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通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-09-25
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    • 通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率

      增强出版

    • Enhanced Hole Injection of GaN Based Green LEDs by Inducing Carrier Transport Through V-pits

    • “在提升GaN基LED空穴注入效率方面取得新进展，研究者设计新型外延结构，发现载流子传输机制及V坑缺陷对效率有显著影响。”
    • 发光学报   2024年45卷第5期 页码：800-808

    • DOI：10.37188/CJL.20240027    

      中图分类号： TN383+.1

    • 纸质出版日期：2024-05-25，

      收稿日期：2024-01-31，

      修回日期：2024-02-15，

    移动端阅览

  • 张东皓,杨东锴,徐畅等.通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率[J].发光学报,2024,45(05):800-808. DOI： 10.37188/CJL.20240027.

    ZHANG Donghao,YANG Dongkai,XU Chang,et al.Enhanced Hole Injection of GaN Based Green LEDs by Inducing Carrier Transport Through V-pits[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(05):800-808. DOI： 10.37188/CJL.20240027.

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相关作者

张东皓
杨东锴
徐畅
刘信佑
包立君
刘诗涛
王立
伍菲菲

相关机构

厦门大学 电子科学与技术学院 电子科学系
南昌大学 材料科学与工程学院
南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心
南昌大学 光伏研究院
哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院
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