您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
氧化锌基忆阻器件研究进展
特邀报告 | 更新时间：2026-09-12

    • 氧化锌基忆阻器件研究进展

      增强出版

    • Recent Progress in ZnO-based Memristive Devices

    • 发光学报   2025年46卷第5期 页码：753-769

    • DOI：10.37188/CJL.20240331    

      中图分类号： O472
    • CSTR：32170.14.CJL.20240331    

    • 收稿：2024-12-17，

      修回：2025-01-02，

      纸质出版：2025-05-25

    移动端阅览

  • 史佳娟,单旋宇,王中强等.氧化锌基忆阻器件研究进展[J].发光学报,2025,46(05):753-769. DOI： 10.37188/CJL.20240331. CSTR： 32170.14.CJL.20240331.

    SHI Jiajuan,SHAN Xuanyu,WANG Zhongqiang,et al.Recent Progress in ZnO-based Memristive Devices[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(05):753-769. DOI： 10.37188/CJL.20240331. CSTR： 32170.14.CJL.20240331.

  •  
  •  

0

浏览量

1187

下载量

1

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

关联资源

发光学报·特邀综述 | 刘益春/王中强：氧化锌基忆阻器件研究进展

相关文章

面向神经形态计算的多模态忆阻器研究进展
ZnO基透明导电薄膜
氧化锌基光电化学传感器研究进展
ZnO基器件中的负光电导特性研究
基于混合波导-表面等离极化激元结构的胶体量子点放大自发发射性能研究

相关作者

史佳娟
单旋宇
王中强
徐海阳
刘益春
苗印晖
石伟
秦旭

相关机构

东北师范大学，紫外光发射材料与技术教育部重点实验室
南京邮电大学 理学院
南京邮电大学 信息材料与纳米技术研究院， 柔性电子全国重点实验室， 类脑电子材料与器件江苏高校重点实验室
南京工业大学 柔性电子（未来技术）学院， 先进材料研究院， 柔性电子全国重点实验室
浙江大学 材料科学与工程学院， 硅及先进半导体材料全国重点实验室
0