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GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律
发光学应用及交叉前沿 | 更新时间:2020-09-21
    • GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律

    • Degradation of GaAsN/GaAs Quantum Well Under 1 MeV Electron Beam Irradiation

    • 发光学报   2020年41卷第5期 页码:603-609
    • DOI:10.3788/fgxb20204105.0603    

      中图分类号: TN304.23;O475
    • 收稿日期:2020-01-03

      录用日期:2020-3-17

      纸质出版日期:2020-05

    移动端阅览

  • 雷琪琪, 郭旗, 艾尔肯·阿不都瓦衣提, 等. GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律[J]. 发光学报, 2020,41(5):603-609. DOI: 10.3788/fgxb20204105.0603.

    Qi-qi LEI, Qi GUO, ABUDUWAYITI Aierken, et al. Degradation of GaAsN/GaAs Quantum Well Under 1 MeV Electron Beam Irradiation[J]. Chinese journal of luminescence, 2020, 41(5): 603-609. DOI: 10.3788/fgxb20204105.0603.

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东北师范大学 物理学院
山东大学 微电子学院, 新一代半导体材料研究院
广 东省科学院 半导体研究所
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