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氧化锌基忆阻器件研究进展
更新时间：2025-02-20
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    • 氧化锌基忆阻器件研究进展

      增强出版

    • Recent progress in ZnO-based memristive devices

    • “最新报道，氧化锌基忆阻器件在信息存储处理和类脑突触模拟领域取得显著进展，为高性能忆阻器件发展提供新思路。”
    • 发光学报   2025年 页码：1-17

    • DOI：10.37188/CJL.20240331    

      中图分类号： O472
    • CSTR：32170.14.CJL.20240331    

    • 网络出版日期：2025-02-20，

    移动端阅览

  • 史佳娟,单旋宇,王中强等.氧化锌基忆阻器件研究进展[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20240331 CSTR： 32170.14.CJL.20240331.

    SHI Jiajuan,SHAN Xuanyu,WANG Zhongqiang,et al.Recent progress in ZnO-based memristive devices[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20240331 CSTR： 32170.14.CJL.20240331.

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