空间限域-化学气相沉积法外延生长可剥离γ-Ga₂O₃薄膜

赵旭锋; 李现旭; 张东; 蒋能东; 王文杰

doi:10.37188/CJL.20260163

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

空间限域-化学气相沉积法外延生长可剥离γ-Ga₂O₃薄膜

更新时间：2026-05-25

- 空间限域-化学气相沉积法外延生长可剥离γ-Ga₂O₃薄膜
  增强出版
- Space-Confined Chemical Vapor Deposition of Exfoliable γ-Ga₂O₃ Thin Films
- 发光学报 2026年页码：1-9
- 作者机构：
  
  1.华北电力大学数理学院北京 102206
  2.北京师范大学物理与天文学院北京 100875
- 作者简介：
  
  赵旭锋（2000-），女，山西晋中人，硕士研究生，2023年于太原师范学院获得学士学位，主要从事宽禁带半导体与卡西米尔力的研究。 E-mail： zxf13994562957@163.com
  李现旭（1997-），男，山东东营人，博士研究生，2025年与华北电力大学获得硕士学位，主要从事宽禁带半导体与铁电材料的研究。 E-mail： 19862509809@163.com
  王文杰（1979-），男，山西人，博士，讲师，硕士生导师，2007年在中科院半导体所超晶格实验室获凝聚态物理专业博士学位，主要从事宽禁带半导体和二维材料研究。 E-mail： wwj2008@ncepu.edu.cn
- 基金信息：
- DOI：10.37188/CJL.20260163
  中图分类号： Document
- CSTR：32170.14.CJL.20260163
- 网络首发：2026-05-25，
- 稿件说明：
移动端阅览
赵旭锋,李现旭,张东等.空间限域-化学气相沉积法外延生长可剥离γ-Ga₂O₃薄膜[J].发光学报,

ZHAO Xufeng,LI Xianxu,ZHANG Dong,et al.Space-Confined Chemical Vapor Deposition of Exfoliable γ-Ga₂O₃ Thin Films[J].Chinese Journal of Luminescence,
赵旭锋,李现旭,张东等.空间限域-化学气相沉积法外延生长可剥离γ-Ga₂O₃薄膜[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20260163 CSTR： 32170.14.CJL.20260163.

ZHAO Xufeng,LI Xianxu,ZHANG Dong,et al.Space-Confined Chemical Vapor Deposition of Exfoliable γ-Ga₂O₃ Thin Films[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20260163 CSTR： 32170.14.CJL.20260163.

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

基于微流控可控制备交联型ZnS高折射率材料及其在QLED光提取中的应用

CaYAl3O7∶Eu2+，Eu3+，Tb3+的多模式应力发光性能及颜色调控

NaYF4∶Yb,Tm@CsPbBr3异质结构制备与发光性能

镧系金属有机框架材料在防伪中的应用

具有级联纳米酶活性的三模态协同纳米复合材料：面向潜在的近红外响应切换成像与治疗

空间限域-化学气相沉积法外延生长可剥离γ-Ga₂O₃薄膜

Space-Confined Chemical Vapor Deposition of Exfoliable γ-Ga₂O₃ Thin Films

DOI：10.37188/CJL.20260163