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量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-08-12
    • 量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响

    • Growth Rate of Quantum Barrier on Performance of InGaN-based Green LEDs

    • 发光学报   2020年41卷第4期 页码:429-434
    • DOI:10.3788/fgxb20204104.0429    

      中图分类号: O484.4;TN383+.1
    • 收稿日期:2019-10-12

      修回日期:2019-11-01

      网络出版日期:2019-11-19

      纸质出版日期:2020-04-05

    移动端阅览

  • 廖芳, 莫春兰, 王小兰等. 量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响[J]. 发光学报, 2020,41(4): 429-434 DOI: 10.3788/fgxb20204104.0429.

    LIAO Fang, MO Chun-lan, WANG Xiao-lan etc. Growth Rate of Quantum Barrier on Performance of InGaN-based Green LEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020,41(4): 429-434 DOI: 10.3788/fgxb20204104.0429.

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