb分子间为160fs,Chla与Chlb分子间为200fs.主要叶绿素分子间的激子相干迁移属弛豫前转移过程.并分析了该迁移的作用及影响相干时间长短的主要因素.  
        
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      更新时间:2020-08-11
    • 彩色液晶显示用彩色滤色膜的光学与色度特性

      公猛男, 金长峰, 于敬华, 王晓光, 黄宽, 尹少章, 黄锡珉
      1992, 13(1): 80-86.
      摘要:利用可溶性高聚合物和光感剂材料,采用光刻技术制成了用于彩色液晶显示的彩色滤色膜,并对其进行了光学与色度特性的测量.  
        
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      更新时间:2020-08-11
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