基于超薄氧化铝绝缘修饰层忆阻器的光电神经元

张国成; 曾自力; 唐建川; 苏长强; 易鑫; 黄宣烨; 卓立; 严育杰

doi:10.37188/CJL.20250243

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基于超薄氧化铝绝缘修饰层忆阻器的光电神经元

更新时间：2026-01-05

- 基于超薄氧化铝绝缘修饰层忆阻器的光电神经元
  增强出版
- Photonic Neuron Based on Memristor with Ultra-thin Alumina Insulating Modification Layer
- “最新研究突破金属氧化物忆阻器性能瓶颈，为神经形态计算发展提供新策略。”
- 发光学报 2026年页码：1-11
- 作者机构：
  
  1.福建理工大学微电子技术研究中心，福建福州 350108
  2.厦门理工学院材料科学与工程学院，福建厦门 361024
- 作者简介：
  
  [ "张国成（1981-），男，湖北监利人，博士研究生，副教授，2020年于福州大学获得博士学位，主要从事薄膜晶体管及人工神经形态器件的研究。E-mail： zgc@fjut.edu.cn" ]
  [ "严育杰（1993-），男，福建漳平人，博士研究生，副教授，2021年于福州大学获得博士学位，主要从事薄膜晶体管及人工神经形态器件的研究。E-mail： yujieyan@xmut.edu.cn" ]
- 基金信息：
  
  福建省自然科学基金面上项目(2021J011082);国家自然科学基金(62304189)
- DOI：10.37188/CJL.20250243
  中图分类号： O482.31
- CSTR：32170.14.CJL.20250243
- 网络出版：2026-01-05，
- 稿件说明：
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张国成,曾自力,唐建川等.基于超薄氧化铝绝缘修饰层忆阻器的光电神经元[J].发光学报,

ZHANG Guocheng,ZENG Zili,TANG Jianchuan,et al.Photonic Neuron Based on Memristor with Ultra-thin Alumina Insulating Modification Layer[J].Chinese Journal of Luminescence,
张国成,曾自力,唐建川等.基于超薄氧化铝绝缘修饰层忆阻器的光电神经元[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20250243 CSTR： 32170.14.CJL.20250243.

ZHANG Guocheng,ZENG Zili,TANG Jianchuan,et al.Photonic Neuron Based on Memristor with Ultra-thin Alumina Insulating Modification Layer[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20250243 CSTR： 32170.14.CJL.20250243.

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基于超薄氧化铝绝缘修饰层忆阻器的光电神经元

Photonic Neuron Based on Memristor with Ultra-thin Alumina Insulating Modification Layer

DOI：10.37188/CJL.20250243