您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
1 550 nm VCSEL硅基光电集成变迹光栅耦合器设计及入射角方向性优化研究
器件制备及器件物理 | 更新时间：2025-04-21

    • 1 550 nm VCSEL硅基光电集成变迹光栅耦合器设计及入射角方向性优化研究

      增强出版

    • Design and Incident Angle Directionality Optimization of A Tapered Grating Coupler for 1 550 nm VCSEL-based Silicon Photonic Integration

    • “在硅基光电集成领域，研究者设计了高效递进式光栅耦合器，提升了VCSEL与硅光子集成电路的耦合效率，降低了工艺难度。”
    • 发光学报   2025年46卷第4期 页码：730-741

    • DOI：10.37188/CJL.20240342    

      中图分类号： TN256
    • CSTR：32170. 14. CJL. 20240342    

    • 收稿日期：2024-12-24，

      修回日期：2025-01-14，

      纸质出版日期：2025-04-25

    移动端阅览

  • 孙松伟,石琳琳,马超等.1 550 nm VCSEL硅基光电集成变迹光栅耦合器设计及入射角方向性优化研究[J].发光学报,2025,46(04):730-741. DOI： 10.37188/CJL.20240342. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240342.

    SUN Songwei,SHI Linlin,MA Chao,et al.Design and Incident Angle Directionality Optimization of A Tapered Grating Coupler for 1 550 nm VCSEL-based Silicon Photonic Integration[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(04):730-741. DOI： 10.37188/CJL.20240342. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240342.

  •  
  •  

0

浏览量

44

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

激光器封装耦合容差分析
稳定耦合效率的沟槽结构半导体激光器
集成光学波导光栅研究进展
制备波导光栅的相位掩膜技术

相关作者

王玉坤
张彩
刘佳垚
王晴晴
崔碧峰
李莎
孔真真
黄欣竹

相关机构

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室
大连东软信息学院 智能与电子工程学院
中国科学院 半导体研究所
芯联新（河北雄安）科技有限公司
北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室
0