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通过壳层掺杂工程改善CuInS2/ZnS近红外量子点发光二极管性能的研究
更新时间：2025-04-28

    • 通过壳层掺杂工程改善CuInS2/ZnS近红外量子点发光二极管性能的研究

      增强出版

    • Study on Improving the Performance of CuInS2/ZnS Near-infrared QLED by Shell Doping Engineering

    • “在生物相容性和环境友好性领域，研究人员通过掺杂Al的壳层结构，成功降低了CIS/ZnS量子点的PL蓝移，平衡了载流子注入，为解决CIS/ZnS体系的EL相对PL蓝移问题提供解决方案。”
    • 发光学报   2025年 页码：1-10

    • DOI：10.37188/CJL.20250084    

      中图分类号： O482.31
    • CSTR：32170.14.CJL.20250084    

    • 网络出版日期：2025-04-28，

    移动端阅览

  • 陈卓,陈一鸣,张倩倩等.通过壳层掺杂工程改善CuInS2/ZnS近红外量子点发光二极管性能的研究[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20250084 CSTR： 32170.14.CJL.20250084.

    Chen Zhuo,Chen Yiming,Zhang Qianqian,et al.Study on Improving the Performance of CuInS2/ZnS Near-infrared QLED by Shell Doping Engineering[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20250084 CSTR： 32170.14.CJL.20250084.

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