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2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响研究
更新时间：2024-10-30
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    • 2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响研究

      增强出版

    • The Influence of 2 nm GaAs Insertion Layer on 905 nm InGaAs Multi Quantum Well Luminescence

    • “最新研究揭示，GaAs插入层能优化InGaAs多量子阱材料表面粗糙度和结晶质量，增强发光效果，对提升材料光学性能具有重要意义。”
    • 发光学报   2024年 页码：1-10

    • DOI：10.37188/CJL.20240243    

      中图分类号：

    • 网络出版日期：2024-09-30，

    移动端阅览

  • 甘露露,王海珠,张崇等.2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响研究[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20240243

    GAN Lulu,WANG Haizhu,ZHANG Chong,et al.The Influence of 2 nm GaAs Insertion Layer on 905 nm InGaAs Multi Quantum Well Luminescence[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20240243

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相关作者

马晓辉
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相关机构

长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室
中国农业大学 应用物理系
中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室
广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室 华南师范大学光电子材料与技术研究所
中国科学院长春物理研究所
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