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852 nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、 InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-08-12
    • 852 nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、 InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性

    • Temperature Stability of InGaAlAs, InGaAsP, InGaAs and GaAs Quantum-wells for 852 nm Laser Diode

    • 发光学报   2012年33卷第6期 页码:640-646
    • DOI:10.3788/fgxb20123306.0640    

      中图分类号:

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  • 徐华伟, 宁永强, 曾玉刚, 张星, 秦莉, 刘云, 王立军. 852 nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、 InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性[J]. 发光学报, 2012,(6): 640-646 DOI: 10.3788/fgxb20123306.0640.

    XU Hua-Wei, NING Yong-Jiang, CENG Yu-Gang, ZHANG Xing, QIN Li, LIU Yun, WANG Li-Jun. Temperature Stability of InGaAlAs, InGaAsP, InGaAs and GaAs Quantum-wells for 852 nm Laser Diode[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012,(6): 640-646 DOI: 10.3788/fgxb20123306.0640.

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