您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
β⁃Ga2O3的p型掺杂研究进展
Mini综述 | 更新时间：2024-04-26
|

    • β⁃Ga2O3的p型掺杂研究进展

      增强出版

    • Research Progress of p-type Doping of β-Ga2O3

    • ”
    • 发光学报   2024年45卷第4期 页码：557-567

    • DOI：10.37188/CJL.20230328    

      中图分类号： O482.31

    • 纸质出版日期：2024-04-05，

      收稿日期：2023-12-19，

      修回日期：2024-01-04，

    扫 描 看 全 文

  • 何俊洁,矫淑杰,聂伊尹等.β⁃Ga2O3的p型掺杂研究进展[J].发光学报,2024,45(04):557-567. DOI： 10.37188/CJL.20230328.

    HE Junjie,JIAO Shujie,NIE Yiyin,et al.Research Progress of p-type Doping of β-Ga2O3[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(04):557-567. DOI： 10.37188/CJL.20230328.

  •  
  •  

0

浏览量

58

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

关联资源

发光学报 | β-Ga₂O₃的p型掺杂研究进展

相关文章

砷化镓热氧化法制备β⁃Ga2O3体块薄膜
InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及其高响应度广光谱光电探测器
方波驱动法测定Alq3的电子迁移率
利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜

相关作者

矫淑杰
何俊洁
董鑫
刁肇悌
陈威
焦腾
李政达
胡平安

相关机构

吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室
哈尔滨工业大学 微系统与微结构制造教育部重点实验室
哈尔滨工业大学 化工与化学学院
哈尔滨工业大学 物理学院
中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室
0