最新刊期
      1983年第4卷第2期

        发光的一般问题

      • ZnS:Mn2+,Sm3+粉末材料中Mn2+和Sm3+之间的能量传递

        许武, 张新夷, 徐叙瑢
        1983, 4(2): 1-10.
        摘要：研究了ZnS粉末材料中Mn2+中心和Sm3+中心之间的相互作用.通过测量单独由Mn2+或Sm3+掺杂及Mn2+,Sm3+同时掺杂的ZnS粉末材料的发射光谱、激发光谱、发光衰减以及选择激发发光光谱,证实了Mn2+和Sm3+之间存在偶极子-偶极子相互作用的无辐射能量传递.同时还计算了能量传递几率和传递效率.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Mn2+和RE3+在ZnS和ZnSe中的Auger猝灭

        胡小朋, 海鹰, 卢家琪, 黎虹, 吕安德, 杨宝钧, 蒋雪茵, 黄世华, 董玉敏
        1983, 4(2): 11-17.
        摘要：在改变MS结势垒区宽度的同时,我们测量了在ZnSe:Mn2+晶体、ZnS:Er3+和ZnS:Sm3+薄膜中的Mn2+、RE3+特征谱的电致发光衰减.测量了高阻和低阻ZnS:Mn2+在变化温度(77K—500K)时,Mn2+发光强度的改变.认为在室温以下,Mn2+和RE3+在低阻ZnS和ZnSe中的辐射跃迁均受到Auger猝灭的影响.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        电致发光

      • ZnS:Mn交流电致发光的效率与Mn浓度的关系和浓度猝灭

        钟国柱, 赵国璋, 刘时惕, 陶世文, 王淑琴
        1983, 4(2): 18-25.
        摘要：从实验上确定了交流电致发光薄膜Y2O3-ZnS:Mn-Y2O3的发光效率与Mn浓度的关系:在低浓度下(10-5～10-4g/g),发光效率随Mn浓度线性增加,在10-3g/g附近发光效率达到最大值,当Mn浓度继续增加时,发光效率开始下降.在ZnS:Mn薄膜中存在两种发光中心—单个Mn中心和Mn对,它们的衰减都是指数形式,它们激发态的寿命随Mn浓度增加而减.Mn对发光中心与单个Mn中心之比随Mn浓度增加而增加.从而减少了有效的发光中心数目,这是浓度猝灭的原因之一.发光效率在高Mn浓度时下降的另外原因是由于电隅极子之间共振能量传递引起浓度猝灭.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Mn,Cu粉末p-V-n结直流电致发光

        陈坚令, 洪秀霞
        1983, 4(2): 26-34.
        摘要：对ZnS:Mn,Cu粉末DCEL屏的形成过程及光电特性作了研究.观测到经形成的EL屏具有整流特性及相位开关效应,发光局限于阳极附近,EL屏具有光生伏特效应.随着形成电压的提高与形成时间的延续,EL屏的电容量由大变小,局部发光区(结区)也从阳极附近向体内迁移.上述实验结果表明:经形成EL屏的阳极附近存在势垒-CuxS-ZnS:Mn,Cu异质结.文中采用p-v-n结模型分析发光屏的导电机构及激发机制,指出发光区的迁移是EL屏退化的重要因素之一.采用正弦电压(频率20Hz—20kHz)激励,观测EL屏的形成过程.初步认为,EL屏的形成与老化过程主要由热引起.因此,制备具有高度热稳定性的包铜ZnS粉末屏是十分重要的.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 交流电致发光屏功耗测量

        付竹西
        1983, 4(2): 51-56.
        摘要：本文分析了目前测交流电致发光屏功耗通用的补偿法所存在的问题,并通过计算导出此法适用的范围.在此基础上设计了交流电桥法,直接测量发光屏等效电阻和等效电容,通过等效电阻计算发光屏功耗.这样,克服了补偿法存在的问题,并在一定程度上消除了发光屏非线性阻抗特性对功耗测量的影响.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 脉冲激发下粉末直流电致发光(DCEL)矩阵显示屏的电光特性

        杨忠义, 孙瑞增, 孔祥贵, 刘天夫
        1983, 4(2): 57-62.
        摘要：ZnS:Mn、Cu粉末DCEL矩阵显示器件是一种新型平板发光显示器件.目前,只有英国达到了实际应用的水平,并有商品出售,其它国家尚处于研制阶段.我国对这种显示器件的研究已有十多年的历史,目前,已达到实际应用的水平.本文主要讨论我国研制的粉末DCEL矩阵显示器件在实际应用方面的电—光测量.实验所提供的数据,可供应用参考.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 特性异常的发光管的分析研究

        詹素真, 郑广富
        1983, 4(2): 63-69.
        摘要：介绍了二类不同结构的(表面和侧面发射型)红外发光二极管.研究和分析了它们在低频大电流脉冲注入下的Pp—Ip特性和直流注入下的光谱特性.结果表明:正常情况下,器件具有线性的Pp—Ip特性,直流注入下的发射光谱具有高斯分布形状,对于Burrus表面发射型器件,在0—3A的峰值脉冲电流注入下,部分器件具有的异常Pp—Ip特性:线性-亚线性-超线性区.在20—100mA的直流电流注入下,部分器件的发射光谱具有多峰状.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Ⅱ一Ⅵ族粉末直流电致发光材料(DCEL)国外研究情况

        罗晞, 周连祥
        1983, 4(2): 70-79.
        摘要：1954年Zalm首次发现了直流电致发光(DCEL)现象,但是在1966年前DCEL材料并未引起人们的注意,研究工作也很少.当时,DCEL材料亮度低,激发电压高,发光只限于个别颗粒,半寿命极短以致难于进行定量的测量.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 粉末DCEL发光区的随机性

        周连祥, 罗晞, 张惠芬, 孔祥贵
        1983, 4(2): 80-81.
        摘要：粉末DCEL屏(夹心式)的发光区是在紧靠阳极的一个很薄(大约1μ)的区域内,这是至今所有研究者一致的结论.本文作者在实验中证实,粉末DCEL屏的发光区位置具有随机性,通常它可出现在任何难以予料的位置上,比如在靠近阴极或者在发光粉/介质层中间以及靠近阳极,甚至同时在所有上述位置上出现,也有时发光区占据整个的发光粉/介质层.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        其它

      • 热处理引起3C-ZnS结构转变的X-射线衍射分析

        高大超, 刘维娜
        1983, 4(2): 35-45.
        摘要：为了论证层错是硫化锌晶体中交流电致发光的一个必要条件,我们把3C-ZnS单晶体在1100℃热处理后引入了层错.同时,我们对热处理前后的结构,用劳埃背反射法和文献[8、13]推导的公式进行了分析.结果表明,沿3C-结构<111>四个等价方向都可以产生无序、孪晶和2H-结构,而且当热处理时间足够长时,结构转变趋向于一个<111>方向.这些实验结果,在有关的文献中尚未见到.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • 用小功率He-Ne激光器测量Ga1-xAlxAs外延片表面组份的均匀性

        刘学彦, 高瑛
        1983, 4(2): 46-50.
        摘要：本文描述了一种简便可靠的分析Ga1-xAlxAs外延片表面组份均匀性的光学方法.在300K下,用小功率He-Ne激光器作光源,对x<0.39的n型和p型外延层进行了光致发光测量.依据光谱峰值获得表面的x值与扫描电镜所得结果相符.通过激发表面不同点处测得的光致发光光谱的位移,可以迅速而直观地分析出x值分布的均匀性.  
          
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        更新时间：2020-08-11
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