最新刊期
      1982年第3卷第1期

        电致发光

      • Ⅱ-Ⅵ族单晶和粉末材料中的电致发光机理

        范希武
        1982, 3(1): 1-19.
        摘要：本文首先综述了在Ⅱ-Ⅵ族单晶材料中电致发光的激发和复合机理.然后介绍了在ZnS型粉末材料中交流和直流激发的电致发光机理.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 低压、反向偏压,铒和钕注入的ZnSe发光二极管

        钟国柱, F. J. Bryant
        1982, 3(1): 20-22.
        摘要：由铒和钕注入的ZnSe单晶所制备的发光二极管有很好的电致发光.这些二极管的外能量效率大约为5×10-5W/W,并且可以在很低电压下和低温下(77K)工作.这些二极管发射光谱显示了三价稀土离子饵和汝的特征辐射.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 气相外延生长的ZnSe单晶薄膜及电致发光

        史其武
        1982, 3(1): 23-28.
        摘要：用窄空间外延方法,在GaAs(100)衬底上外延生长了ZnSe(100)单晶薄膜.实验条件是,T衬=550℃,T源=650℃,H2-HCl气流速率为0.4-0.45l/min,生长速率为0.25-0.3μ/h.外延片在700℃的Zn和MnCl2蒸气中处理40-60分钟,以降低ZnSe的电阻率及掺入杂质Mn.利用这一外延层制作了MS结发光二极管,在反向偏压下获得黄色电致发光.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • C-ZnSe:Al的黄色注入式发光

        胡德良
        1982, 3(1): 29-34.
        摘要：用高速率升华法制备的ZnSe晶体,研究了C-ZnSe:Al的电致发光.这种新型发光系统可产生黄色自激活发射,峰值波长在5900X.阈值电压0.8伏.在2伏4mA下亮度为50fL,在3伏60mA下,最高外量子效率在10-4,最大平均结面亮度600fL,讨论指出,发光是由注入空穴在Al和Zn空位组成的联合中心上与电子复合引起.利用这一现象制作了简易的发光管、数码管及发光矩阵.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 磷砷化镓黄色发光二极管

        方志烈, 倪林福, 汪曼生
        1982, 3(1): 40-45.
        摘要：采用掺氨砷压法在磷化镓衬底上外延生长掺碲n型的GaAs0.15P0.85:N/GaP材料,制成磷砷化镓黄色发光二极管,测量了其光学和电学性能.讨论了影响器件发光效率的因素.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • 掺闪烁体PMMA的超荧光发射

        何迪洁
        1982, 3(1): 35-39.
        摘要：激光技术的出现,使掺稀土离子的晶态和非晶态固体无机材料得到发展.而以非晶态固体有机材料为基质的工作物质,至今未见报导.许多有机高分子材料,是良好的介电质材料,但是,用作光学材料,近年来才开始.如用作镜片、光纤和某些功能材料.有关掺杂发光物质的有机高分子材料,除少量用于装璜的发光塑料外,也研究得极少.基于把基质有机高分子视为刚性溶剂的考虑,我们在进行闪烁体染料溶液体系研究的同时,进行了掺闪烁体PMMA体系的发光和发光稳定性的实验研究,作为对这一领域进行初步探索,得到了有意义的实验结果.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        阴极射线发光

      • Tb3+离子在固溶体(Y0.9Gd0.1)2O2S和(Gd0.9La0.1)2O2S中的发光

        黄竹坡, 许庚望
        1982, 3(1): 46-53.
        摘要：用稀土氧化物硫化法合成了固溶体发光材料(Y0.9Gd0.1)2O2S:Tb和(Gd0.9La0.1)2O2S:Tb,并且用阴极射线和254nm紫外线两种激发方式测试了它们的发光性能.研究了固溶体(Y0.9Gd0.1)2O2S:Tb和(Gd0.9La0.1)2O2S:Tb中Tb3+离子5D3——7FJ和5D4——7FJ的能级跃迁强度随Tb3+离子浓度而变化的关系,以及它们的发光色度随激活剂Tb3+离子浓度的变化,探讨了Tb3+离子的浓度猝灭机理.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        其它

      • 用电子计算机来分析p-AlxGa1-xAs/p-GaAs/n-GaAs太阳电池的性能

        张志林, 吴乐琦, 黄玉奎, 韩生, 李玉琴, 王庆荣
        1982, 3(1): 54-68.
        摘要：通过对p-AlxGa1-xAs/p-GaAs/n-GaAs太阳电池的少子扩散长度、结深、Al组分及其它光电参数的测量,初步确立了此电池的模型,以此模型用电子计算机计算了电池的量子效率谱等性能并与实验作了比较,进一步还分析了结深、扩散长度等参数对电池性能的影响.  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 陈良尧, 钱佑华
        1982, 3(1): 69-76.
        摘要：观察了一系列Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金GaAs1-xPx和AlxGa1-xAs样品的电解液电场调制反射光谱(EER)与合金组分参数X的关系.在临界点能量及其相关的自旋“轨道分裂Eg0,△0,Eg1,△1的计算中,采用了”三点调整法”.按照文献给出的公式,从Eg0的值求得所有GaAs1-xPx样品的组分.由此,通过最佳拟合法碍到[Eg0+△0](x)、Eg1(x)、(Eg1+△1)(x)的经验公式均为抛物线型的.在GaP(X=1)的情形中,明确地测得△1的值约为0.19eV,这与△1:△0比值的“2/3规则”有显著的偏离.本文还说明了,对半导体合金组分的光电压法测定中常用的线性型Eg0(x)假设,有必要进行二次项修正.  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 杨忠义, 刘天夫
        1982, 3(1): 83-86.
        摘要：本文主要讨论在周边驱动电路中由于加电感补偿可以显著改善粉末直流电致发光(DC-EL)的交流电-光特性.由于加电感补偿除了与AC-EL一样,在相同驱动电压下可以提高亮度及在相同亮度下可以降低驱动电压以外,还可以使DC-EL的亮度随驱动频率而改变.这样也可以使DC-EL实现调频的显示及显象应用(如不加L补偿,是不能实现调频应用的).  
          
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • 电子束蒸镀氧化铟透明导电薄膜

        陈凤仪, 刘振声, 单凯
        1982, 3(1): 77-82.
        摘要：用电子束蒸发掺SnO2氧化铟靶,可以制得性能良好的透明导电薄膜,电阻率在2.5-3.5×10-4Ωcm,可见光透过率达90%.这种导电薄膜能代替SnO2透明导电薄膜,并优于SnO2导电薄膜. 本文着重研究了影响氧化铟透明导电薄膜导电性、透光性的主要因素,为获得性能良好的透明导电薄膜提供了重复性较好的工艺条件.]  
          
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        更新时间：2020-08-11
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