晶体硅太阳电池数值模拟软件及其应用

张寅博; 潘淼; 程翔; 陈朝

doi:10.3788/fgxb20123306.0660

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

晶体硅太阳电池数值模拟软件及其应用

器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- 晶体硅太阳电池数值模拟软件及其应用
- Numerical Simulation for Crystalline Silicon Solar Cells
- 发光学报 2012年33卷第6期页码：660-664
- 作者机构：
  
  1. 厦门大学物理与机电工程学院,福建厦门,361005
  2. 厦门大学能源研究院,福建厦门,361005
  3. 福建省半导体照明工程技术研究中心,福建厦门,361005
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61076056)();福建省重大科技专项专题(2007HZ0005-2)资助项目()
- DOI：10.3788/fgxb20123306.0660
  中图分类号： TM914.4+1
- 纸质出版日期：2012-6-10，
  
  网络出版日期：2012-6-10，
  
  收稿日期：2012-3-12，
  
  修回日期：2012-4-27，
扫描看全文
张寅博, 潘淼, 程翔, 陈朝. 晶体硅太阳电池数值模拟软件及其应用[J]. 发光学报, 2012,(6): 660-664

ZHANG Yin-Bo, PAN Miao, CHENG Xiang, CHEN Chao. Numerical Simulation for Crystalline Silicon Solar Cells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012,(6): 660-664
张寅博, 潘淼, 程翔, 陈朝. 晶体硅太阳电池数值模拟软件及其应用[J]. 发光学报, 2012,(6): 660-664 DOI： 10.3788/fgxb20123306.0660.

ZHANG Yin-Bo, PAN Miao, CHENG Xiang, CHEN Chao. Numerical Simulation for Crystalline Silicon Solar Cells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012,(6): 660-664 DOI： 10.3788/fgxb20123306.0660.

摘要

提出一种在Matlab/GUI环境下设计的晶体硅太阳电池数值模拟软件

通过光生少数载流子连续性方程建立了单晶硅N

/P/P

结构太阳电池的物理模型。通过引进有效迁移率和有效少子扩散长度概念

并考虑多晶硅中晶界复合后

实现了对单晶硅、柱状多晶硅太阳电池的开路电压、短路电流、填充因子、转化效率、串并联电阻等电池性能的参数指标的数值模拟。程序模拟结果通过数值和图形两种方式输出

模拟结果与实验结果接近

能够为晶体硅太阳电池的设计与制备起到较好的指导作用。本程序对于以N型材料为衬底的晶体硅太阳电池同样适用。

Abstract

A software for the numerical simulation of crystalline silicon solar cells is developed. Photocarrier continuity equation

effective mobility

effective minority carrier diffusion length and carrier recombination on crystal boundary of multicrystalline silicon are taken into account in the physical model. The software outputs the numerical simulation of crystalline silicon solar cells by numerical results and graphics. As the simulation results close to experimental data

the software can be a good guide for the design and production of crystalline silicon solar cells.

关键词

晶体硅太阳电池数值模拟Matlab/GUI

Keywords

crystalline silicon solar cellsnumerical simulationMatlab/GUI

references

Singh S N, Sharma S K, Singh P K, et al. Model of front-illuminated n+-p-p+ high efficiency silicon solar cell [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 1992, 39(2):362-369.[2] Basore P A, Cluqston D A. PC1D version 4 for windows:From analysis to design //Proceeding of 25th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Washington, USA:IEEE, 1996:377-381.[3] Xiong Shaozhen, Zhu Meifang. Solar Cell Foundation and Application [M]. Beijing:Science Press, 2009:113-134.[4] Zhang Meiyu, Chen Chao. Numerical simulation and analysis for Si N+/P/P+ solar cells [J]. Acta Energiae Solaris Sinica (太阳能学报), 2008, 29(10):1267-1273 (in Chinese).[5] Wang Yangyuan. Polycrystalline Silicon Thin Film and Its Application in Integrated Circuit [M]. Beijing:Science Press, 2000:168-169.[6] Soclof S I, Iles P A. Grain boundary and impurity effects in low cost silicon solar cells //Proceeding of 11th IEEE Photovohaic Specialists Conference, New York, USA:IEEE, 1975:56-61.[7] Imaizumi M, Ito T, Yamaguchi M. Effect of grain size and dislocation density on the performance of thin film polycrystalline silicon solar cells [J]. J. Appl. Phys., 1997, 81(11):7635-7640.[8] Zhang Meiyu, Chen Chao. One-dimensional model calculation for polycrystalline silicon solar cells [J]. Semiconductor Optoelectronics (半导体光电), 2008, 29(5):631-635 (in Chinese).[9] Green M A. Third Generation Photovoltaics:Advanced Solar Energy Conversion [M]. Shanghai:Shanghai Jiao Tong University Press, 2010:95-98.[10] Li Yanhua, Pan Miao, Pang Aisuo, et al. The application of electroluminescence imaging to detection the hidden defects in silicon solar cells [J]. Chin. J. Lumin.(发光学报), 2011, 32(4):378-382 (in Chinese).

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

高功率掺Tm³⁺自相似脉冲激光器的仿真优化设计

量子阱层和垒层具有不同Al组分的270/290/330 nm AlGaN基深紫外LED光电性能

LED板状肋片散热器性能的方向效应

新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高

具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED