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基于WS2量子点/GaAs异质结构的高灵敏度光电探测器
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-10-31
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    • 基于WS2量子点/GaAs异质结构的高灵敏度光电探测器

      增强出版

    • Highly Sensitive Photodetectors Based on WS2 Quantum Dots/GaAs Heterostructures

    • “在光电探测器领域，研究人员取得了重大进展。他们将3D GaAs纳米线与0D WS2量子点结合形成异质结构，为制备高性能GaAs探测器提供了新的解决方案，并促进了GaAs纳米线光电器件的发展。”
    • 发光学报   2024年45卷第10期 页码：1699-1706

    • DOI：10.37188/CJL.20240162    

      中图分类号： TN304

    • 纸质出版日期：2024-10-26，

      收稿日期：2024-06-29，

      修回日期：2024-07-15，

    移动端阅览

  • 李先帅, 林逢源, 侯效兵, 等. 基于WS2量子点/GaAs异质结构的高灵敏度光电探测器[J]. 发光学报, 2024,45(10):1699-1706. DOI： 10.37188/CJL.20240162.

    LI XIANSHUAI, LIN FENGYUAN, HOU XIAOBING, et al. Highly Sensitive Photodetectors Based on WS2 Quantum Dots/GaAs Heterostructures. [J]. Chinese journal of luminescence, 2024, 45(10): 1699-1706. DOI： 10.37188/CJL.20240162.

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