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GaN基Micro-LED反向漏电流的失效机理分析
更新时间：2024-08-16
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    • GaN基Micro-LED反向漏电流的失效机理分析

      增强出版

    • Analysis of Failure Mechanism of Reverse Leakage Current in GaN-based Micro-LEDs.

    • “在GaN基蓝光Micro-LED芯片领域，通过温度和电压实验方法，揭示了其反向漏电流失效机理。研究结果表明，温度应力下，Micro-LED芯片退化前的反向漏电流主要由多步热辅助隧穿电流构成，受Poole-Frenkel隧穿机制影响。而电压应力退化后，反向漏电流随应力时间增加而增大，由多步热辅助隧穿电流转换为空间电荷限制电流机制。分析退化前后的能带图发现，长时间电压应力会导致击穿现象，引起内部电场剧烈变化，电子高能量碰撞晶格原子，产生大量载流子，增加非辐射复合率，使反向漏电流显著增大。这一发现为Micro-LED芯片的可靠性研究提供了重要依据。”
    • 发光学报   2024年 页码：1-8

    • DOI：10.37188/CJL.20240164    

      中图分类号： TN312+.8

    • 网络出版日期：2024-08-16，

    移动端阅览

  • 王伟,张腾飞,王绶玙.GaN基Micro-LED反向漏电流的失效机理分析[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20240164

    WangWei ,ZhangTengfei ,WangShouYu .Analysis of Failure Mechanism of Reverse Leakage Current in GaN-based Micro-LEDs.[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20240164

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